半導體晶體管電路設計須知（一）
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關晶體管在工作過程中的損耗分為開關損耗和穩態損耗， 其中開關損耗包括導通損耗和關斷損耗， 穩態損耗包括通態損耗和截止損耗， 其中截止損耗占總的損耗的比率很小， 可以忽略不計。我們把Vce由90% Vindc降到110% Vcesat所用的時間定義為導通延時， 即圖2中的t1 - t0, 把IC 由90% Icmax下降到0所用的時間定義為關斷延時， 即t3 - t2。
在開關晶體管開通時， 集電極電壓在控制器驅動電壓為高時， 基極電流變大， 集電極電壓由Vindc下降為0, 此時由于變壓器與原邊并聯的寄生電容兩端的電壓差也從0變為Vindc, 寄生電容充電， 因此在開關晶體管集電極產生一個尖峰電流， 另一方面， 如果副邊整流二極管的反向恢復電流沒有降到0, 也會進一步加大這個尖峰電流。開關晶體管出現集電極電壓和電流交替現象， 產生導通損耗， 直到集電極電壓降到Vcesat.導通損耗可以表示為：
在晶體管導通后， 集電極電流從0逐漸變大， 而Vcesat不為0, 因此產生通態損耗。通態損耗可以表示為：
在開關晶體管關斷時， 集電極電流不能馬上降為0, 而集電極電壓已經從Vcesat開始上升， 在開關晶體管上產生電壓電流交替現象， 從而產生關斷損耗。
由于變壓器是電感元件， 當開關突然關斷時， 變壓器電感元件電流不能突變， 會產生較大的反激電壓， 阻礙電流變化， 通過電路加在開關管上， 產生比較大的損耗。關斷損耗可以表示為：
開關管總的損耗可以表示為：
一般情況下， 關斷損耗在開關損耗中占的比率最大， 而關斷損耗跟開關晶體管的關斷延遲時間有關， 減小關斷延遲時間( t3 - t2 )， 加快集電極電流下降
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