事關半導體產業,上海打出“組合拳”
近日,在2025上海寬禁帶與超寬禁帶#半導體產業 創新發展推進會上,上海市“超寬禁帶半導體未來產業集聚區”在臨港新片區啟動建設,并同步推出多項戰略舉措。
●上海市寬禁帶與超寬禁帶半導體材料重點實驗室揭牌
●臨港新片區發布十條支持寬禁帶與超寬禁帶半導體產業發展政策
●超寬禁帶半導體概念驗證中心、集成電路材料概念驗證中心啟動建設
●寬禁帶與超寬禁帶產業基金矩陣正式發布
●超寬禁帶半導體創新發展聯盟發起成立
具體來看,上海市寬禁帶與超寬禁帶半導體材料重點實驗室由上海天岳半導體材料有限公司聯合中國科學院上海光學精密機械研究所共同籌建,致力于打通科技創新和產業化雙向鏈接通道,支撐國家低碳戰略、數字經濟可持續發展。
超寬禁帶半導體概念驗證中心和集成電路材料概念驗證平臺將依托臨港新片區產業布局優勢,重點推進技術可行性與商業潛力驗證,幫助項目快速突破早期技術驗證到產業轉化的瓶頸,加速技術研發和成果產業化。
寬禁帶與超寬禁帶產業基金矩陣由上海市未來產業基金、新微資本、中科創星、華業天成、凱風創投、臨創司南基金等9家機構組成,以“耐心資本”姿態為行業發展提供全方位支持。
上海市超寬禁帶半導體創新發展聯盟集聚全國相關領域高校、科研院所及企業,構建研發、生產、資本深度融合的產業技術創新體系,引領上海寬禁帶與超寬禁帶半導體產業集聚協同發展。
據“上??萍肌苯榻B,此次超寬禁帶半導體未來產業集聚區落子臨港新片區,旨在發揮臨港新片區產業與資源稟賦,深化市區聯動,在關鍵技術攻關、應用場景建設、公共技術平臺建設等方面加強政策支撐,持續推動創新鏈、產業鏈、資金鏈和人才鏈的深度融合,加速形成更適宜寬禁帶與超寬禁帶半導體產業培育壯大的創新生態。
01寬禁帶與超寬禁帶半導體:下一代電子器件的材料革命
寬禁帶與超寬禁帶半導體是兩類具有顯著性能優勢的新型半導體材料,在高溫、高頻、高功率和光電子等領域展現出巨大潛力。
其中,寬禁帶半導體是禁帶寬度(Eg)介于2-4 eV的半導體材料,以碳化硅和氮化鎵為典型代表,具有高擊穿場強、高熱導率、高頻特性,主要被應用于逆變器、充電樁、工業電機驅動、藍光LED、激光器、5G基站、衛星通信等電力電子、光電子和射頻器件等領域。
超寬禁帶半導體則是禁帶寬度大于4 eV的半導體材料,以金剛石、氧化鋁和氧化鎵為代表,具有更高的耐壓能力、抗輻射和耐高溫、深紫外光發射等優勢,在電網、高鐵、醫療消毒、水質監測等超高壓功率器件和深紫外激光器等領域具備廣闊的市場前景,被認為是研制下一代超高耐壓電力電子器件和超大功率射頻器件的先進電子材料。
目前,寬禁帶半導體已進入規?;瘧秒A段(如特斯拉采用SiC逆變器),未來將逐步替代硅基器件,而超寬禁帶半導體尚處于研發突破期,需解決材料缺陷、器件工藝和可靠性問題。其中氧化鎵因成本低可能率先在功率器件領域突圍,金剛石則瞄準高端散熱和量子技術。
02錨定“雙百億”目標:上海臨港打造產業創新高地
上海作為中國半導體產業發展的重要基地,近年來在寬禁帶與超寬禁帶半導體領域加速布局。除了最新啟動建設的“超寬禁帶半導體未來產業集聚區”之外,上海正通過政策支持、產業鏈整合、技術創新和生態建設,推動這一戰略新興產業發展。
目前,上海以臨港新片區為主要集聚地,已經初步構建了寬禁帶半導體全產業鏈發展格局,并聚集了一批龍頭企業,如芯源微、拓荊科技、華海清科、凱世通、積塔半導體、上海新微、昂瑞微、天岳先進、瞻芯電子、瀚芯、長電科技、旻艾、泰睿思等。
臨港新片區黨工委副書記吳曉華此前表示,臨港在寬禁帶半導體領域,到2026年能實現設備材料及晶圓制造規模超100億元、模組器件規模超100億元的“雙百億”目標,將臨港新片區建設成為全國寬禁帶半導體產業鏈最全、創新能力最強、應用生態最好的基地。
政策方面,上海市政府此前發布的《上海打造未來產業創新高地發展壯大未來產業集群行動方案》明確提出,推動碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發展。
上海市科委副主任屈煒指出,未來上海將搶抓戰略機遇,積極構建“項目經理團隊主導、重點任務清單突破、未來產業基金賦能、未來產業集聚區支撐”四位一體推進機制,加快推進關鍵技術攻關、產業生態培育、應用場景落地等工作,聚焦臨港,打造寬禁帶與超寬禁帶半導體技術與產業創新高地。
03總結
通過政策引導、產業鏈整合、技術突破和生態優化,上海正在成為全球寬禁帶與超寬禁帶半導體領域的創新高地。而臨港新片區作為核心承載區,依托全產業鏈布局和龍頭企業帶動,有望在新能源汽車、通信、能源等領域實現技術自主化與規?;瘧?,推動中國半導體產業向“后摩爾時代”跨越發展。
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