超越英特爾　臺積電調(diào)升資本支出至59億美元

　　看好半導體后市，晶圓代工廠臺積電加碼投資，在29日法說會中，宣布將2010年資本支出由原訂的48億美元，調(diào)高至59億美元，超越英特爾(Intel)的52億美元，僅次于韓國三星電子(Samsung Electronics)的228.8億美元，董事長張忠謀亦將2010年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)成長預估值上修至40%。

　　針對市場憂慮晶圓廠積極擴充產(chǎn)能，將使得2011年有產(chǎn)能過剩的疑慮，張忠謀重申，臺積電向來是依客戶的需求擴充產(chǎn)能，而非先擴充產(chǎn)能才找客戶。張忠謀并指出，2010年全球半導體產(chǎn)值可望年增3成，維持先前預估不變，全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)成長預估值自原預估的36%，上修至40%。

　　張忠謀表示，在59億美元的資本支出，其中58億美元用于投資晶圓廠，另外1億美元將用來投資新事業(yè)。他進一步指出，用于投資晶圓廠的58億美元中，79%用來擴充65奈米、40奈米及28奈米制程，13%用來投資超越摩爾定律(More-than-Moore)的新制程技術，另外8%用于研發(fā)。

　　為加速擴充產(chǎn)能，臺積電2010年擴充竹科晶圓12廠(Fab12)與南科晶圓14廠(Fab14)兩座超大型晶圓廠的產(chǎn)能擴充，目前Fab12與Fab14合計月產(chǎn)能產(chǎn)能已超過20萬片約當12寸晶圓，預計年底將擴充至24萬片。位于中科的12寸超大型晶圓廠(GIGAFAB)晶圓15廠(Fab15)也于7月中動土，未來單月產(chǎn)能可望達到10逾萬片。

　　臺積電財務長何麗梅表示，臺積電第2季資本支出16.57億美元，累計上半年資本支出達31.01億美元。第2季總產(chǎn)能已擴增至274.9萬片8寸約當晶圓，較第1季增加7.1%，下半年產(chǎn)能將持續(xù)擴增，預期第3季總產(chǎn)能將較第2季增加7%，第4季產(chǎn)能將再增加3.5%。

　　何麗梅指出，在加速產(chǎn)能擴充計畫后，2010年總產(chǎn)能將達1129.9萬片8寸約當晶圓規(guī)模，將較2010年增加14%，增加幅度將較原預估的13%高。其中，先進制程產(chǎn)能將增加36%，也將較原預估的35%高。

　　在新事業(yè)方面，張忠謀指出，臺積電日前投資太陽能電池廠茂迪，2010年也宣布投資美商Stion，取得銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能技術，他也透露，位在中科規(guī)劃的CIGS薄膜太陽能電池廠，預計于8月或9月動工。另外新竹的LED廠，則預計于年底前開始將設備進廠。

　　針對鴻海投資臺灣的相關議題，張忠謀并未回應，不過他也強調(diào)，臺灣的投資環(huán)境絕對沒有變，而且臺積電在臺中、臺南、新竹都有投資計畫，另外還有LED廠與即將動土的太陽能廠。