臺媒：臺積電2nm制程研發取得突破 將切入GAA技術

【TechWeb】7月13日消息，據臺灣媒體報道，臺積電沖刺先進制程，在2nm研發有重大突破，已成功找到路徑，將切入環繞式柵極技術(gate-all-around，簡稱GAA)技術。

臺積電

臺媒稱，三星已決定在3nm率先導入GAA技術，并宣稱要到2030年超過臺積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位，臺積電研發大軍一刻也不敢松懈，積極投入2nm研發，并獲得技術重大突破，成功找到切入GAA路徑。

臺積電負責研發的資深副總經理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發工程師全心投入。

臺積電3nm制程預計明年上半年在南科18廠P4廠試產、2022年量產，業界以此推斷，臺積電2nm推出時間將在2023年到2024年間。

臺積電今年4月曾表示，3nm仍會沿用FinFET（鰭式場效應晶體管）技術，主要考慮是客戶在導入5nm制程后，采用同樣的設計即可導入3nm制程，可以持續帶給客戶有成本競爭力、效能表現佳的產品 。

臺積電成立于1987年，是全球最大的晶圓代工半導體制造廠，客戶包括蘋果、高通等等。其總部位于臺灣新竹的新竹科學工業園區。臺積電公司股票在臺灣證券交易所上市，股票代碼為2330，另有美國存托憑證在美國紐約證券交易所掛牌交易，股票代號為TSM。