CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯技術，CoolSiC?技術的輸出電流能力強，可靠性提高。產品型號：???IMYH200R012M1H???IMYH200R024M1H???IMYH200R050M1H???IMYH200R075M1H???IMYH200R0100M1H產品特點■ VDSS=2000V，可用于最高母線電壓為1500VDC系統■ 開關損
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MOSFET CoolSiC Infineon
電力電子應用希望納入新的半導體材料和工藝。
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GaN SiC
在電力電子的很多應用，如電機驅動，有時會出現短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時間內承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會在數據手冊中標出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時間是10us，IGBT7短路時間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒 有 標 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 較 短 ， 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標稱短路時間是3us，EASY封裝器件標
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infineon MOSFET
回首2023，碳化硅和氮化鎵行業取得了哪些進步？出現了哪些變化？2024將迎來哪些新機遇和新挑戰？為更好地解讀產業格局，探索未來的前進方向，行家說三代半、行家極光獎聯合策劃了《行家瞭望——2024，火力全開》專題報道。本期嘉賓是意法半導體亞太區功率分立和模擬產品器件部市場和應用副總裁Francesco MUGGERI（沐杰勵）。全工序SiC工廠今年投產第4代SiC MOS即將量產行家說三代半：據《2023碳化硅（SiC）產業調研白皮書》統計，2023年全球新發布碳化硅主驅車型又新增了40多款，預計明年部分
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意法半導體 SiC
2月1日消息，近日，浙江嘉興平湖市政府公示了“年產90萬片功率模塊、45萬片PCBA板和20萬臺電機控制器”建設項目規劃批前公告。據披露，該項目建設單位為臻驅科技的全資子公司——臻驅半導體（嘉興）有限公司，臻驅半導體擬投約資6.45億元在平湖市經濟技術開發區新明路南側建造廠房用于生產及研發等，項目建筑面積達45800m2。公開資料顯示，臻驅科技成立于2017年，是一家提供國產功率半導體及新能源汽車驅動解決方案的公司，總部位于上海浦東，在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國亞琛（Aachen）等地布局了多家子
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功率模塊 碳化硅 SiC
中國 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車規標準的碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實現業界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產品，導通電阻值最高可達 60mΩ，非常適合車載充電器、DC/DC
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Qorvo SiC FET 電動汽車
MOSFET的小信號特性在模擬IC設計中起著重要作用。在本文中，我們將學習如何對MOSFET的小信號行為進行建模。正如我們在上一篇文章中所解釋的那樣，MOSFET對于現代模擬IC設計至關重要。然而，那篇文章主要關注MOSFET的大信號行為。模擬IC通常使用MOSFET進行小信號放大和濾波。為了充分理解和分析MOS電路，我們需要定義MOSFET的小信號行為。什么是小信號分析？當我們說“小信號”時，我們的確切意思是？為了定義這一點，讓我們參考圖1，它顯示了逆變器的輸出傳遞特性。逆變器的傳輸特性。 圖
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MOSFET 模擬IC
眾所周知，提高 SiC 晶圓質量對制造商來說非常重要，因為它直接決定了 SiC 器件的性能，從而決定了生產成本。然而，具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長仍然非常具有挑戰性。SiC 晶圓制造的發展已經完成了從100毫米（4英寸）到150毫米（6英寸）晶圓的艱難過渡，正在向8英寸邁進。SiC 需要在高溫環境下生長，同時具有高剛性和化學穩定性，這導致生長的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高，導致襯底質量和隨后制造的外延層質量差?。本篇文章主要總結了?SiC 生長過程及各步驟造成的缺陷
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SiC 晶圓
摘要在無線收發器等應用中，系統一般處于偏遠地區，通常由電池供電。由于鮮少有人能夠前往現場進行干預，此類應用必須持續運行。系統持續無活動或掛起后，需要復位系統以恢復操作。為了實現系統復位，可以切斷電源電壓，斷開系統電源，然后再次連接電源以重啟系統。 本文將探討使用什么方法和技術可以監控電路的低電平有效輸出來驅動高端輸入開關，從而執行系統電源循環。 簡介為了提高電子系統的可靠性和穩健性，一種方法是實施能夠檢測故障并及時響應的保護機制。這些機制就像安全屏障，能夠減輕潛在損害，確保系統正常運行
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MOSFET 系統電源循環 ADI
加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導通電阻，并配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能。新
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Transphorm 高功率服務器 工業電力轉換 氮化鎵場效應晶體管 碳化硅 SiC
1 轉型成功的2023得益于成功的戰略轉型，在汽車和工業市場增長的
推動下，安森美在 2023 年前 3 季度的業績都超預期。
其中，第一季度由先進駕駛輔助系統 (ADAS) 和能源基
礎設施終端市場帶來的收入均同比增長約 50%，在第
二季度汽車業務收入超 10 億美元，同比增長 35%，創
歷史新高，第三季度汽車和工業終端市場都實現創紀錄
收入。安森美大中華區銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領域在第三代半導體領域，安森美專注于 SiC，重點聚
焦于汽車、能源、電網基礎設施等應
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安森美 第三代半導體 碳化硅 SiC
意法半導體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協議。
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SiC
本文研究具有背靠背MOSFET的理想二極管以及其他更先進的器件。文中還介紹了一種集成多種功能以提供整體系統保護的理想二極管解決方案。二極管是非常有用的器件，對許多應用都很重要。標準硅二極管的壓降為0.6
V至0.7 V。肖特基二極管的壓降為0.3
V。一般來說，壓降不是問題，但在高電流應用中，各個壓降會產生顯著的功率損耗。理想二極管是此類應用的理想器件。幸運的是，MOSFET可以取代標準硅二極管，并提供意想不到的應用優勢。簡介理想二極管使用低導通電阻功率開關（通常為MOSFET）來模擬二極管的單向
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MOSFET 二極管 功率開關
過去，仿真的基礎是行為和具有基本結構的模型。這些模型使用的公式我們在學校都學過，它們主要適用于簡單集成電路技術中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預測與為優化器件所做的改變相關的現象。當今大多數功率器件不是橫向結構，而是垂直結構，它們使用多個摻雜層來處理大電場。柵極從平面型變為溝槽型，引入了更復雜的結構，如超級結，并極大地改變了MOSFET的行為。基本Spice模型中提供的簡單器件結構沒有考慮所有這些非線性因素。現在，通過引入物理和可擴展建模技術，安森美(onsemi)使仿真精度
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功率器件 Spice模型 SiC 仿真
低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關頻率（50-100kHz）來維持所需的紋波電流。然而，對于50kHz以上的調制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無法滿足這些需求，如果是380V系統，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開創了新的機會。在我們的傳統印象中，電機驅動系統往往采用IGBT作為開關器件，而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動汽車充電等需要高頻變換的應用相關聯。但在特定的
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英飛凌 SiC MOSFET
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