總投資超5100萬，又一座高等級功率半導體廠房竣工！

微龍游消息，4月9日，芯盟高等級功率半導體廠房項目已順利通過竣工驗收。

據悉，該項目位于浙江省龍游縣經濟開發區城北片區惠商路，總投資5100余萬元，建筑面積約25000多平方米。項目由龍游經濟開發區下屬國資公司代建，主體建筑由廠房、綜合樓、門衛、材料庫及室外附屬配套組成，建筑層數共計5層。

該項目的竣工標志著龍游縣在半導體產業領域邁出了堅實的一步，也為國內功率半導體產業的發展注入了新的活力。據悉，芯盟項目涵蓋IGBT芯片、IGBT大功率模塊和分立器件的生產，并積極拓展碳化硅功率器件領域。項目建成后，預計年產300萬只高等級功率半導體模塊。這將顯著提升我國在高等級功率半導體領域的研發與生產能力，進一步推動國產功率半導體的發展。該項目建成后將全面提升園區的整體工藝技術、產業鏈等多方面能力，進一步助力國產功率半導體的發展。下一步，開發區將持續優化園區環境，優化周邊配套設施，推動企業產業轉型升級，為開發區發展注入活力。

值得注意的是，芯盟科技是全球首個研發出垂直溝道三維存儲器并商業化的企業，其3D異構集成HITOC?鍵合技術可以實現線寬0.9μm，讓芯片之間連接點數超過100萬個，3D鍵合密度全球領先。

近期，芯盟科技接連申請了兩項技術專利。

3月19日，芯盟科技向國家知識產權局申請了一項名為“動態隨機存儲器及其讀操作方法、電子設備”的專利，公開號為CN119626287A。該專利通過優化DRAM設計，引入多個存儲單元組及靈敏放大器組等，顯著提高了DRAM的感應裕度和讀出性能。

4月5日，芯盟科技獲得了一項名為“半導體器件及其制造方法”的專利，授權公告號為CN113629011B。這項專利涉及創新的材料選擇和生產工藝，有望提升半導體器件的耐用性和能效，廣泛應用于智能設備、通信基礎設施及消費電子等領域。