香港在全球半導體行業取得突破，設立下一代氮化鎵晶圓生產線

香港正在設立其首條氮化鎵（GaN）晶圓生產線，這是一種新一代半導體材料，旨在在美中技術競爭加劇的背景下，幫助香港在全球芯片行業占據一席之地。

今年1月在香港成立的MassPhoton正在與政府資助的香港科學園（HKSTP）合作，建立一條8英寸GaN外延晶圓試驗生產線，目標是到2027年實現年產1萬片的生產能力，MassPhoton創始人兼首席執行官廖義森在周二的媒體簡報會上表示。

該公司專注于制造紫外線-C消毒產品，將在香港新晶圓生產線投資2億港元（2560萬美元），并在科學園內建立GaN技術的研發中心，HKSTP周二在聲明中表示。

2024年7月30日，創新科技及工業局局長孫東在第三代半導體GaN外延晶圓試驗生產線啟動儀式上講話。照片：手稿 2024年7月30日，創新科技及工業局局長孫東在第三代半導體GaN外延晶圓試驗生產線啟動儀式上講話。照片：手稿 與傳統的硅基半導體相比，GaN和碳化硅（SiC）是第三代半導體材料，具有更高的能源效率和更小的尺寸優勢。

計劃中的GaN生產線正值香港尋求在全球半導體供應鏈中占據一席之地之際，這是該市在地緣政治緊張局勢加劇背景下，努力成為創新和技術中心的一部分。

去年10月，HKSTP還與中國大陸芯片公司J2 Semiconductor簽署了一份諒解備忘錄，目標是在香港設立首條8英寸SiC晶圓廠和一個新的第三代半導體研發中心。

這家總部位于上海的芯片制造商承諾在該項目中投資69億港元，并計劃到2028年實現每年24萬片晶圓的生產能力，該公司去年10月表示。

美國的出口限制已經切斷了中國獲取一些最先進芯片制造設備的途徑。

“我們對第三代半導體供應鏈的一致性充滿信心，”MassPhoton的廖義森在周五表示。許多大陸的SiC公司已經在全球行業中處于領先地位，他補充道。

香港立法者在5月份批準了28.4億港元的資金，用于政府建立一個半導體研究中心。計劃中的元朗InnoPark微電子中心預計今年開始運營，HKSTP周五表示。

MassPhoton的目標是將其GaN晶圓用于顯示技術、汽車和數據中心等領域，廖義森表示。該公司還計劃在年底前再籌集1億港元的資金，他說。