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        臺媒:臺積電2nm制程研發取得突破 將切入GAA技術

        • 【TechWeb】7月13日消息,據臺灣媒體報道,臺積電沖刺先進制程,在2nm研發有重大突破,已成功找到路徑,將切入環繞式柵極技術(gate-all-around,簡稱GAA)技術。臺積電臺媒稱,三星已決定在3nm率先導入GAA技術,并宣稱要到2030年超過臺積電,取得全球邏輯芯片代工龍頭地位,臺積電研發大軍一刻也不敢松懈,積極投入2nm研發,并獲得技術重大突破,成功找到切入GAA路徑。臺積電負責研發的資深副總經理羅唯仁,還為此舉辦慶功宴,感謝研發工程師全心投入。臺積電3nm制程預計明年上半年在南科18廠
        • 關鍵字: 臺積電  2nm制程  GAA技術  
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        2nm制程介紹

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