- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環路電感影響分析。測試設置雙脈沖測試
(Double Pulse Test ，DPT)
采用不同的設置來分析SiC和IGBT模塊的開關特性
- 關鍵字：
雜散電感 SiC IGBT 開關特性
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環路電感影響分析。（點擊查看直流鏈路環路電感分析）測試設置雙脈沖測試
(Double Pulse Test ，DPT)
采用不同的設置來分析S
- 關鍵字：
IGBT SiC 開關特性
- 為了在空間受限的應用中實現高效、實時的嵌入式電機控制系統，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC?數字信號控制器（DSC）的新型集成電機驅動器系列。該系列器件在一個封裝中集成了dsPIC33
數字信號控制器 （DSC）、一個三相MOSFET柵極驅動器和可選LIN 或 CAN FD
收發器。這種集成的一個顯著優勢是減少電機控制系統設計的元件數量，縮小印刷電路板（PCB）尺寸，并降低復雜性。該系列器件的支持資源包括開發板、參考設計、應用筆記和
Micr
- 關鍵字：
dsPIC 數字信號控制器 MOSFET 電機控制
- 在之前一篇題為《功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過渡》的博文中，我們探討了碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場一項“顛覆行業生態”的技術。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術優勢，因此我們不難理解為何它已成為電動汽車（EV）、數據中心和太陽能/可再生能源等許多應用領域中備受青睞的首選技術。圖1.硅與碳化硅的對比眾多終端產品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝，來開發基于雙極結型晶體管（BJT）、結柵場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和絕緣
- 關鍵字：
Qorvo SiC MOSFET
- 英飛凌科技股份公司近日推出其最新先進功率MOSFET?技術——?OptiMOS? 7 80 V的首款產品IAUCN08S7N013。該產品的特點包括功率密度顯著提高，和采用通用且穩健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產品非常適合即將推出的?48 V板網應用。它專為滿足高要求汽車應用所需的高性能、高質量和穩健性而打造，包括電動汽車的汽車直流-直流轉換器、48 V電機控制（例如電動助力轉向系統（EPS））、48 V電池開關以及電動
- 關鍵字：
英飛凌 MOSFET OptiMOS
- Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統的應用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應用需求的增加，P溝道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。高端側（HS）應用P溝道的簡易性使其對低壓變換器（<120 V）和非隔離的負載點更具吸引力。因為無需電荷泵或額外的電壓源，高端側（HS）P溝道MOSFET易于驅動，具有設計簡單、節省空間，零件數量少等特點，提升了成本效率。本文通過對N 溝道和P溝道MOSFETs進行比較，介紹Littelfuse P溝道功率
- 關鍵字：
202404 P溝道功率MOSFET MOSFET
- 不斷提升能效的需求影響著汽車和可再生能源等多個領域的電子應用設計。對于電動汽車 (EV) 而言，更高效率意味著更遠的續航里程；而在可再生能源領域，發電效率更高代表著能夠更充分地將太陽能或風能轉換為電能。圖1.在電動汽車和可再生能源領域，對更高效率的不懈追求正推動著設計向前發展這兩大領域都廣泛采用開關電子器件，因而又催生了更高電壓器件的需求。電壓和效率之間的關系遵循歐姆定律，也就是說電路中產生的功耗或損耗與電流的平方成正比。同理，當電壓加倍時，電路中的電流會減半，因而損耗會降到四分之一。根據這個原理，為了減
- 關鍵字：
高電壓 高電壓 轉換器 逆變器 MOSFET 電力電子 EliteSiC
- 熱泵是一種經過驗證的、提供安全且可持續供暖的技術，其滿足低排放電力要求，是全球邁向安全、可持續供暖的核心技術。盡管逆循環熱泵也可以同時滿足供暖和制冷的要求，但熱泵的主要目標是提供供暖。由于熱泵能夠回收廢熱并將其溫度提高到更實用的水平，因此在節能方面具有巨大的潛力。系統目標熱泵的原理與制冷類似，其大部分技術基于冰箱的設計。2021年，全球約有10%建筑的采暖由熱泵來完成，且安裝熱泵的步伐仍在不斷加快。鑒于政府對能源安全的關注以及應對氣候變化的承諾，熱泵將成為減少由建筑采暖以及熱水所產生的碳排放的主要途徑。此
- 關鍵字：
熱泵 供暖 IPM MOSFET IGBT
- 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。這些驅動器具有集成的高壓半橋、單個和多個低壓柵極驅動器，非常適合各種應用。在確保安全控制方面，STGAP系列隔離柵極驅動器作為優選解決方案，在輸入部分和被驅動的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離，確保無縫集成和優質性能。選擇正確的柵極驅動器對于實現最佳功率轉換效率非常重要。隨著SiC技術得到廣泛采用，對可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時候都更高，而ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅
- 關鍵字：
STGAP MOSFET IGBT 驅動器 電氣隔離
- 晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設計中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實是相當容易的。我們將集中討論兩個最常見的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開關，它可以打開和關閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關，晶體管類似于繼電器，因為你可以用它來打開或關閉一些東西。當然了晶體管也可以部分打開，這對于放大器的設計很有用。1 晶體管BJT的工作原理讓我們從經典的NPN晶體
- 關鍵字：
晶體管 BJT MOSFET
- 安森美(onsemi)發布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關。M3S 系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業電源系統中的高功率應用進行了優化，如太陽能逆變器、ESS、UPS 和電動汽車充電樁等。幫助開發者提高開關頻率和系統效率。本應用筆記將描述M3S的一些關鍵特性，與第一代相比的顯著性能提升，以及一些實用設計技巧。本文為第一部分，將重點介紹M3S的一些關鍵特性以及與
- 關鍵字：
碳化硅 SiC MOSFET
- 近日，包括Wolfspeed、韓國釜山政府、科友等在第三代半導體SiC/GaN上出現新進展。從國內外第三代化合物進展看，目前在碳化硅領域，國際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產前夕，國產廠商方面則有更多廠家具備量產能力，產業鏈條進一步完善成熟，下文將進一步說明最新情況。SiC/GaN 3個項目最新動態公布Wolfspeed德國8英寸SiC工廠或將延遲至明年建設近日，據外媒消息，Wolfspeed與采埃孚聯合投資建設的德國8英寸SiC晶圓廠建設計劃或被推遲，最早將于2025年開始。據悉，該工廠由Wolfsp
- 關鍵字：
SiC 8英寸
- SiC 市場的快速擴張主要得益于電動汽車的需求，預計 2023 年市場將比上年增長 60%。
- 關鍵字：
GaN SiC
- 3月28日消息，當地時間3月26日，Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產線一期工程舉行了封頂儀式。據了解，該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣，總投資50億美元（約合人民幣356億元），占地面積445英畝，主要生產8英寸SiC單晶襯底。目前，該工廠已有一些長晶爐設備進場，預計2024年底將完成一期工程建設，2025年上半年開始生產，預計竣工達產后Wolfspeed的SiC襯底產量將擴大10倍。近期，Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶協議，查塔姆工廠的投建將為這些協議提供支持，同
- 關鍵字：
碳化硅 Wolfspeed SiC 瑞薩 英飛凌
- 隨著近年來對碳化硅（SiC）襯底需求的持續激增，市場研究公司TrendForce表示，對于SiC的成本降低呼聲越來越高，因為最終產品價格仍然是消費者的關鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個成本結構的比例最高，約占50%。因此，襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關鍵。由于其成本優勢，大尺寸襯底逐漸開始被采用，市場對其寄予了很高的期望。中國SiC襯底制造商天科藍半導體計算，從4英寸升級到6英寸可以使單位成本降低50%，從6英寸升級到8英寸可以再次降低35%。與此同時，8英寸襯底可以生產更多的芯片，從而減少邊緣浪
- 關鍵字：
SiC 碳化硅
sic mosfet介紹
您好，目前還沒有人創建詞條sic mosfet!
歡迎您創建該詞條，闡述對sic mosfet的理解，并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
