事關(guān)芯片！我國成功開發(fā)這一新技術(shù)

近日，由西湖大學(xué)孵化的西湖儀器（杭州）技術(shù)有限公司（以下簡稱西湖儀器）近日成功實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅襯底自動化激光剝離，解決了12英寸及以上超大尺寸碳化硅襯底切片難題。

與傳統(tǒng)的硅材料相比，碳化硅具有更寬的禁帶能隙，以及更高的熔點(diǎn)、電子遷移率和熱導(dǎo)率。其能夠在高溫、高電壓條件下穩(wěn)定工作，已成為新能源和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迭代升級的關(guān)鍵材料，在電動汽車、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)、無線通信等領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景。

“目前，碳化硅襯底材料成本居高不下，嚴(yán)重阻礙了碳化硅器件的大規(guī)模應(yīng)用。”西湖大學(xué)工學(xué)院講席教授仇旻介紹，碳化硅行業(yè)降本增效的重要途徑之一，是制造更大尺寸的碳化硅襯底材料。與6英寸和8英寸碳化硅襯底相比，12英寸碳化硅襯底材料能夠進(jìn)一步擴(kuò)大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，在同等生產(chǎn)條件下，顯著提升芯片產(chǎn)量，同時降低單位芯片制造成本。

此前，西湖儀器已率先推出8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底激光剝離設(shè)備。為響應(yīng)最新市場需求，西湖儀器迅速推出超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術(shù)，將超快激光加工技術(shù)應(yīng)用于碳化硅襯底加工行業(yè)，完成了相關(guān)設(shè)備和集成系統(tǒng)的開發(fā)。

“超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)對碳化硅晶錠的精準(zhǔn)定位、均勻加工、連續(xù)剝離。”仇旻介紹，一方面，該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了晶錠減薄、激光加工、襯底剝離等過程的自動化；另一方面，與傳統(tǒng)切割技術(shù)相比，該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)激光剝離過程無材料損耗，原料損耗大幅下降。

不僅如此，仇旻還提到，超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術(shù)可大幅縮短襯底出片時間，適用于未來超大尺寸碳化硅襯底的規(guī)模化量產(chǎn)，有助于加速超大尺寸碳化硅襯底技術(shù)的研發(fā)迭代，進(jìn)一步促進(jìn)行業(yè)降本增效。