英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400V，重新定義AI服務器電源的功率密度和效率

隨著人工智能（AI）處理器對功率的要求日益提高，服務器電源（PSU）必須在不超出服務器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級GPU芯片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出現，促使英飛凌科技股份公司開發電壓650 V以下的SiC MOSFET產品。現在，英飛凌基于今年早些時候發布的第二代（G2）CoolSiCTM技術，推出全新CoolSiC? MOSFET 400 V系列。全新MOSFET產品組合專為AI服務器的AC/DC級開發，是對英飛凌最近公布的PSU路線圖的補充。該系列器件還適用于太陽能和儲能系統（ESS）、變頻電機控制、工業和輔助電源（SMPS）以及住宅建筑固態斷路器。

英飛凌功率系統業務線負責人Richard Kuncic表示：“英飛凌提供的豐富高性能MOSFET和GaN晶體管產品組合能夠滿足AI服務器電源對設計和空間的苛刻要求。我們致力于通過CoolSiC?  MOSFET 400 V G2等先進產品為客戶提供支持，推動先進AI應用實現最高能效。”

CoolSiC? MOSFET 400 V TO-Leadless

與現有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的傳導和開關損耗。這款AI服務器電源裝置的AC/DC級采用多級PFC，功率密度達到100 W/in3以上，并且效率達到99.5%，較使用650 V SiC MOSFET的解決方案提高了0.3個百分點。此外，由于在DC/DC級采用了CoolGaN?晶體管，其系統解決方案得以完善。通過這一高性能MOSFET與晶體管組合，該電源可提供8千瓦以上的功率，功率密度較現有解決方案提高了3倍以上。

全新MOSFET產品組合共包含10款產品：5款RDS(on)級（11至45 mΩ）產品采用開爾文源TOLL和D2PAK-7 封裝以及.XT封裝互連技術。在Tvj = 25°C 時，其漏極-源極擊穿電壓為400 V，因此非常適合用于2級和3級轉換器以及同步整流。這些元件在苛刻的開關條件下具有很高的穩健性，并且通過了100%的雪崩測試。高度穩健的CoolSiC?技術與.XT互連技術相結合，使這些半導體器件能夠應對AI處理器功率要求突變所造成的功率峰值和瞬態，并且憑借連接技術和低正 RDS(on) 溫度系數，即便在結溫較高的工作條件下也能發揮出色的性能。

供貨情況

CoolSiC?  MOSFET 400 V產品組合的工程樣品現已發布，并將于 2024年10月開始量產。