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        基于電容檢測(cè)芯片的電容檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

        作者: 時(shí)間:2010-08-09 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        3.2 上位機(jī)軟件設(shè)計(jì)
        采用VC++6.0軟件和C++語(yǔ)言編寫(xiě)系統(tǒng)的上位機(jī)軟件。軟件功能主要包括設(shè)置參數(shù),與下位機(jī)通信,數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)圖形化顯示、存儲(chǔ)和讀取等。上位機(jī)軟件界面如圖4所示。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/180631.htm

        4 精度測(cè)試與分析
        進(jìn)行測(cè)試前,首先應(yīng)對(duì)電路的初始輸出進(jìn)行校準(zhǔn)。方法如下:將CSl、CS2設(shè)置為O,使用用高精度電壓表對(duì)MS3110輸出電壓進(jìn)行測(cè)量,輸出為O.497 192 V,將式(1)中的VREF修正為0.497192 V。
        在電路板CS2IN位置上焊接一個(gè)1.8 pF多層陶瓷,用于模擬外部內(nèi)部可調(diào)CS2由O逐步步進(jìn)到342 fF,以模擬電容的變化,步進(jìn)值為19 fF。具體寄存器參數(shù)設(shè)置如下:CSl設(shè)為O,為CF設(shè)9.728 pF,可調(diào)增益GAIN設(shè)置為2,V2P25設(shè)為2.25 V,其他參數(shù)均取手冊(cè)推薦值。通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)得,當(dāng)CS2取O時(shí),測(cè)量值為1.960 021 pF。與電容標(biāo)稱(chēng)值的差異主要是由電容本身容差與電路的分步電容引起的。由式(1)可得:
        CS2=(Vout-VREF)CF/(GAIN×V2P25×1.14) (2)
        代入具體數(shù)值可得:
        CS2=(Vout-0.497 192)×9.728/5.13 (3)
        其中,Vout=(采樣值/4 095)×2.25。精度測(cè)試實(shí)驗(yàn)結(jié)果如表1所列(實(shí)測(cè)容值為10次測(cè)量的均值)。


        測(cè)試結(jié)果表明,該電容式系統(tǒng)具有較高的精度,平均誤差僅為0.879 fF,最大絕對(duì)誤差小于1.6 fF。由于MSP430F149集成的轉(zhuǎn)換器為12位,當(dāng)CF取9.728 pF時(shí),系統(tǒng)對(duì)電容的分辨率只有1.042fF。可見(jiàn),轉(zhuǎn)換器的分辨率是制約精度的重要因素。在對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行改進(jìn)時(shí),可考慮采用更高位數(shù)的A/D轉(zhuǎn)換器。

        結(jié)語(yǔ)
        本文基于電容檢測(cè)MS3110設(shè)計(jì)了一款電容式傳感器,給出了設(shè)計(jì)要點(diǎn)和需要注意的問(wèn)題。該系統(tǒng)具有較高的測(cè)試精度,可用于電容式傳感器檢測(cè)與研發(fā)。


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