走近大陸晶圓代工龍頭 全面解讀中芯國際

　　中芯國際已經構建相對完整的代工制造平臺。從工藝技術角度看，中芯國際引入了8代工藝技術，分別是28nm、40nm、65/55nm先進邏輯技術;90nm、0.13/0.11μm、0.18μm、0.25μm、0.35μm成熟邏輯技術以及非揮發性存儲器、模擬/電源管理、LCD驅動IC、CMOS微電子機械系統等產品線。特別是在28nm工藝上，中芯國際現在仍是中國大陸唯一能夠為客戶提供28nm制程服務的純晶圓代工廠。此外，對于更先進的14nm工藝制程，中芯國際也一直在持續開發。

　　2014到2015各工藝制程收入占比

　　成熟工藝，中芯國際的護城河

　　成熟制程制程是指90nm， 0.13/0.11μm， 0.18μm， 0.25μm， 0.35μm以及公司獨有的SPOCULL。2015Q1-2016Q2年期間，成熟邏輯技術業務收入占比55%以上，是公司主要業務來源，為公司業績提供了安全邊際。

　　成熟邏輯制程收入占比

　　現在的成熟邏輯技術包括了90nm， 0.13/0.11μm， 0.18μm， 0.25μm， 0.35μm，我們來看一下中芯在上面的布局。

　　1)90nm

　　中芯國際的300毫米晶圓廠已有多個90納米工藝的產品進入大規模的生產，中芯國際擁有豐富的制程開發經驗，可向全球客戶提供先進的90納米技術。中芯90納米制程采用Low-k材質的銅互連技術，生產高性能的元器件。

　　利用先進的12英寸生產線進行90納米工藝的生產能確保成本的優化，為客戶未來技術的提升提供附加的資源。同時，中芯90納米技術可以滿足多種應用產品如無線電話，數字電視，機頂盒，移動電視，個人多媒體產品，無線網絡接入及個人計算機應用芯片等對低能耗，卓越性能及高集成度的要求，此外，中芯國際的90納米技術可以為客戶量身定做，達到各種設計要求，包括高速，低耗，混合信號，射頻以及嵌入式和系統集成等方案。

　　在90納米技術上，中芯國際向客戶提供生產優化的方案，以期竭盡所能地為客戶產品的性能的提升，良率的改善和可靠性的保證提供幫助。對于90納米相關的單元庫，IP及輸入/輸出接口等可通過中芯國際的合作伙伴獲得。

　　2)0.13/0.11μm

　　中芯國際的0.13微米制程采用全銅制程技術，從而在達到高性能設備的同時，實現成本的優化。中芯國際的0.13微米技術工藝使用8層金屬層寬度僅為80納米的門電路，能夠制作核心電壓為1.2V以及輸入/輸出電壓為2.5V或3.3V的組件。中芯國際的高速、低電壓和低漏電制程產品已在廣泛生產中。中芯國際通過標準單元庫供應伙伴，提供0.13微米的單元庫，內存編譯器，輸入輸出接口和模擬IP。

　　0.13/0.11μm性能優異。和0.15微米器件的制程技術相比，中芯國際的0.13微米工藝能使芯片面積縮小25%以上，性能提高約30%。與0.18微米制程技術比較，芯片面積更可縮小超過50%，而其性能也提高超過50%。

　　3)0.18μm

　　中芯的0.18微米為消費性、通訊和計算機等多種產品應用提供了在速度、功耗、密度及成本方面的最佳選擇。此外，它也在嵌入式內存、混合信號及CMOS射頻電路等應用方面為客戶提供靈活性的解決方案及模擬。此工藝采用1P6M(鋁)制程，特點是每平方毫米的多晶硅門電路集成度高達100，000門以及有1.8V、3.3V和5V三種不同電壓，供客戶選擇。中芯國際在0.18微米技術節點上可提供低成本、經驗證的智能卡、消費電子產品以及其它廣泛的應用類產品。

　　公司的 0.18微米工藝技術包括邏輯、混合信號/射頻、高壓、BCD、電可擦除只讀存儲器以及一次可編程技術等。這些技術均有廣泛的單元庫和智能模塊支持。目前0.18um工藝產品仍然是公司業務收入的主體來源。

　　0.18um工藝產品收入占比

　　4) 0.25μm

　　中芯國際的0.25微米技術能實現芯片的高性能和低功率，適用于高端圖形處理器、微處理器、通訊及計算機數據處理芯片。中芯國際同時提供0.25微米邏輯電路和3.3V和5V應用的混合信號/CMOS射頻電路。

　　5)0.35μm

　　中芯提供成本優化及通過驗證的0.35微米工藝解決方案，可應用于智能卡、消費性產品以及其它多個領域。中芯國際的0.35微米制程技術包括邏輯電路，混合信號/CMOS射頻電路、高壓電路、BCD、 EEPROM和OTP芯片。這些技術均有廣泛的單元庫和智能模塊支持。

　　SPOCULL

　　SPOCULLTM是中芯國際的一種特殊工藝技術。SPOCULLTM中包括兩個工藝平臺： 95HV和95ULP。95HV主要是支持顯示驅動芯片相關的應用，而95ULP主要支持物聯網相關方面的應用。The SPOCULLTM技術提供了在8寸半導體代工技術中最高的器件庫密度和最小的SRAM。同時SPOCULLTM技術還具有極低的漏電流，低功耗和低寄生電容的優秀的半導體晶體管特性。

　　SPOCULLTM工藝平臺和技術

　　另外，中芯國際還有65/55nm工藝，這種融合高性能低功耗、仍是主力工藝平臺。

　　中芯國際65納米/55納米邏輯技術具有高性能，節能的優勢，并實現先進技術成本的優化及設計成功的可能性。65/55nm仍然是主力工藝平臺、2014-2015年收入占比均維持在24%。 65/55nm技術工藝元件選擇包含低漏電和超低功耗技術平臺。此兩種技術平臺都提供三種閾值電壓的元件以及輸入/輸出電壓為1.8V， 2.5V和 3.3V的元件，而形成一個彈性的制程設計平臺。此技術的設計規則、規格及SPICE模型已完備。55納米低漏電/超低功耗技術和65納米低漏電技術重要的單元庫已完備。

　　中芯國際65nm/55nm技術平臺進展和規劃

　　中芯國際65納米/55納米射頻/物聯網的知識產權組合能夠支持無線局域網、全球定位系統、藍牙、近距離無線通訊和ZigBee有關的產品應用。特別是已有的嵌入式閃存和射頻技術，使中芯國際55納米無線解決方案能很好的符合與物聯網有關的無線連接需求。

　　65nm/55nm無線連接知識產權組合