SK海力士開發出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM

2023年4月20日， SK海力士宣布，再次超越了現有最高性能DRAM（內存）——HBM3^*的技術界限，全球首次實現垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字節）^**的HBM3 DRAM新產品，并正在接受客戶公司的性能驗證。

SK海力士強調“公司繼去年6月全球首次量產HBM3 DRAM后，又成功開發出容量提升50%的24GB套裝產品。”,“最近隨著人工智能聊天機器人（AI Chatbot）產業的發展，高端存儲器需求也隨之增長，公司將從今年下半年起將其推向市場，以滿足市場需求。”

公司技術團隊在此次此新產品采用了先進（Advanced）MR-MUF^*和TSV^**技術。SK海力士表示，通過先進MR-MUF技術加強了工藝效率和產品性能的穩定性，又利用TSV技術將12個比現有芯片薄40%的單品DRAM芯片垂直堆疊，實現了與16GB產品相同的高度。

SK海力士于2013年在世界上首次開發的HBM DRAM是實現需要高性能計算的生成式AI所必要的存儲器半導體產品，因此在受到業界的高度關注。

最新規格的HBM3 DRAM被評價為能夠快速處理龐大數據的首選產品，從而大型科技公司的需求也在逐漸擴大。

公司已向數多全球客戶公司提供了24GB HBM3 DRAM樣品正在進行性能驗證，據悉客戶對此產品抱有極大的期待。

SK海力士封裝測試（P&T）擔當副社長洪相后表示：“公司以全球頂級后端工藝技術力為基礎，接連開發出了超高速、高容量的HBM DRAM產品。將在今年上半年內完成新產品的量產準備，以鞏固人工智能時代尖端DRAM市場的主導權”。

^*HBM(High Bandwidth Memory)：垂直連接多個DRAM，與DRAM相比顯著提升數據處理速度的高附加值、高性能產品。HBM DRAM產品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）的順序開發。

^**現有HBM3 DRAM的最大容量是垂直堆疊8個單品DRAM芯片的16GB。

^*MR-MUF：將半導體芯片堆疊后，為了保護芯片和芯片之間的電路，在其空間中注入液體形態的保護材料，并固化的封裝工藝技術。與每堆疊一個芯片時，鋪上薄膜型材料的方式對比工藝效率高，散熱方面也更有效。

^**TSV（Through Silicon Via， 硅通孔技術）在DRAM芯片打上數千個細微的孔，并通過垂直貫通的電極連接上下芯片的先進封裝（Advanced Packaging）技術。采用該技術的SK海力士HBM3 DRAM可每秒傳輸163部全高清（Full-HD）電影，最大速度可達819GB/s（每秒819千兆字節）。