總投資120億元，士蘭集宏8英寸碳化硅項目封頂

據今日海滄消息，2月28日上午，士蘭微電子旗下廈門士蘭集宏半導體有限公司的8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生產線項目，經過8個月緊張有序地建設后，正式舉行全面封頂。

士蘭集宏項目總投資120億元，分兩期建設，總建筑面積達23.45萬㎡，一期投資70億元，預計2025年四季度初步通線、2026年一季度試生產，達產后年產能42萬片8英寸SiC芯片；二期投產后總產能將提升至72萬片/年，成為全球規模領先的8英寸SiC功率器件產線。該項目以SiC MOSFET為核心產品，主要服務于新能源汽車主驅逆變器、光伏逆變器、智能電網等高需求領域。

據悉，該項目以“廈門速度”推進，從談判簽約到開工僅用55天，鋼結構首吊于1月21日完成，主廠房核心區22榀鋼桁架梁半月內全部就位。

據悉，士蘭集宏項目達產后可滿足國內40%以上的車規級SiC芯片需求，并帶動上下游產業鏈集聚廈門，加速第三代半導體材料、設備國產化進程。

此外，士蘭微已實現第Ⅳ代SiC MOSFET芯片量產，其主驅模塊已獲國內知名車企批量采購，技術實力進一步鞏固。

據士蘭微電子董事會秘書、副總裁陳越介紹，士蘭集宏力爭到2028年底最終形成，年產42萬片8英寸SiC功率器件芯片的生產能力。屆時，項目可以較好地滿足國內新能源汽車所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、儲能、充電樁、Ai服務器電源、大型白電智能功率模塊等功率逆變產品提供高性能的碳化硅芯片，同時促進國內8英寸碳化硅襯底及相關工藝裝備的協同發展。

據悉，項目全面達產后，預計年產值超120億元，助力廈門打造第三代半導體產業集群，并為中國在全球功率半導體競爭中搶占高地。