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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅

        碳化硅 文章 最新資訊

        基本半導(dǎo)體子公司注冊資本增至2.1億元

        • 7月9日,深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司子公司——基本封裝測試(深圳)有限公司完成工商變更登記,公司注冊資本從1000萬元大幅增至2.1億元人民幣,由母公司基本半導(dǎo)體和深圳市投控基石新能源汽車產(chǎn)業(yè)私募股權(quán)投資基金合伙企業(yè)(有限合伙)共同注資。此舉標(biāo)志著基本半導(dǎo)體在車規(guī)級碳化硅領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局又邁出重要一步,為后續(xù)研發(fā)創(chuàng)新和產(chǎn)能擴充奠定堅實基礎(chǔ)。戰(zhàn)略資本加持 助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展本次增資得到了深圳市投控基石新能源汽車產(chǎn)業(yè)基金的戰(zhàn)略支持,是對基本半導(dǎo)體在新能源汽車功率器件領(lǐng)域技術(shù)積累和市場優(yōu)勢的充分認可。該基金是
        • 關(guān)鍵字: 基本半導(dǎo)體  碳化硅  車規(guī)級  

        基本半導(dǎo)體完成1.5億元D輪融資,加速碳化硅領(lǐng)域布局

        • 近日,深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司(簡稱“基本半導(dǎo)體”)宣布完成D輪融資,融資金額達1.5億元人民幣。本輪融資由中山火炬開發(fā)區(qū)科創(chuàng)產(chǎn)業(yè)母基金與中山金控聯(lián)合投資,資金將主要用于碳化硅功率器件的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)能擴張以及市場拓展。基本半導(dǎo)體成立于2016年,是一家專注于碳化硅功率器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)。其核心產(chǎn)品包括1200V/20A JBS碳化硅二極管、1200V平面柵碳化硅器件以及10kV/2A SiC PiN二極管等。這些產(chǎn)品以低損耗、高頻率等優(yōu)勢,廣泛應(yīng)用于電動汽車、軌道交通、光伏逆變器和航空航天等領(lǐng)
        • 關(guān)鍵字: 基本半導(dǎo)體  碳化硅  

        據(jù)報道,Wolfspeed 將被 Apollo 領(lǐng)導(dǎo)的債權(quán)人接管,同時競爭對手將迎來機遇

        • 據(jù)路透社援引彭博社報道,在關(guān)于即將破產(chǎn)的傳聞出現(xiàn)近一個月后,Wolfspeed 現(xiàn)在正面臨一次重大動蕩。由 Apollo 全球管理公司領(lǐng)導(dǎo)的債權(quán)人正準備根據(jù)破產(chǎn)計劃接管公司。報道稱,這家陷入困境的碳化硅巨頭預(yù)計將在幾天內(nèi)公布一項預(yù)包裝破產(chǎn)計劃——旨在迅速削減數(shù)十億美元的債務(wù)。在鎖定重組協(xié)議后,Wolfspeed 將要求債權(quán)人就計劃進行投票,然后正式申請第 11 章保護,報道補充道。由意法半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)的對頭將受益根據(jù) TrendForce 的觀察,由于破產(chǎn)程序的不確定性,Wolfspeed 的 Si
        • 關(guān)鍵字: 碳化硅  意法半導(dǎo)體  功率器件  

        中國最大碳化硅工廠點火,可供應(yīng)本地30%需求,Wolfspeed壓力很大

        • 據(jù)當(dāng)?shù)孛襟w《一財全球》和IT之家報道,據(jù)報道,美國碳化硅 (SiC) 巨頭 Wolfspeed 在與快速崛起的中國競爭對手的激烈競爭中徘徊在破產(chǎn)邊緣,中國最大的碳化硅晶圓廠已在武漢正式投產(chǎn),旨在供應(yīng)該國國內(nèi)產(chǎn)量的 30%。YiCai 報告稱,一個 SiC 晶圓模型的車載測試最快將于下個月開始,而另外近 10 個模型已經(jīng)在驗證中。不久之后將進行大規(guī)模生產(chǎn)和交付。IT Home 表示,該工廠的一期重點是功率器件,計劃年產(chǎn) 360,000 片 6 英寸 SiC 晶圓。另一方面,益財國際補充說,這足以支持超過 1
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        利用 SMFA 系列非對稱 TVS 二極管實現(xiàn)高效 SiC MOSFET 柵極保護

        • 引言碳化硅( SiC)MOSFET在電源和電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。隨著功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展,開關(guān)損耗也在不斷降低。隨著開關(guān)速度的不斷提高,設(shè)計人員應(yīng)更加關(guān)注MOSFET的柵極驅(qū)動電路,確保對MOSFET的安全控制,防止寄生導(dǎo)通,避免損壞功率半導(dǎo)體。必須保護敏感的MOSFET柵極結(jié)構(gòu)免受過高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護解決方案,有助于最大限度地延長電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。 柵極驅(qū)動器設(shè)計措施關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動器電路的穩(wěn)健性,有幾個問題值得考慮。除了驅(qū)動器安全切換半導(dǎo)
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        碳化硅何以英飛凌?—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相

        • 全社會都在積極推動低碳化轉(zhuǎn)型,而低碳化的背后其實是電氣化。在 新型電氣能源架構(gòu) 中,相比于從前,一次能源到終端用戶的 能源轉(zhuǎn)換次數(shù)增多 。雖然可再生能源是免費的,但是這種多層級的能源轉(zhuǎn)換,每一步都會帶來一定的能耗損失,因此 追求更高效的能源轉(zhuǎn)化效率至關(guān)重要 。SiC正是功率半導(dǎo)體的 能效提升技術(shù) ,它的出現(xiàn)滿足了低碳化時代兩大全新的市場需求:1能效創(chuàng)新: SiC技術(shù)在光伏、儲能、數(shù)據(jù)中心等大功率電源管理領(lǐng)域,能夠顯著
        • 關(guān)鍵字: 英飛凌  碳化硅  溝槽柵技  

        碳化硅急需開辟電動汽車之外的第二條戰(zhàn)線

        • 電能與智能是現(xiàn)代社會發(fā)展的兩大主題,電能如同工業(yè)文明的血液系統(tǒng),提供物理世界運行的能量基礎(chǔ),智能恰似數(shù)字文明的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),構(gòu)建數(shù)字空間的決策中樞。作為電能轉(zhuǎn)換的智能開關(guān),功率半導(dǎo)體在構(gòu)建現(xiàn)代社會能源體系中發(fā)揮著關(guān)鍵性的樞紐作用,通過對電壓、電流和頻率的精準調(diào)控,功率半導(dǎo)體可以有效地提升電能轉(zhuǎn)換效率。經(jīng)過七十年的發(fā)展,功率半導(dǎo)體經(jīng)歷了兩次大的技術(shù)升級,第一次是以硅基IGBT 和CoolMOS為代表的第二代功率器件替代以可控硅晶閘管和MOSFET為代表的第一代功率器件,由于同屬硅基材料體系,第二代功率器件兼具成
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        碳化硅能效革命核心突破點:共源共柵(cascode)結(jié)構(gòu)詳解

        • 安森美(onsemi)推出的碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管(SiC JFET cascode)在硬開關(guān)與軟開關(guān)應(yīng)用場景中展現(xiàn)出顯著技術(shù)優(yōu)勢。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應(yīng)用指南》系列文檔,通過三篇技術(shù)解析深入剖析器件特性,本文作為開篇之作,將聚焦闡釋cascode結(jié)構(gòu)的核心機理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器件的拓撲架構(gòu),更對關(guān)鍵電參數(shù)、獨特性能優(yōu)勢及設(shè)計支持體系進行全方位解讀,為功率半導(dǎo)體開發(fā)者提供從基礎(chǔ)理論到實踐應(yīng)用的完整技術(shù)指引。Cascode簡介碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET)相比其
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        碳化硅技術(shù)賦能EA10000系列電源的技術(shù)解析與優(yōu)勢對比

        • _____為了減緩氣候變化,人類在非化石燃料和可再生能源解決方案方面取得了顯著進展,交通領(lǐng)域的電氣化進程也在加速推進。這些新興技術(shù)大多對電源提出了更高的要求,尤其是對大功率的需求。例如,電動汽車(EV)的電池包電壓已高達900 VDC以上,容量可達95kWh;快充和超充系統(tǒng)功率更是輕松突破240kW。氫燃料電池堆作為另一種汽車供電技術(shù),其功率可超過500kW,電流高達1000A。市場需求下的挑戰(zhàn)一方面,我們需要擺脫化石燃料,另一方面,全球能耗又在不斷攀升。服務(wù)器農(nóng)場就是一個能源需求更高的例子。為了有足夠的
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        為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?

        • 簡介電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢(圖1),這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角,成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。圖 1:硅器件(Si)與碳化硅(SiC)器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術(shù)?眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術(shù)替代傳統(tǒng)硅技術(shù),基于雙極結(jié)型晶體
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        為什么碳化硅Cascode JFET可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?

        • 簡介電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢(圖1),這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角,成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。特性Si4H-SiCGaN禁帶能量(eV)1.123.263.50電子遷移率(cm2/Vs)14009001250空穴遷移率(cm2/Vs)600100200
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        三安與意法半導(dǎo)體重慶8英寸碳化硅晶圓合資廠正式通線

        • 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡稱ST) ,和中國化合物半導(dǎo)體龍頭企業(yè)(涵蓋LED、碳化硅、光通信、RF、濾波器和氮化鎵等產(chǎn)品)三安光電近日宣布,雙方在重慶設(shè)立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠(即“安意法半導(dǎo)體有限公司”,以下簡稱安意法)現(xiàn)已正式通線。這一里程碑標(biāo)志著意法半導(dǎo)體和三安正朝著于2025年年底前實現(xiàn)在中國本地生產(chǎn)8英寸碳化硅這一目標(biāo)穩(wěn)步邁進,屆時將更好地滿足中國新能源汽車、工業(yè)電源及能源等市場對碳化硅日益增長的需求。三安光電和意法
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        碳化硅與硅:為什么 SiC 是電力電子的未來

        • 在這里,我們比較了碳化硅 (SiC) 與硅以及在汽車和可再生能源等行業(yè)的電力電子中的應(yīng)用。我們將探討硅和碳化硅之間的顯著差異,并了解 SiC 為何以及如何塑造電力電子的未來。硅 (Si) 到碳化硅 (SiC):改變電力電子的未來電力電子技術(shù)在過去幾年中取得了前所未有的進步。硅 (Si) 等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料一直主導(dǎo)著電力電子和可再生能源行業(yè)。然而,碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)徹底改變了這一領(lǐng)域,為卓越的性能和效率鋪平了道路。無與倫比的效率、熱性能和高壓能力使碳化硅成為用于電子和半導(dǎo)體器件的下一代半導(dǎo)體材料。硅與
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        800V與碳化硅成為新能源汽車電驅(qū)的新寵,器件性能與可靠性還有上升空間

        • 1 我國能源汽車已突破1000萬輛,今年將增長24%據(jù)賽迪顧問 2024 年 12 月發(fā)布的數(shù)據(jù)預(yù)測顯示,我國新能源汽車的新車全球市占率有望穩(wěn)居七成以上,我國從汽車大國邁向汽車強國的步伐更加堅實。據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,2024年我國汽車產(chǎn)銷分別完成3128.2萬輛和3143.6萬輛,同比分別增長3.7%和4.5%,繼續(xù)保持在3000萬輛以上規(guī)模,產(chǎn)銷總量連續(xù)16年穩(wěn)居全球第一。其中,新能源汽車產(chǎn)銷首次突破1000萬輛,分別達到1288.8萬輛和1286.6萬輛,同比分別增長34.4%和35.5
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        第 4 代碳化硅技術(shù):重新定義高功率應(yīng)用的性能和耐久性

        • 簡介本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。基于在碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承,Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案,重新定義行業(yè)基準。在第 4 代發(fā)布之前,第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設(shè)計要素的平衡,已在廣泛用例中得到驗證,為硬開關(guān)應(yīng)用的全面性能設(shè)定了基準。市場上的某些廠商只關(guān)注特定品質(zhì)因數(shù)?(FOM),如導(dǎo)通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg,而 Wolfspeed 則采用了一
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        碳化硅介紹

        碳化硅(SiC)為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物,碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。 制造 由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中,以1600至2500°C高溫加熱。 發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里希·艾其遜在1893年制造出此化合物,并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐,至今此技術(shù)仍為眾人使用中。 性質(zhì) 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細 ]

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