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國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

• 據(jù)媒體報道，近日，研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進(jìn)的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調(diào)整化學(xué)成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內(nèi)存存儲奠定了基礎(chǔ)。這項研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實驗室（PPPL）的科學(xué)家通過模擬和實驗進(jìn)行的。根據(jù)報道，前PPPL研究員、現(xiàn)就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現(xiàn)的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學(xué)所需的非常小但很深的圓孔的最簡
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