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        細分半導(dǎo)體設(shè)備市場

        作者: 時間:2010-09-16 來源:SST 收藏

          代工,2011與2010年相比下降20%。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/112700.htm

          全球頂級代工的產(chǎn)能利用率將在Q42010至Q12011看到季節(jié)性減弱。Muse認為,臺積電在fabless, 如Nvidia等減少訂單的影響下, 所以其2011年投資下降30%。臺積電CEO Morris張可能轉(zhuǎn)變投資策略, 這可能是受宏觀經(jīng)濟大環(huán)境的影響。對于聯(lián)電因受Xilinx的訂單轉(zhuǎn)向三星及臺積電的影響而下降投資。在另一方面,三星LSI將繼續(xù)增加投資, 及GlobalFoundries的投資可能小幅下降。

          DRAM 2011與2010年相比下降15%。

          因為DRAM的價格持續(xù)波動, 預(yù)計直到Q1 2011仍是季節(jié)性的弱勢。尤其是頂級供應(yīng)商如Samsung,Hynix及Micron都希望軟著陸。隨著它們加快采用4x技術(shù), 其中1-2家的DDR3成本可能首先突破1美元/Gb。Micron將減少DRAM投資(Nanya/Inotera的產(chǎn)能利用率不高), 但是Elpida/Rexchip/Powerchip的投資仍保持在2010年水平。在二線DRAM競爭者的積極投資推動下三星將繼續(xù)跟進投資。



        關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 存儲器

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