美國高通公司率先采用TSMC28HPM先進工藝

　　美國高通公司與TSMC日前共同宣布，高通公司全資子公司高通技術公司將率先采用TSMC28納米高效能行動運算工藝(28nm High Performance Mobile, 28HPM)量產芯片，TSMC28納米高效能行動運算工藝亦領先業界支持頻率2GHz以上具備低功耗優勢的應用處理器，滿足平板計算機及高階智能型手機應用的需求。

　　高通首款利用28納米高效能行動運算工藝量產之芯片是采用Krait 400 CPU架構頻率高達2.3GHz的驍龍 800系列(SnapdragonTM 800) 四核心處理器，專為低耗電應用產品量身打造，同時，此款處理器亦是全球首顆整合第四代先進長期演進技術(LTE-Advanced)調制解調器載波聚合功能與Category 4數據傳輸速率高達150Mbps的系統單芯片，相較于前幾代處理器，高通技術公司藉由降低漏電與操作功耗來大幅提升驍龍800系列處理器整體的功耗效率及指令周期。

　　TSMC28納米高效能行動運算工藝擁有高效能、低功率的優勢，不僅適用于各類行動運算產品，亦廣泛支持應用處理器、內建高通Gobi多頻調制解調器功能之應用處理器、以及云端網通產品，該工藝支持頻率達2-2.3GHz之中央處理器，每顆核心所消耗的功率低于750毫瓦，相較于TSMC的40納米低耗電工藝(40LP)，28納米高效能行動運算工藝之速度增快2.5至2.7倍，而且操作功耗減半。

　　高通技術公司執行副總裁兼總經理Jim Lederer表示：「采用TSMC28納米高效能行動運算工藝使高通的驍龍800系列處理器得以提供業界領先的效能并在電池使用壽命上發揮絕佳的表現，透過與TSMC密切的合作，該工藝能夠讓高通驍龍800系列處理器在平板計算機及高階智能型手機解決方案上實現最大的效益，同時，雙方亦持續合作尋求事業與策略目標的謀合，彰顯伙伴關系所帶來的價值。」

　　TSMC美國子公司總經理Rick Cassidy表示：「高通技術公司發揮其世界級架構平臺的優勢，并且憑借著在28納米設計領域的高熟稔度來實現高階智能型手機使用者所需具有突破性的2.3GHz效能與功耗特性，高通技術公司率先量產28納米高效能行動運算工藝產品的這項成就令人贊賞，我們也恭賀該公司在行動裝置市場持續保持領先的地位?！?/p>