半導體晶體管電路設計須知（一）

　　SuVolta是硅谷的一家小公司，他們提出了另一種方法。他們計劃制造的平板晶體管通道也不摻入雜質。但這家公司打算使用價格低廉的傳統硅晶片，而不必改變晶片的成分，不必制造絕緣硅聯合會要求的超薄溝道，他們的過人之處在于，在溝道的下面增加一個柵極。兩個柵極共同作用就能夠控制沒有添加雜質并且厚度不夠小的溝道。就這樣，功能更好而能耗更低的晶體管就產生了，該公司表示，它的能耗減少到只有傳統類型的晶體管能耗的一半，而性能上并沒有損失。SuVolta此舉激起了日本電子巨頭富士通的極大興趣，目前他們已擁有這項技術的生產許可。

　　還有多少發展空間

　　所有這些方法都意味著摩爾定律至少在未來幾年內還會繼續發揮作用。數百位專家每年都要對半導體國際技術路線圖進行更新。他們預測，標準晶體管的橫向尺寸到2013年將減小到16納米(現在是32納米)，到2015年還將減小到11納米。要想進一步縮小就需要一個概念上的飛躍。有幸的是，已經有了幾個這樣的選擇。

　　一個最有前景的方法去年已由考林吉帶領的愛爾蘭廷德爾國家研究所描繪出來。他們發表一篇論文，宣布他們已經創造出無接晶體管。這一方法早在1925年就由一位名叫朱利葉斯?利林菲爾德的物理學家獲得專利，但直到現在，它的制造依然是個難題。

　　晶體管連接處的兩面是摻入了導電電子(因為電子帶有負(negative)電荷，因此被稱為n型材料)的硅片，而p型區域的晶格中摻入了帶有正電的空穴，這些空穴由電子的游離而產生。還有一些三極管，源極和漏極都是p型，溝道是n型。在其他情況下，情況正好相反。在n型和p型的結合處，硅的作用就像一個閥門，防止電流流向相反的方向。

　　然而，晶體管越小，制造PN結的難度就越大，這也是受到了摻入元素濃度波動的影響。考林吉博士的設計——類似英特爾的三柵極，在一個單獨的、超薄的硅導線周圍環繞一個三維柵極——為避免這種情況，整個晶體管全部采用一種比常規平板晶體管所用的半導體摻入元素濃度更大的半導體來制造。設計中含有一個極薄的溝道，就像閥門一樣，斷路時載流子(比如，自由電子或空穴)全部消失，通路時充滿這種載流子。它的尺寸同樣應該可以縮小。廷德爾研究院的研究人員去年報告說，通過對這種原子排列的無接晶體管進行計算機模擬顯示他們的運行狀況完好，而且它的柵極長度只有3.1納米。

　　這種柵極長度會使摩爾定律在未來幾年將繼續發揮作用，此后，摩爾定律要想繼續發揮作用，就要求有更多的創新思維。比如，大量的學術人員和工程人員正在思考，如何制造出這樣一種晶體管，使得量子溝道成為一種特色，而不是一種缺陷。根據量子理論，電子只有在某個能量級才能獲得，這就意味著利用隧穿效應的晶體管可能直接從從弱電流轉至強電流，并且不要預熱時間。

　　這也許是一個不錯的想法。晶體管的大小受到單原子大小的局限，在這種情況下，還不知這是否就是工程人員最后一個即興之舉。當摩爾博士宣布這一定律時，他本以為定律可能會在10年內有效。具有不可抗拒力量的人類創造力確保摩爾定律的壽命比預想的大大延長了，但這種力量現在正面臨著原子物理學難以逾越的障礙。這真是一場引人入勝的競賽。

三、100W電子管擴音機改由晶體管整流供電

　　該機的電源整流電路如下圖a所示。

　　電路由燈絲變壓器B2、次高壓變壓器B1和大高壓變壓器B3供電。

　　開機時，先合上低壓開關Kl，接通燈絲變壓器B2，使整機所有電子管燈絲通電開始對陰極進行加熱。由于+810V大高壓由兩只汞汽整流管VI、V2(866X2)整流供電，故燈絲必須加熱5分鐘.才能加高壓。

　　加熱5分