眾所周知，SiC作為一種性能優異的第三代半導體材料，因其高擊穿場強、寬禁帶寬度、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特性可以輔助電子器件更好地在高溫、高壓、高頻應用中使用，可有效突破傳統Si基半導體材料的物理極限。目前使用最廣泛的SiC開關器件是SiC MOSFET，與傳統Si IGBT相比，SiC材料的優異性能配合MOSFET單極開關的特點可以在大功率應用中實現高頻、高效、高能量密度、低成本的目標，從而推動電力電子系統的發展。圖1: 碳化硅器件應用范圍示意圖1圖2: 典型應用場景對應的功率等級2從技術上講，
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低導通電阻 SiC 大電流 高功率
汽車和清潔能源領域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應更高的電壓，擁有更快的開關速度，并且比傳統硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結構的 SiC 功率器件可以實現這一點。但是，雖然基于溝槽的架構可以降低導通電阻并提高載流子遷移率，但它們也帶來了更高的復雜性。對于 SiC 功率器件制造商來說，準確測量外延層生長和這些溝槽中注入層深度的能力是相當重要的，特別是在面臨不斷增加的制造復雜性時。今天我們分享一下來自Onto Innovation 應用開發總監Nick Keller的文章，來重點介紹下SiC 功率器
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SiC 功率器件 溝槽結構測量
電動汽車（EV）直流快速充電機繞過安裝在電動汽車上的車載充電機，直接為電池提供快速直流充電。如下圖所示，直流快速充電機由一級 AC-DC 和一級 DC-DC 組成：圖 1. 直流快速充電機由一級 AC-DC 和一級 DC-DC 組成在優化系統效率的同時最大限度縮短充電時間是直流快速充電機的主要關注點。在設計此類系統時，必須考慮器件選型、電壓范圍和負載要求、運行成本、溫度、堅固性和環境保護，以及可靠性。相比傳統硅（Si）和 IGBT 器件，基于碳化硅（SiC）的器件由于具有工作溫度更高、導通損耗更小、漏電流
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SiC 電動汽車 直流快速充電機 Wolfspeed
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業電源系統中的高功率應用進行了優化。此前我們描述了M3S的一些關鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升，本文則將重點介紹M3S產品的設計注意事項和使用技巧。寄生導通問題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結溫TJ(MAX) = 175°C時具有最低值。即使數據表中的典型V
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SiC MOSFET RSP
800V車型刷屏，高壓SiC車載應用加速普及。實際上，近期有越來越多的國內外車企開始加速800V電壓架構車型的量產，多款20-25萬元價格段的標配SiC車型上市。2024年，隨著車企卷價格卷性能戰略推進，將進一步拉動SiC滲透。SiC迎來800V高壓平臺風口◆ 800V架構成為電動汽車主流電動化進程持續推進，安森美（onsemi）電源方案事業部汽車主驅方案部門產品總監Jonathan
Liao指出預計到2030年將有1.5億輛新能源汽車駛上道路。但從消費者角度看購買電動車的兩大顧慮是續航里程和充電便利性
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SiC 逆變器 功率模塊
在技術進步和低碳化日益受到重視的推動下，電子行業正在向結構更緊湊、功能更強大的系統轉變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡，同時兼顧系統的散熱要求和空間限制。目前，英飛凌正在通過采用?Thin-TOLL 8x8?和?TOLT?封裝的兩個全新產品系列，擴展其?CoolSiC? MOSFET分立式半導體器件?650 V產品組合。這兩個產品系列基于Coo
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英飛凌 CoolSiC MOSFET
6月7日，蘇州優晶半導體科技股份有限公司（以下簡稱“優晶科技”）宣布8英寸電阻法SiC單晶生長設備獲行業專家認可，成功通過技術鑒定評審。鑒定委員會認為，優晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長設備及工藝成果技術難度大，創新性強，突破了國內大尺寸晶體生長技術瓶頸，擁有自主知識產權，經濟效益顯著。資料顯示，優晶科技成立于2010年12月，專注于大尺寸（6英寸及以上）導電型SiC晶體生長設備研發、生產及銷售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長設備，經持續工藝優化，目前已推出至第四代機型——UKIN
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優晶科技 8英寸 SiC 單晶生長設備
服務器電源主要用在數據中心場景中，主要應用于服務器、存儲器等設備。它和PC電源一樣，都是一種開關電源。服務器電源按照標準可以分為ATX電源和SSI電源兩種。ATX標準是Intel在1997年推出的一個規范，使用較為普遍，輸出功率一般在125瓦～350瓦之間主要用于臺式機、工作站和低端服務器。SSI（Server System Infrastructure）規范是Intel聯合一些主要的IA架構服務器生產商推出的新型服務器電源規范，SSI規范的推出是為了規范服務器電源技術，降低開發成本，延長服務器的使用壽命
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MOSFET 服務器電源
PANJIT?推出最新的60V、100V?和?150V?車規級?MOSFET，此系列通過先進的溝槽技術設計達到優異性能和效率。此系列?MOSFET?專為汽車和工業電力系統設計，提供優異的品質因數（FOM），顯著降低?RDS(ON)?和電容。這確保了最低的導通和開關損耗，從而提升了整體性能。新系列?MOSFET?提供多種封裝，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、T
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PANJIT MOSFET
6月4日，NXP Semiconductors NV（恩智浦半導體）在官網披露，其與ZF Friedrichshafen AG（采埃孚）公司合作，為電動汽車（EV）開發基于碳化硅（SiC）的下一代牽引逆變器解決方案。通過利用恩智浦GD316x高壓（HV）隔離柵極驅動器，該解決方案旨在加速800V平臺和SiC功率器件的推廣應用。據介紹，GD316x產品系列支持安全、高效和高性能的牽引逆變器，可延長電動汽車的續航里程、減少充電停車次數、同時降低OEM廠商的系統級成本。據了解，牽引逆變器是電動汽車電力傳動系統的
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恩智浦 SiC 逆變器
●? ?意法半導體第三代SiC MOSFET助力吉利相關品牌純電車型提高電驅能效●? ?雙方成立創新聯合實驗室，共同推動節能智能化電動汽車發展服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)近日與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團(香港交易所代碼: HK0175)宣布，雙方簽署碳化硅(SiC)器件長期供應協議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協議規定，意法半導體將為吉利汽車旗下多個品牌
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吉利汽車 ST SiC 意法半導體
6月4日，意法半導體（ST）與吉利汽車集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應協議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協議規定，意法半導體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動車性能，加快充電速度，延長續航里程，深化新能源汽車轉型。此外，吉利和ST還在多個汽車應用領域的長期合作基礎上，建立創新聯合實驗室，交流與探索在汽車電子/電氣（E/E）架構（如車載信息娛樂、智能座艙系統）、高級駕駛輔助（ADAS）和新能源汽車等相關領域的創新解決方案。據數據顯
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ST 吉利汽車 SiC
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡稱ST）與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應協議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協議規定，意法半導體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動車性能，加快充電速度，延長續航里程，深化新能源汽車轉型。此外，吉利和ST還在多個汽車應用領域的長期合作基礎上，建立創新聯合實驗室，交流與探索在汽車電子/電氣（E/E）架構（如車載信息娛樂、智能座艙系統）、
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SiC ADAS 新能源汽車
? ?能源是人類生存和發展的重要物質基礎，能源轉型則是當今國際社會關注的焦點問題，隨著全球對環境保護意識的增強和能源危機的擔憂，新能源市場的需求正在快速增長。 當前全球汽車產業電動化正在深度推進，在新能源革命浪潮下，新能源汽車產業成為各國重點發力方向。隨著新能源汽車技術的日趨成熟，充電基礎設施快速發展。近年來，我國已建成世界上數量最多、服務范圍最廣、品種類型最全的充電基礎設施體系。目前按照1公樁=3個私樁的測算，中國2023年增量市場的純電動車的車樁比已經1：1，領先世界其它國家數倍
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充電樁 新能源汽車 SIC
1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET場效應管（FET）是利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，由于緊靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。場效應管分為結型和絕緣柵兩種，因為絕緣柵型晶體管（MOSFET，下面簡稱MOS管）的柵源間電阻比結型大得多且比結型場效應管溫度穩定性好、集成化時工藝簡單，因而目前普遍采用絕緣柵型晶體管。MOS管分為N溝道和P溝道兩類，每一類又分為增強型和耗盡型兩種，只要柵極-源極電壓uGS為零時漏極電流也為零的管子均屬于增強型管，只要柵極-源極
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MOSFET 參數 米勒效應
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