“新一輪產業升級，全球進入第三代半導體時代“

隨著物聯網，大數據和人工智能驅動的新計算時代的發展，對半導體器件的需求日益增長，對器件可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛。以碳化硅為代表的第三代半導體開始逐漸受到市場的重視，國際上已形成完整的覆蓋材料，器件，模塊和應用等環節的產業鏈。全球新一輪的產業升級已經開始，正在逐漸進入第三代半導體時代。

碳化硅，作為發展的最成熟的第三代半導體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場等優勢，是制造高壓高溫功率半導體器件的優質半導體材料。已在智能電網，軌道交通，新能源，開關電源等領域得到了應用，展現出了優良的性質和廣闊的發展前景。

國內的碳化硅半導體企業如天科合達，山東天岳，瀚天天成，東莞天域以及中國電科55所，中車時代，楊杰科技等也在碳化硅半導體材料及器件制造方面持續的取得了一些進展，全國范圍也陸續有相關的項目落地，前景可期。

然而目前，國內碳化硅產業發展的痛點還是在產業上游晶圓供應不足，SiC材料成本偏高，設備主要依賴進口，前期投入大等問題，這使得SiC器件目前的市場滲透率還是較低。碳化硅行業領軍企業安森美半導體表示：SiC晶圓生產工藝的改良是降低SiC功率器件成本的根本方法。

第五屆國際碳材料大會---碳化硅半導體論壇將針對新時代下碳化硅半導體行業如何創新突破，晶圓制造工藝設備、產業發展趨勢，功率器件的設計與優化等方向，邀請來自高校，企業，研究機構的專家學者做相關報告，干貨滿滿，為碳化硅產業提供優質的解決方案，解析碳化硅器件應用方向及發展趨勢，促進產業發展。

還有產業博覽會，項目路演，海報展示，圓桌討論等同期活動，全方面實現碳化硅半導體行業的產學研結合，為產業鏈上下游反饋提供平臺。

時間：2020.11.17—11.20

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主辦單位：DT新材料

協辦單位：中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟

承辦單位： 寧波德泰中研信息科技有限公司

話題：1. 全球半導體產業的新變局新形勢

          2. SiC半導體材料、器件市場

          3. 4寸、6寸 SiC晶圓國產化及更大尺寸襯底制備技術

          4. SiC單晶加工設備的研究和發展現狀

          5. SiC PVT長晶技術&HTCVD法的現狀和發展

          6. SiC外延片生長、生產方法

          7. 外延材料加工設備的自主研發進程

          8. 先進制造技術的研究進展，eg: 光刻，薄膜沉積，離子注入等

          9. SiC MOSFET器件技術方面的最新研究進展

          10. 碳化硅功率器件設計及集成技術

          11. 5G+碳化硅半導體應用方向及趨勢

          12. 碳化硅在新能源汽車/太陽能光伏/軌道交通等領域應用技術路線和發展前景