- 目前臺積電先進封裝CoWoS的制程瓶頸在于硅穿孔（TSV）技術，TSV硅穿孔芯片堆棧并非打線接合，而是在各邏輯芯片鉆出小洞，從底部填充入金屬，使其能通過每一層芯片。再以導電材料如銅、多晶硅、鎢等物質填滿，形成連接的功能，最后將晶圓或晶粒薄化加以堆棧、結合（Bonding），作為芯片間傳輸電訊號用之立體堆棧技術。隨著IC設計業者繼續將更多的邏輯、內存和特殊功能芯片整合到先進的2.5D和3D封裝中，每個封裝中的TSV互連導線數量擴展到數千個。為整合更多的互連導線并容納更高的芯片堆棧，需將硅穿孔變得更窄、更高，
- 關鍵字：
異質整合 應用材料 IC封裝 CoWoS
- 應用材料發布新技術與能力，幫助客戶加速實現異質芯片設計與整合的技術藍圖。應用材料結合先進封裝與大面積基板技術，與產業合作伙伴攜手開發新解決方案，大幅改善芯片功率、效能、單位面積成本與上市時間(PPACt)。 應用材料公司加速異質的設計和整合異質整合讓不同技術、功能與尺寸規格的芯片得以整合在一個封裝中，讓半導體與系統業者獲得前所未有的設計與制造彈性。應用材料公司是全球最大的先進封裝技術供貨商，產品線囊括蝕刻(ETCH)、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、電鍍(ECD)、化學機械研磨(
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應用材料 異質整合
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