英特爾首席執行官將18A工藝節點定位在臺積電的2納米性能和發布時間之前

英特爾首席執行官將18A工藝節點定位在臺積電的2納米性能和發布時間之前

英特爾首席執行官Pat Gelsinger對其18A工藝表示信心，聲稱它在性能上與臺積電的2納米節點競爭激烈，而且發布時間也更早。

英特爾18A工藝節點采用背面供電和增強硅利用率，據稱在性能和交付方面領先于臺積電的2納米

英特爾首席執行官Pat Gelsinger在團隊藍色最近的AI Everywhere活動上與巴倫報對話，該活動中公司發布了其最新的Meteor Lake處理器。在與該出版物交談時，首席執行官Gelsinger就英特爾的18A工藝提供了最新消息，聲稱在采用先進的供電方法后，它有望超越臺積電的N2（2納米）節點。

我們宣布了18A的兩項重大創新：新的晶體管和背面供電。我認為每個人都在看臺積電的N2晶體管與我們的18A的比較。目前尚不清楚哪一個明顯優于另一個。我們將看到誰更勝一籌。

但是背面供電，每個人都說英特爾做到了。你領先競爭對手幾年。這是強大的。這是有意義的。它為硅提供了更好的面積效率，這意味著更低的成本。它提供了更好的電源傳遞，這意味著更高的性能。所以，我有一個好的晶體管。我有出色的電源傳遞。我認為我在時間上略領先于N2，即臺積電的下一代工藝技術。

帕特·蓋爾辛格（英特爾首席執行官）通過巴倫報

英特爾的18A工藝節點將使用RibbonFET晶體管以及一種新的“PowerVia”傳遞方法，預計將帶來顯著的性能提升。據透露，與20A相比，我們可能會看到18A的代際改進達到10％。有報道稱，ARM可能是英特爾該工藝的第一位客戶，希望將其用于移動SOC，但這目前僅是謠言。

最新的英特爾路線圖顯示，18A將在2024年下半年準備進行風險生產，這超前于計劃。

英特爾鑄造服務在半導體技術方面并沒有在近期取得太多成功，然而，事態似乎正在改變，尤其是在團隊藍色的發展速度方面。不久前，我們報道了英特爾20A工藝的狀態，以及它計劃在2024年首次亮相。英特爾20A將為Arrow Lake客戶CPU提供動力，而18A據說將為未來的客戶、數據中心和鑄造芯片提供廣泛的解決方案。

此外，在向日本媒體展示的演示中，英特爾列出了18A之后的幾個節點，我們還看到了從14納米時代回歸的“+”。至少有三個在18A之后的未來節點被提及，“英特爾Next+”明確提到了使用HiNa EUV光刻技術。預計該節點的生產不會在2025-2026+時間框架之前進行。

即將到來的半導體市場將比以前更加動態，三星鑄造和英特爾等公司將爭奪王位。