英特爾成功部署ASML High-NA EUV光刻系統，推進先進工藝量產化進程

【EEPW 電子產品世界 訊】在全球半導體制造競爭日趨激烈之際，英特爾公司近日宣布已成功將ASML最新一代高數值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻設備整合至其生產線。這一舉措不僅標志著芯片制造技術的一大突破，也預示著英特爾正在加快重塑其在全球半導體制造領域領導地位的步伐。

據英特爾透露，首批部署的兩臺ASML High-NA EUV設備已在其先進工藝試產線上成功運行，并在一個季度內處理超過30,000片晶圓，展示出是上一代系統兩倍的可靠性。這些光刻設備能夠實現8納米的分辨率，相較當前0.33 NA EUV系統大幅提高了圖形精度，具備更高的工藝集成密度潛力。

英特爾高級工程師史蒂夫·卡森（Steve Carson）在加州圣何塞的行業會議上指出：“High-NA系統的引入使得我們可以更少次曝光達成更精細的圖形，這不僅提高了晶圓產能，也大幅簡化了制程復雜度。”他說，“這為我們后續14A工藝節點的大規模量產奠定了堅實基礎。”

High-NA EUV技術由荷蘭ASML公司研發，被業界視為繼傳統EUV之后最具變革性的芯片制造平臺。英特爾是該設備的首批部署客戶，借此加速推進其“IDM 2.0”戰略，在未來數年內實現從18A到14A的制程躍遷。

ASML方面也表示，當前對High-NA EUV設備的市場需求正在迅速上升，特別是在人工智能芯片、高性能計算及先進移動設備領域的推動下，該技術將成為未來十年半導體制程的關鍵支撐。

通過與ASML的深度合作，英特爾意圖在臺積電和三星等競爭對手主導的先進工藝市場中重新奪回技術主動權，并支撐其代工業務（Intel Foundry）在全球市場的戰略擴張。

隨著High-NA EUV光刻設備的量產化推進，半導體制造的物理極限將進一步被突破，為7納米以下甚至3納米工藝的商業化提供堅實支撐。這一變革也將對包括AI加速器、圖形處理器以及新型架構處理器等多個技術方向產生深遠影響。