電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產生的能量，這樣當環境條件不太有利于發電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統 (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開關的替代方案，改善BESS的性能。圖1：BESS 實施概覽BESS 的優勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學儲能、化學儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學儲能系統，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點
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安森美 SiC 電池儲能
進入 2024 年，10 多家車企紛紛宣布降價。車企給供應商的降價壓力更大，普遍要求降價 20%，過去一般是每年降 3%-5%。有觀點認為，車市降價是由于新技術帶來的成本下降，但從大背景來看，2 月銷量下滑，或是更多企業加入價格戰的不得已選擇。但從另一個角度來看，成本的下降確實會緩解降價的壓力，SiC（碳化硅）會不會是出路呢？降價風波始末2 月 19 日，可以說是一切的開始。降價潮是由比亞迪掀起的，從 2 月 19 日到 3 月 6 日，在春節假期結束后的 17 天里，比亞迪密集推出了 13 款主力車型的
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SiC
英飛凌科技股份公司近日推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產品系列，使電機驅動應用取得了飛躍性的進展。這一全新產品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應用提供出色的性能。新 MOSFET產品的導通損耗和開關性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開關損耗，有益于用于服務器、電信、儲能系統（ESS）、音頻、太陽能等用途的各種開關應用。此外，憑借寬安全工作區（SOA）和業界領先的RDS(on)，該產品系列非常適合電池管理系統等靜態開關應用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200
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英飛凌 OptiMOS MOSFET
英飛凌科技股份公司近日出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產品系列，使電機驅動應用取得了飛躍性的進展。這一全新產品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應用提供出色的性能。新MOSFET產品的導通損耗和開關性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開關損耗，有益于用于服務器、電信、儲能系統（ESS）、音頻、太陽能等用途的各種開關應用。此外，憑借寬安全工作區（SOA）和業界領先的RDS(on)，該產品系列非常適合電池管理系統等靜態開關應用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產
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英飛凌 OptiMOS 6200V MOSFET
在關斷狀態下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。之前我們討論過功率MOSFET的雪崩效應，今天，我們將繼續分享相關UIS (UIL)數據表的額定值。除了Ipk vs tav圖之外，大多數功率MOSFET數據表還包含一個UIS能量額定值，通常列在最大值表中。這有點誤導，因為很明顯 (E=0.5Vav*Ipk*tav) 功率 M
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安森美 MOSFET UIS
唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業領導者——納微半導體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展，邀請觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術打造，象征著全電氣化未來的“納微芯球”展臺。納微半導體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應用為導向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術●? &
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納微半導體 亞洲充電展 GaN+SiC 快充
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型80 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業和通信應用功率轉換，在提高功率密度和能效的同時，增強熱性能，減少元器件數量并簡化設計。日前發布的雙通道MOSFET可用來取代兩個PowerPAK 1
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Vishay MOSFET 對稱雙通道
英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC??MOSFET?2000?V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5
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英飛凌 CoolSiC MOSFET
英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術在確保質量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進一步推動了低碳化進程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術繼續發揮碳化硅的性能優勢，通過降低能量損耗來提高功率轉換過程
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英飛凌 碳化硅 CoolSiC MOSFET
納芯微宣布推出基于其自研創新型振鈴抑制專利的車規級CAN SIC（信號改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。相比當前主流的CAN FD車載通信方案，NCA1462-Q1在滿足ISO 11898-2:2016標準的前提下，進一步兼容CiA 601-4標準，可實現≥8Mbps的傳輸速率。憑借納芯微專利的振鈴抑制功能，即使在星型網絡多節點連接的情況下，NCA1462-Q1仍具有良好的信號質量；此外，超高的EMC表現，更加靈活、低至1.8V的VIO可有效助力工
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納芯微 振鈴抑制 CAN SIC
在本文中，我們通過研究MOSFET共源放大器的s域傳遞函數來了解其頻率響應。之前，我們了解了MOSFET共源放大器的大信號和小信號行為。這些分析雖然有用，但僅適用于低頻操作。為了了解共用源（CS）放大器在較高頻率下的功能，我們需要更詳細地研究其頻率響應。在本文中，我們將在考慮MOSFET寄生電容的情況下導出CS放大器的全傳遞函數。然而，在我們這么做之前，讓我們花點時間回顧頻域中更為普遍的傳遞函數（TF）分析。s域傳輸函數TF是表示如何由線性系統操縱輸入信號（x）以產生輸出信號（y）的方程式。其形式為：&n
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MOSFET 共源放大器
先進電機應用（如高轉速、高頻、高功率密度、高溫等）需要相匹配的逆變器支持，但業界一直為其開發難度所困擾。全球領先的高溫半導體解決方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅（SiC）功率器件的完整逆變器參考設計很好地解決了這一問題。該參考設計整合了CISSOID 公司的SiC高壓功率模塊和相匹配的集成化柵極驅動器，Silicon Mobility公司的控制板和軟件，超低寄生電感的直流母線電容和EMI濾波器，直流和相電流傳感器等其它附件。由此為先進電機應用提供了一個已全面集成的完整“傻瓜型”逆變器開發平
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SiC 逆變器 電機 CISSOID Silicon Mobility
在關斷狀態下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。根據電路條件不同，在雪崩、MOSFET漏極或源極中，電流范圍可從微安到數百安。
額定擊穿電壓，也可稱之為“BV”，通常是在給定溫度范圍（通常是整個工作結溫范圍）內定義的MOSFET器件的最小阻斷電壓（例如30V）。數據表中的BVdss值是在低雪崩電流（通常為
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MOSFET 雪崩 電流
中國 北京，2024 年 2 月 29 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動汽車充電站、儲能、工業電源和太陽能等應用。Qorvo SiC 電源產品線市場總監 Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達四個分立式 SiC FET，從而簡化
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Qorvo 1200V SiC模塊 SiC
奈梅亨，2024年2月29日：Nexperia再次在APEC上展示產品創新，今天宣布發布幾款新型MOSFET，以進一步拓寬其分立開關解決方案的范圍，可用于多個終端市場的各種應用。此次發布的產品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產品的100 V 應用專用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封裝，體積縮小60%，以及改進了電磁兼容性(EMC)的40 ?V NextPowerS3 MOSFETPoE交換機通常有多達48個端口，每個端口需要2個MOSFET提供保護。單個PCB上有多達96
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Nexperia APEC 2024 拓寬分立式FET MOSFET
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