DUV曝光機光阻劑力拼島內自給 核心材料明年供臺積電、聯電

中國臺灣自研重點放在半導體關鍵材料自主化，9家廠商年底將進行終端產線驗證。 最快明年深紫外光（DUV）曝光機的光阻劑核心材料，可打入臺積電、聯電等代工大廠產線中。

微影制程是在晶圓上制作電路圖案，隨著精細度有DUV、EUV（極紫外光）差別。 光阻劑是一種光敏感材料，由樹脂、光敏感劑、溶劑和添加劑等組成，乃微影不可或缺重要材料。 至于曝光機的光罩部份，島內像是家登都有生產，比例已不低。

但過去晶圓代工制程曾發生過光阻劑大缺貨，為了把關鍵材料掌握在自己手中，島內推動兩期半導體先進制程與封裝材料研發。 第一期2022年完成，共7家業者開發深紫外光光阻周邊材料、7到10納米制程用原子層沉積前驅物、六吋半絕緣碳化硅晶圓等，都完成下游客戶驗證，后續量產投資34億元。

島內表述補助9家供應鏈業者開發8項材料，包含深紫外光光阻材料、3到5納米制程原子層沉積前驅物、干膜光阻材料等，到2024年底結束。

法人智庫工研院表示，目前光阻劑都掌握在日本手上，關鍵材自主計劃希望把周邊材料、配方都改由島內生產。 第二期的光阻劑研發是往更核心材料發展，像是感光樹脂中的起始劑、添加劑等。

等到核心光阻劑材料年底驗證完后，工研院說，最快明年廠商就可試量產。 至于供應量多少，要看上游臺積電、聯電、力積電需求，涉及商業機密，但目標是逐步取代從日本進口。

雖然DUV傳統是成熟制程或至少7納米以上使用，但工研院表示，透過節點調整，DUV也可以應用到5納米、3納米，只是良率多寡而已，中國大陸就是靠節點調整去生產先進制程芯片。

工研院強調，最終國內會走向DUV光阻劑等周邊材生產全部本土化，下一步還會朝EUV周邊材自主化去走，目前極紫外光已經有放入前瞻計劃中研發，不過需要時間，還有點遠。