電動汽車 (EV) 市場的快速增長推動了對下一代功率半導體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導體的需求尤為強勁。事實上，至少在本世紀下半葉之前，SiC功率器件可能會供不應求。而隨著 SiC 襯底應用于 SiC 功率器件，襯底質量和制造技術方面取得了哪些進步，以提高器件性能、減少缺陷并增強可靠性？為了優化未來 SiC 功率器件的襯底特性，還需要哪些改進和發展？SiC的可靠性挑戰SiC 是硅和碳的化合物，與硅相比有許多優點。SiC 芯片可以在更高溫度下運行，并能有效處理更高電壓，從而增強電動汽車的功率密度
關鍵字：
SiC 電動汽車 功率器件
功率MOSFET的開通和關斷過程原理(1)開通和關斷過程實驗電路(2)MOSFET 的電壓和電流波形：(3)開關過程原理：開通過程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止狀態，t0 時，MOSFET 被驅動開通;-- [t0-t1]區間，MOSFET 的GS 電壓經Vgg 對Cgs充電而上升，在t1時刻，到達維持電壓Vth，MOSFET 開始導電;-- [t1-t2]區間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區間內因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電
關鍵字：
功率 MOSFET 工作原理
第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動方案相比傳統的硅MOSFET，SiC
MOSFET可實現在高壓下的高頻開關。新能源、電動汽車、工業自動化等領域，SiC
MOSFET（碳化硅-金屬氧化物半導體場效應晶體管）憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅動方案備受關注。然而，SiC
MOSFET的獨特器件特性，也意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅動方案展開了解，其中包括驅動過電流、過電壓保護以及如何為SiC MOSFET選擇合
關鍵字：
第三代半導體 SiC MOSFET 高效驅動 電力電子
Nexperia近日宣布，公司現推出業界領先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產品，它將使其SiC MOSFET產品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發布，Nexperia正在滿足市場對采用D2
關鍵字：
Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7
Littelfuse公司是一家工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。 這款創新的驅動器專門設計用于驅動工業應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導通和關斷時序，同時將開關損耗降至最低。 內部負電荷調節器還能提供用戶可選的負柵極驅動偏置，以實現更高的dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。 該驅動器
關鍵字：
SiC MOSFET IGBT 低側柵極驅動器
SiC技術似乎已成為蔚來旗下新車型標配。蔚來在去年12月發布的行政旗艦車型ET9，搭載了蔚來自研自產的1200V SiC功率模塊，以及面向900V的46105大圓柱電芯和電池包，單顆電芯能量密度高達292Wh/kg，充電效率達到5C，呈現出來的效果就是充電5分鐘，續航255公里。近日，蔚來旗下又一款搭載SiC技術的車型正式發布，這便是其全新品牌樂道的首款車型L60。據悉，樂道全域采用900V高壓架構，包括電驅系統、熱泵空調、輔助加熱器（PTC）、車載充電機（OBC）、直流電壓變換器（DC-DC）均為900
關鍵字：
Sic 新能源汽車 蔚來
Source:Getty Images/Natee Meepian英飛凌科技在5月6日發布的一篇新聞稿中表示，將為小米最近發布的SU7電動汽車供應碳化硅（SiC）功率模塊HybridPACK Drive G2 CoolSiC和裸片產品直至2027年。英飛凌CoolSiC功率模塊支持更高的工作溫度。例如，基于該技術的牽引逆變器可以進一步增加電動汽車的續航里程。英飛凌為小米SU7 Max車型提供兩顆HybridPACK Drive G2 CoolSiC 1200 V模塊。此外，英飛凌還為小米電動汽車供應了一系
關鍵字：
英飛凌 小米 SU7 智能電動汽車 SiC
了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護半導體器件和電子系統免受潛在危險操作的影響。當提到電源或電壓驅動要求時，我們經常使用簡化，如“這是一個3.3 V的微控制器”或“這個FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒有考慮到電子設備在一定電壓范圍內工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導電性。但即使是這些基于范圍的規范也可能具有誤導性。當VDD軌降至2.95V時，接受3.0至3.6 V電源電壓的數字
關鍵字：
欠電壓閉鎖，UVLO MOSFET，IC
近日，河南中宜創芯發展有限公司（以下簡稱“中宜創芯”）SiC半導體粉體500噸生產線成功達產，產品純度最高達到99.99999%，已在國內二十多家企業和研究機構開展試用和驗證。資料顯示，中宜創芯成立于2023年5月24日，由中國平煤神馬控股集團和平頂山發展投資集團共同出資設立，總投資20億元，分期建設年產2000噸碳化硅半導體粉體生產線。項目一期總投資6億元，年產能500噸，占地12000平方米，2023年6月20日開工建設，9月20日項目建成并試生產，9月30日首批產品出爐。預計達產后年產值5億元，據悉
關鍵字：
中宜創芯 SiC
德國頂級芯片制造商熱衷于挖掘中國對特種半導體的需求。
關鍵字：
SiC 英飛凌
TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power
Device市場分析報告》顯示，盡管純電動汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經開始影響到SiC供應鏈，但作為未來電力電子技術的重要發展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態勢，預估2028年全球SiC
Power Device市場規模有望達到91.7億美金。Tesla和比亞迪是兩個備受矚目的BEV品牌，近期均報告了令人失望的銷售數據，其中Tesla在1
關鍵字：
SiC 功率器件 TrendForce
本文將通過解釋MOSFET功耗的重要來源來幫助您優化開關模式調節器和驅動器電路。MOSFET的工作可以分為兩種基本模式：線性和開關。在線性模式中，晶體管的柵極到源極電壓足以使電流流過溝道，但溝道電阻相對較高。跨溝道的電壓和流過溝道的電流都是顯著的，導致晶體管中的高功耗。在開關模式中，柵極到源極電壓足夠低以防止電流流動，或者足夠高以使FET處于“完全增強”狀態，在該狀態下溝道電阻大大降低。在這種狀態下，晶體管就像一個閉合的開關：即使大電流流過通道，功耗也會很低或中等。隨著開關模式操作接近理想情況，功耗變得可
關鍵字：
MOSFET 開關損耗
處理電源電壓反轉有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負載之間連接一個二極管，但是由于二極管正向電壓的原因，這種做法會產生額外的功耗。雖然該方法很簡潔，但是二極管在便攜式或備份應用中是不起作用的，因為電池在充電時必須吸收電流，而在不充電時則須供應電流。另一種方法是使用圖 1 所示的 MOSFET 電路之一。圖 1：傳統的負載側反向保護對于負載側電路而言，這種方法比使用二極管更好，因為電源
(電池) 電壓增強了 MOSFET，因而產生了更少的壓降和實質上更高的電導。該電路的 NMOS 版本比 PM
關鍵字：
MOSFET 電源電壓反轉
在功率轉換市場中，尤其對于通信/服務器電源應用，不斷提高功率密度和追求更高效率已經成為最具挑戰性的議題。對于功率密度的提高，最普遍方法就是提高開關頻率，以便降低無源器件的尺寸。零電壓開關(ZVS)拓撲因具有極低的開關損耗、較低的器件應力而允許采用高開關頻率以及較小的外形，能夠以正弦方式對能量進行處理，開關器件可實現軟開閉，因此可以大大地降低開關損耗和噪聲。在這些拓撲中，移相ZVS全橋拓撲在中、高功率應用中得到了廣泛采用，因為借助功率MOSFET的等效輸出電容和變壓器的漏感可以使所有的開關工作在ZVS狀態下
關鍵字：
LLC MOSFET ZVS 變換器
一、MOS管驅動簡述MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。在使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個確定的MOSFET，其驅動電路，驅動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的開關性能。當電源IC與MOS管選定之
關鍵字：
MOSFET
sic mosfet介紹
您好，目前還沒有人創建詞條sic mosfet!
歡迎您創建該詞條，闡述對sic mosfet的理解，并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473