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        sic fet 文章 最新資訊

        如何對反向轉(zhuǎn)換器的FET關斷電壓進行緩沖

        •   圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上,因
        • 關鍵字: 進行  緩沖  電壓  關斷  轉(zhuǎn)換器  FET  如何  

        MOS-FET開關電路

        • MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-FET更簡單,如釁5.4-100所示短路開關對應圖5.4-96中的A、C、D三個電路
        • 關鍵字: MOS-FET  開關電路    

        J-FET開關電路工作原理

        • 1、簡單開關控制電路圖5.4-97為簡單J-FET開關電路。當控制電壓VC高于輸入電壓V1時,VGS=0,J-FET導通,傳輸信號至VO;當VC比V1足夠負,VD導通而J-FET截止,VO=0。2、改進的J-FET開關電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
        • 關鍵字: J-FET  開關電路  工作原理    

        與萬用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗器

        • 電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別,所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級,但一個等級內(nèi)仍有差別,如果在組裝電路之前測量實際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測量時,
        • 關鍵字: VOO  檢驗  VP  FET  結(jié)合  使用  萬用表  

        使用FET輸入型OP放大器的長時間模擬定時電路

        • 電路的功能定時器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長時間定時電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個來組成定時器,這樣可以減少IC的數(shù)量,事先了
        • 關鍵字: FET  輸入  OP放大器  模擬定時電路    

        英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管

        •   英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能,而且采用全隔離封裝,無需使用隔離套管和隔離膜,使安裝更加簡易、可靠。   獨具特色的是,新的TO220 FullPAK器件的內(nèi)部結(jié)到散熱器的熱阻與標準非隔離TO-220器件類似。這要歸功于英飛凌已獲得專利的擴散焊接工藝,該技術大大降低了內(nèi)部芯片到管腳的熱阻,有效地彌補了FullPAK內(nèi)部隔離層的散
        • 關鍵字: 英飛凌  肖特基二極管  SiC  

        可用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運算電路

        • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V,2象限乘法運算與幅度調(diào)制(AM)等效,可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化,以TT15、TT16特性相同為前提條件,O
        • 關鍵字: VCA  FET  幅度調(diào)制  乘法運算電路    

        使用結(jié)型FET的簡易電壓控制放大器

        • 電路的功能在VCA(電壓控制放大器)。由反饋環(huán)路組成電路時,通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中,是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
        • 關鍵字: FET  結(jié)型  電壓控制  放大器    

        Vishay推出4款MOSFET

        •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263),將其Super Junction FET®技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。   新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
        • 關鍵字: Vishay  MOSFET  FET  

        友達光電宣布收購FET公司的FED資產(chǎn)及技術

        •   友達光電1月20日宣布, 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡稱FETJ)簽署資產(chǎn)收購技術移轉(zhuǎn)協(xié)議,收購FET的場發(fā)射顯示器(field emission displays;FED)技術,該公司為全球FED技術的領導者。友達在此交易中,將取得FET顯示技術及材料的專利、技術、發(fā)明,以及相關設備等資產(chǎn)。   FED技術在快速反應時間、高效率、亮度和對比度方面不但能與傳統(tǒng)CRT相
        • 關鍵字: 友達  FED  FET  

        瞄準高端市場 友達將收購FET的部分資產(chǎn)

        •   臺灣友達科技近日宣布,他們已經(jīng)與FET公司以及FET日本公司達成了協(xié)議,友達將出資收購FET公司的部分資產(chǎn),并將因此而獲得FET公司的部分專利技術。FET公司目前在FED場射顯示技術(Field Emission Display)領域占據(jù)領先地位,索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達并表示,其收購的內(nèi)容將包括FED場射面板相 關技術專利,F(xiàn)ED技術實施方案,以及FED面板生產(chǎn)用設備等。   FED場射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優(yōu)勢,其工作原理與CRT顯示器完全相同,同樣采用
        • 關鍵字: 友達  FED  FET  

        即將普及的碳化硅器件

        •   隨綠色經(jīng)濟的興起,節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中,人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題,電能消耗約占人類總耗能的七成,提高電力利用效率被提至重要地位。   據(jù)統(tǒng)計,60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的,而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅(qū)動。在提高電力利用效率中起關鍵作用的是功率器件,也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。   在這種情況下,性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
        • 關鍵字: 豐田  SiC  碳化硅  MOSFET  200910  

        砷化鎵外延襯底市場規(guī)模將超過4億美元

        •   Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預測2008-2013”。報告總結(jié),2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達到22%,但 Strategy Analytics 預計2009年該市場將持平或轉(zhuǎn)負增長。借助下一代蜂窩手機平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件,以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求,半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復增長。   一直
        • 關鍵字: GaAs  外延襯底  FET  HBT  

        T推出具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器

        •   日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,該器件將寬泛的輸入、輕負載效率以及更小的解決方案尺寸進行完美結(jié)合,可實現(xiàn)更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機制的 1 MHz DC/DC 轉(zhuǎn)換器,與同類競爭產(chǎn)品相比,該器件在將外部輸出電容需求數(shù)量降至 32% 的同時,還可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應。該轉(zhuǎn)換器充分利用自動跳過模式與 Eco-mode 輕負載控制機制,幫助設計人員滿足能量之星/90Plus 標準的要求,從而可實現(xiàn)整個負載范圍內(nèi)的高
        • 關鍵字: TI  FET  轉(zhuǎn)換器  TPS51315  

        SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

        • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN/GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型,利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC,研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片,連續(xù)波測試顯示,頻率為9.1~10.1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W,帶內(nèi)增益大于12 dB,增益平坦度為±0.2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
        • 關鍵字: MMIC  SiC  GaN  襯底    
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        sic fet介紹

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