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        異質整合突破 應用材料火力支持IC封裝

        作者: 時間:2023-07-18 來源:工商時報 收藏

        目前臺積電先進封裝的制程瓶頸在于硅穿孔(TSV)技術,TSV硅穿孔芯片堆棧并非打線接合,而是在各邏輯芯片鉆出小洞,從底部填充入金屬,使其能通過每一層芯片。再以導電材料如銅、多晶硅、鎢等物質填滿,形成連接的功能,最后將晶圓或晶粒薄化加以堆棧、結合(Bonding),作為芯片間傳輸電訊號用之立體堆棧技術。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202307/448746.htm

        隨著IC設計業者繼續將更多的邏輯、內存和特殊功能芯片整合到先進的2.5D和3D封裝中,每個封裝中的TSV互連導線數量擴展到數千個。為整合更多的互連導線并容納更高的芯片堆棧,需將硅穿孔變得更窄、更高,造成沉積均勻性改變,因而降低了效能,也增加了電阻和功耗。

        高效能運算和人工智能等應用對晶體管的需求以指數級速度成長,傳統的2D微縮速度緩慢且變得更加昂貴,解決產業所面臨的挑戰,使芯片制造商能以新的方式改善芯片的功率、效能、單位面積成本與上市時間。

        (簡稱:應材)為技術最大供貨商,提供芯片制造系統,包括蝕刻、物理/化學氣相沉積、退火與表面處理等設備。幫助半導體業者將各種功能、技術節點和尺寸的小芯片結合到先進封裝中,使組合后的整體可作為單一產品的形式來運作。

        應材指出,本次推出的新系統,包括Producer Avila PECVD電漿輔助化學氣相沉積系統、PVD物理氣相沉積系統,擴大了應材在領域與同業的差距。




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