Brewer Science 為領先制造廠商提供關鍵性的半導體材料

　　Brewer Science, Inc. 很榮幸宣布參加 2017 年的 SEMICON Taiwan。公司將與業界同仁交流臺灣半導體制造趨勢的見解，內容涵蓋前端和后端的材料，以及次世代制造的流程步驟。

　　今日的消費性電子產品、網絡、高效能運算 (HPC) 和汽車應用皆依賴封裝為小型尺寸的半導體裝置，其提供更多效能與功能，同時產熱更少且操作時更省電。透過摩爾定律推動前端流程開發，領先的代工和整合組件制造商(IDM) 持續不斷挑戰裝置大小的極限，從 7 納米邁向 3納米。同時，眾所期待由外包半導體組裝和測試 (OSAT) 公司開發的創新先進封裝方法，提供了另一種實現這些需求的強大方法。

　　Brewer Science 明白產業需要透過先進節點邏輯和內存才能達到的高度運算能力，以及需要先進封裝創新的異質整合功能。公司已投資開發專門材料和制程來支持這兩者，包括針對扇出型封裝 (FO) 和 3D IC 制程的健全暫時性貼合/剝離材料和制程的組合，到用于先進微影制程的 EUV 和 DSA 材料。

　　臺灣的半導體制造產業致力于先進節點微影，以及先進晶圓級封裝的高量制造 (HVM)。此外，這個地區擁有強大的顯示器產業基礎設施，因此具備執行面板級進階封裝制程的優勢。

　　Brewer Science 總裁兼首席執行官 Terry Brewer 博士說道：「臺灣的先進代工、研究機構和 OSAT 一向被視為半導體制造的領導者。我們致力于支持臺灣從設備設計到高量制造的創新。透過先進的材料組和制程，解決前端硅和后端先進晶圓級封裝架構中的供應鏈需求。」

　　后端趨勢

　　有關晶圓和面板級的 FO 架構的討論，兩者皆主要著重于系統級封裝和異質整合應用的封裝領域。焦點在于已應用在生產上將近 9 年的芯片優先方法，以及目標為更先進架構的 RDL 優先方法。兩者都必須在相同封裝中容納更多晶粒，但這會使得壓力增加并造成晶圓彎曲。因此在整個制程中需要暫時性載體支持。此外，雖然尚未納入制造中，OSAT 正在為 FO 面板級制程 (FO-PLP) 做準備。

　　采用這些方法引發了對雷射分離剝離方法的興趣，該方法適用于 RDL 優先和 FO-PLP 的玻璃基板支持制程。Brewer Science 的最新一代剝離材料就是專為雷射分離而設計。

　　Brewer Science 副首席技術官 Jim Lamb 博士說道，「在臺灣，我們正跟研究機構和 OSAT 密切合作，在 FO 的所有方法以及 2.5D 和 3D 整合架構中采用我們的晶圓級和面板級貼合材料?！?/p>

　　前端趨勢

　　現在領先的制造技術為 10 納米，尺寸在 10 納米以內，而且在不久的將來也將實現極紫外線 (EUV) 微影制程。許多公司已致力于發展超越 3 納米。

　　讓材料自行形成微影圖案的定向自組裝技術 (DSA)，是輔助 EUV 的微影模式轉變。DSA 最適合具有多重、重復、普通精細間距特征的裝置，無需額外光罩即可達到 30 納米特征尺寸。EUV 可用于在晶圓上繪制分辨率較低的特征，并制作后續 DSA 沉積的間隔物。

　　Lamb 表示，「雖然仍在發展階段，不過 DSA 目標是在兩年內準備好進行生產。結合 DSA 和 EUV 共同為 IDM 和代工提供相輔相成的優勢，以提升其制造能力。臺灣制造商正引領未來，努力不斷地擴展融合 DSA 和 EUV 的技術。」