- 【TechWeb】7月13日消息，據臺灣媒體報道，臺積電沖刺先進制程，在2nm研發有重大突破，已成功找到路徑，將切入環繞式柵極技術(gate-all-around，簡稱GAA)技術。臺積電臺媒稱，三星已決定在3nm率先導入GAA技術，并宣稱要到2030年超過臺積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位，臺積電研發大軍一刻也不敢松懈，積極投入2nm研發，并獲得技術重大突破，成功找到切入GAA路徑。臺積電負責研發的資深副總經理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發工程師全心投入。臺積電3nm制程預計明年上半年在南科18廠
- 關鍵字：
臺積電 2nm制程 GAA技術
gaa技術介紹
您好，目前還沒有人創建詞條gaa技術!
歡迎您創建該詞條，闡述對gaa技術的理解，并與今后在此搜索gaa技術的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
