ASML：EUV光刻機已近極限 追趕技術還是另辟蹊徑？

ASML首席財務官達森（Roger Dassen）表示，EUV技術路線發展受歐美限制，且光刻機已接近技術極限，此一技術路線前景不明。積極尋求突破的中國廠商是持續投入資源突破現有限制進行技術跟隨？還是將資源另辟蹊徑尋找新的技術路徑？將面臨艱難的抉擇。

據《芯智訊》報導，臺積電已經訂購了High NA EUV（高數值孔徑極紫外光）光刻機，ASML與臺積電的商業談判即將結束，預計在第2季度或第3季度開始獲得大量 2nm芯片制造相關設備訂單。ASML預測其設備的市場需求有望一路走強至2026年，這主要是受益于各國政府推動的芯片制造當地化策略。

報導說，High NA EUV光刻機的價格相當昂貴，一臺要價超過3.5億歐元。臺積電業務開發資深副總裁張曉強（Kevin Zhang）日前表示，由于定價過高，臺積電預計于2026年下半量產的A16（1.6nm）制程，不一定需要用到High NA EUV光刻機，這要看如何在經濟與技術間取得最佳的平衡而定。

目前最為積極引入High NA EUV光刻機則是英特爾，其是第一家訂購并完成交付安裝的晶圓制造商，目前英特爾已經開始進行Intel 18A工藝的測試，以積累相關經驗，后續將會被用于Intel 14A的量產。

報導指出，ASML已接獲數十臺High NA EUV光刻機的訂單，其中大部分被英特爾預定，此外三星、臺積電、SK海力士、美光也有訂購。但是由于技術本身和生態系統的復雜性，ASML 認為在可預見的未來，其EUV技術領域不會面臨來自中國光刻設備公司上海微電子（SMEE）或華為的競爭。

根據數據顯示，ASML先進的標準型EUV光刻機就擁有超過10萬個零件，涉及到上游5000多家供貨商。它是所有半導體制造設備中技術含量最高的設備，目前全世界沒有一家企業、甚至可以說沒有一個國家可以獨立完成EUV光刻機的完整制造。

目前ASML仍然是全球唯一的EUV光刻機供貨商，High NA EUV光刻機的發展已經接近當前技術的極限，下一代的0.75 NA的Hyper NA EUV光刻機理論上是可以實現，但是會面臨更多更復雜的技術問題，同時成本也更為驚人。

報導分析說，在ASML現有光刻機技術路線即將走向盡頭的背景之下，對于中國廠商來說在現有技術路線對于ASML之間的差距可能將不會繼續加速擴大，這有利于大陸廠商的技術追趕。

但是，在EUV技術路線發展受歐美限制，且該技術路線前景灰暗的情況下，中國大陸廠商是持續投入資源突破現有限制進行技術跟隨，還是考慮投入資源另辟蹊徑尋找新的技術路徑？將會面臨困難的抉擇。比如佳能去年就推出了面向先進制程的奈米壓印設備，但該技術路線能否成功還有待市場檢驗。