密恐慎入！世界上晶體管密度最高的晶圓首次亮相
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在 9 月 19 日于北京舉行的英特爾精尖制造日上，英特爾在其展示區(qū)域和主題演講上展示了五款晶圓。
本文引用地址：http://www.104case.com/article/201709/364543.htm這是英特爾首次公開展示這五款晶圓，彰顯了我們在制造領域取得的巨大進步。
五款全球首次展出晶圓
英特爾 10 納米Cannonlake
英特爾 10 納米 Arm 測試芯片
英特爾 22FFL
14 納米展訊 SC9861G-IA
14 納米展訊 SC9853
英特爾 Cannonlake 10 納米
英特爾 10 納米制程工藝:
? 不僅擁有全球最密集的晶體管和金屬間距，還采用了超微縮特性，這兩大優(yōu)勢保證了密度的領先性
? 比競爭友商的“10 納米”技術領先了整整一代
? 計劃于 2017 年下半年開始生產
? 超微縮可釋放出多模式方案的全部價值，使得英特爾得以繼續(xù)摩爾定律的經濟效益
英特爾 10 納米Cannonlake
英特爾與Arm在10nm的合作
取得了長足的進步：
1. 英特爾 10nm CPU測試芯片流片具有先進的Arm CPU核， 使用行業(yè)標準的設計實現, 電子設計自動化 (EDA) Place and Route工具和流程 ,性能高達3GHz以上
2. ARM同時正在開發(fā)高性能存儲器、邏輯單元和CPU POP套件，以進一步擴展下一代ARM CPU在英特爾10nm技術上的性能水平
ARM Cortex A75: Intel 10nm 測試芯片
? 在12周內從RTL 至首次 Tape Out
? 標準英特爾10nm工藝
? 最新的軟件測試結果 > 3.3GHz
? 250uW/MHz
英特爾 10 納米 Arm 測試芯片
英特爾10納米制程：
通過超微縮技術實現業(yè)界最高的邏輯晶體管密度
英特爾10納米工藝采用第三代 FinFET(鰭式場效應晶體管)技術，相比其他所謂的“10納米”,英特爾10納米預計將會領先整整一代。英特爾10 納米工藝使用的超微縮技術 (hyper scaling)，充分運用了多圖案成形設計 (multi-patterning schemes)，并助力英特爾延續(xù)摩爾定律的經濟效益，從而推出體積更小、成本更低的晶體管。英特爾10納米制程將用于制造英特爾全系列產品，以滿足客戶端、服務器以及其它各類市場的需求。
英特爾10納米制程的最小柵極間距從70納米縮小至54納米，且最小金屬間距從52納米縮小至36納米。尺寸的縮小使得邏輯晶體管密度可達到每平方毫米1.008億個晶體管，是之前英特爾14納米制程的2.7倍，大約是業(yè)界其他“10納米”制程的2倍。
相比之前的14納米制程，英特爾10納米制程提升高達25%的性能和降低45%的功耗。相比業(yè)界其他所謂的“10 納米”，英特爾10納米制程也有顯著的領先性能。全新增強版的10 納米制程——10++，則可將性能再提升15%或將功耗再降低30%。
英特爾晶圓代工業(yè)務通過兩個設計平臺——10GP(通用平臺)和 10HPM(高性能移動平臺)，向客戶提供英特爾10納米制程。這兩個平臺包括已驗證的廣泛硅IP組合、ARM 庫和 POP 套件，以及全面整合的一站式晶圓代工服務和支持。
英特爾22FFL(FinFET 低功耗)平臺
卓越集成能力
一流的 CPU 性能，主頻超過 2 GHz
超低功耗，漏電率降低 100 倍
22 納米+ 制程，每平方毫米 1,780 萬個晶體管
全面的 RF 設計支持
快速上市速度
行業(yè)最易使用的 FinFET 制程
成熟生產平臺，具備業(yè)經驗證的 22/14 納米特性
經過芯片驗證的移動/物聯(lián)網 IP 組合
Arm 庫和 POP 套件
英特爾架構處理器 IP 套件
交鑰匙代工服務與支持
Cost-effective的設計
與業(yè)界28納米的平面(planar)工藝相比在成本上極具競爭力
單模式互聯(lián)和寬泛的 DFM 規(guī)則
無復雜的襯底偏壓要求
理想應用
入門級/經濟型智能手機
車載
可穿戴設備
英特爾22FFL(FinFET 低功耗)平臺
英特爾22納米FinFET低功耗(22FFL)技術：
面向主流市場的FinFET技術
英特爾自2011年發(fā)布代號為Ivy Bridge的處理器以來，一直在量產22納米FinFET(鰭式場效應晶體管)，而隨著2014年代號為Broadwell的處理器發(fā)布，第二代14納米FinFET也開始量產。基于多年22納米/14納米的制造經驗，英特爾推出了稱為22FFL(FinFET低功耗)的全新工藝。該工藝提供結合高性能和超低功耗的晶體管，及簡化的互連與設計規(guī)則，能夠為低功耗及移動產品提供通用的FinFET設計平臺。
與先前的22GP(通用)技術相比，全新22FFL技術的漏電量最多可減少100倍。22FFL工藝還可達到與英特爾14納米晶體管相同的驅動電流，同時實現比業(yè)界28納米/22納米平面技術更高的面積微縮。
22FFL工藝包含一個完整的射頻(RF)套件，并結合多種先進的模擬和射頻器件來支持高度集成的產品。借由廣泛采用單一圖案成形及簡化的設計法則，使22FFL成為價格合理、易于使用可面向多種產品的設計平臺，與業(yè)界的28納米的平面工藝(Planar)相比在成本上極具競爭力。
22FFL器件：
? 高性能晶體管
? 低1/F噪聲
? 超低漏電晶體管
? 深N阱隔離
? 模擬晶體管
? 精密電阻
? 高壓I/O晶體管
? MIM(金屬-絕緣體-金屬)電容
? 高壓功率晶體管
? 高阻抗襯底
迄今為止，英特爾已交付超過700萬片FinFET晶圓，22FFL工藝充分利用這些生產經驗，達到了極高的良品率。
英特爾晶圓代工業(yè)務(Intel Custom Foundry)通過平臺向客戶提供22FFL工藝，該平臺包含多種已驗證的硅IP組合以及全面集成的一站式晶圓代工服務和支持。
激動人心的22FFL新技術適用于低功耗的物聯(lián)網和移動產品，它將性能、功耗、密度和易于設計的特性完美結合。
經過展訊驗證的
英特爾晶圓代工業(yè)務 14 納米平臺
展訊的 SC9861G-IA 和 SC9853I 移動 AP 均使用英特爾的 14 納米低功耗平臺制造而成。
這兩款移動 AP 分別于 2017 年 3 月和 8 月推出，同時還使用了英特爾 Airmont CPU 架構
英特爾的 14 納米平臺適用于制造需要高性能和低漏電功耗的產品
第二代 FinFET 技術
行業(yè)領先的 PPA，每平方毫米 3,750 萬個晶體管
一流的 CPU 性能，主頻超過 2.5 GHz
快速上市速度
業(yè)經驗證的 14 納米 HVM(大規(guī)模量產)技術
經過芯片驗證的移動/網絡 IP 組合
交鑰匙代工服務與支持
兩個平臺滿足您的全部產品需求
通用 (GP)
低功耗 (LP)
理想應用
主流移動
數據中心
經過展訊驗證的
英特爾晶圓代工業(yè)務 14 納米平臺
英特爾 14 納米制程：
打造極速、節(jié)能產品
英特爾14納米制程采用第二代 FinFET 技術，提升性能并降低漏電功耗，從而支持一系列廣泛的產品。英特爾14納米制程正處于量產階段，用于制造包括高性能服務器、FPGA以及低功耗個人計算設備、移動設備、調制解調器和物聯(lián)網設備在內的各類產品。
14 納米制程的晶體管鰭片更高、更薄且更加密集，從而提升了密度和性能。這些改進的晶體管需要的鰭片數量更少，進一步提升了制程的總體密度。晶體管柵極間距從90納米縮小至70納米，最小互連間距從80納米縮小至 52 納米，從而讓晶體管密度到達每平方毫米 3,750 萬個晶體管的標準。通過采用超微縮技術，英特爾14納米制程相比之前的 22 納米制程實現了非常顯著的微縮，其中邏輯單元面積微縮為此前的37%，晶片尺寸微縮超過此前的一半。
相比于業(yè)界其他的14/16/20納米制程，英特爾14納米制程的密度是它們的約1.3倍，這極大降低了單個晶體管成本(CPT)。業(yè)界的“10 納米”制程預計于2017年的某個時段出貨，而其晶體管密度僅與2014年便已開始出貨的英特爾14納米制程相當。
14 納米制程超微縮的一個關鍵因素是引入自校準雙圖案成形 (SADP)，相比業(yè)界的曝光-蝕刻-曝光-蝕刻 (LELE) 方法，它在晶體管密度和良品率上更有優(yōu)勢。
英特爾不斷改進14納米制程的性能和功效。14 納米制程的持續(xù)優(yōu)化使其性能比最初的14 納米制程可以提升多達 26%，也可以在相同性能下降低50%以上的有效功耗。英特爾14+制程的性能比最初的14納米制程提升了12%，而英特爾14++制程在此基礎上又將性能提升了24%，超過業(yè)界最佳的其他14/16納米制程20%。
英特爾14納米制程還包含一整套可支持并增強各種產品設計的器件。這些器件包括高阻襯底、高 Q 電感器、高密度 DeCaps、深N阱(Deep Nwell)、精密電阻器、低漏電功耗及長 L 晶體管，以及射頻晶體管模板和建模。
英特爾14納米制程正在美國俄勒岡州、亞利桑那州和愛爾蘭的工廠進行量產，迄今已出貨 4.734 億件。英特爾代工業(yè)務通過兩個設計平臺——14GP(通用)和 14LP(低功耗)，向客戶提供英特爾14納米制程。這兩個平臺包括廣泛的硅驗證IP組合以及全面集成的交鑰匙代工服務和支持。
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