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        DUV曝光機光阻劑力拼島內(nèi)自給 核心材料明年供臺積電、聯(lián)電

        作者: 時間:2024-09-30 來源:中時電子報 收藏

        中國臺灣自研重點放在半導(dǎo)體關(guān)鍵材料自主化,9家廠商年底將進行終端產(chǎn)線驗證。 最快明年深紫外光(核心材料,可打入等代工大廠產(chǎn)線中。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202409/463380.htm

        微影制程是在晶圓上制作電路圖案,隨著精細(xì)度有、EUV(極紫外光)差別。 是一種光敏感材料,由樹脂、光敏感劑、溶劑和添加劑等組成,乃微影不可或缺重要材料。 至于的光罩部份,島內(nèi)像是家登都有生產(chǎn),比例已不低。

        但過去晶圓代工制程曾發(fā)生過大缺貨,為了把關(guān)鍵材料掌握在自己手中,島內(nèi)推動兩期半導(dǎo)體先進制程與封裝材料研發(fā)。 第一期2022年完成,共7家業(yè)者開發(fā)深紫外光光阻周邊材料、7到10納米制程用原子層沉積前驅(qū)物、六吋半絕緣碳化硅晶圓等,都完成下游客戶驗證,后續(xù)量產(chǎn)投資34億元。

        島內(nèi)表述補助9家供應(yīng)鏈業(yè)者開發(fā)8項材料,包含深紫外光光阻材料、3到5納米制程原子層沉積前驅(qū)物、干膜光阻材料等,到2024年底結(jié)束。

        法人智庫工研院表示,目前光阻劑都掌握在日本手上,關(guān)鍵材自主計劃希望把周邊材料、配方都改由島內(nèi)生產(chǎn)。 第二期的光阻劑研發(fā)是往更核心材料發(fā)展,像是感光樹脂中的起始劑、添加劑等。

        等到核心光阻劑材料年底驗證完后,工研院說,最快明年廠商就可試量產(chǎn)。 至于供應(yīng)量多少,要看上游、力積電需求,涉及商業(yè)機密,但目標(biāo)是逐步取代從日本進口。

        雖然傳統(tǒng)是成熟制程或至少7納米以上使用,但工研院表示,透過節(jié)點調(diào)整,DUV也可以應(yīng)用到5納米、3納米,只是良率多寡而已,中國大陸就是靠節(jié)點調(diào)整去生產(chǎn)先進制程芯片。

        工研院強調(diào),最終國內(nèi)會走向DUV光阻劑等周邊材生產(chǎn)全部本土化,下一步還會朝EUV周邊材自主化去走,目前極紫外光已經(jīng)有放入前瞻計劃中研發(fā),不過需要時間,還有點遠(yuǎn)。



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