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        英特爾:ASML首批兩臺High-NA EUV設備已投產

        作者: 時間:2025-02-26 來源:全球半導體觀察 收藏

        據路透社報道,半導體大廠近日表示,半導體設備大廠阿斯麥()的首批兩臺尖端高數值孔徑(High NA)光刻機已在其工廠正式投入生產,且早期數據顯示,這些設備的性能比之前的機型更可靠。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202502/467365.htm

        報道稱,資深首席工程師Steve Carson在加利福尼亞州圣何塞舉行的一次會議上指出,已經利用高數值孔徑光刻機在一個季度內生產了3萬片晶圓,這些晶圓是足以生產數千個計算芯片的大型硅片。

        2024年,英特爾成為全球第一家接收這些先進設備的芯片制造商,與之前的設備相比,這些機器可望制造出更小、更快的計算芯片。Carson表示,在初步測試中,ASML的新型高數值孔徑機器的可靠性大約是上一代機器的兩倍。“我們以穩定的速度生產晶圓,這對平臺來說是一個巨大的好處,”卡森說。

        ASML新設備可以使用光束在芯片上印制電路圖案,同時能以更少的曝光次數完成與早期設備相同工作量,從而省時間和成本。Carson指出,英特爾工廠早期結果顯示,High NA 機器只需一次曝光和“個位數”處理步驟,即可完成早期機器需三次曝光和約40個步驟的工作。

        英特爾還表示,正在使用其18A制造技術來測試High NA設備,該技術計劃于今年晚些時候與新一代PC芯片一起進行量產;此外,英特爾也計劃利用其下一代制造技術14A全面投入高數值孔徑機器的生產,但尚未透露該技術的量產日期。




        關鍵詞: 英特爾 ASML High-NA EUV

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