首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
        EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> sic fet

        sic fet 文章 最新資訊

        美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應(yīng)用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列 繼續(xù)保持在碳化硅解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位

        •   致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)用于效率至關(guān)重要的大功率工業(yè)應(yīng)用,包括用于太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)、焊接和醫(yī)療設(shè)備的解決方案。  美高森美擁有利用SiC半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)的良好條件,據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole Développement預(yù)計(jì),從201
        • 關(guān)鍵字: 美高森美  MOSFET  SiC  

        耐高溫半導(dǎo)體解決方案日益受到市場(chǎng)歡迎

        •   日前,CISSOID 公司與上海諾衛(wèi)卡電子科技有限公司簽訂在華銷(xiāo)售 CISSOID 產(chǎn)品的經(jīng)銷(xiāo)協(xié)議,后者將會(huì)幫助CISSOID公司的高溫半導(dǎo)體產(chǎn)品在中國(guó)市場(chǎng)大范圍推廣。  諾衛(wèi)卡公司將其在碳化硅方面的專(zhuān)業(yè)技術(shù)與 CISSOID 的技術(shù)及其產(chǎn)品組合完美結(jié)合在一起,形成獨(dú)一無(wú)二的競(jìng)爭(zhēng)力。例如:SiC 電源開(kāi)關(guān)專(zhuān)用的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器HADES 技術(shù);高溫 SiC MOSFET;及 SiC 傳感元件的高溫信號(hào)調(diào)節(jié)器。  CISSOID公司營(yíng)銷(xiāo)拓展副總裁Jean-Christophe Doucet先生表示,為保
        • 關(guān)鍵字: CISSOID  諾衛(wèi)卡  SiC  

        基于場(chǎng)效應(yīng)管的功率放大器設(shè)計(jì)

        • 摘要:用場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)出有膽味的音頻功率放大器。前級(jí)采用單管、甲類(lèi),后級(jí)采用甲乙類(lèi)推挽放大技術(shù)。實(shí)驗(yàn)證明差分放大器使用的對(duì)管的一致性與整機(jī)的失真程度密切相關(guān)。從聽(tīng)音效果來(lái)看,末級(jí)電流200mA是理想值。 前后級(jí)間耦合電容對(duì)聽(tīng)音影響較大,要求質(zhì)量高些。 對(duì)于音頻功率放大器而言,最好聽(tīng)的莫過(guò)于甲類(lèi)放大器。根據(jù)頻率分析的結(jié)果,由集成運(yùn)算放大器構(gòu)成的前級(jí)聲音單薄、缺乏活力。所以,可不可以前級(jí)采用單管甲類(lèi)放大器,后級(jí)采用甲乙類(lèi)功率放大器?這樣既兼顧聽(tīng)音需要,又兼顧效率的需要。目前,電子管音頻功率放大器仍然占據(jù)
        • 關(guān)鍵字: FET  場(chǎng)效應(yīng)管  功率放大器  

        用于汽車(chē)啟停的低耗能電源設(shè)計(jì)的幾種方法

        • 隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展,大多數(shù)人擁有自己的車(chē),這也使得交通變得擁堵,而汽車(chē)在高峰期的走走停停會(huì)耗掉很多的能源,不僅浪費(fèi)還污染環(huán)境。故而引進(jìn)了汽車(chē)系統(tǒng)中的“啟停”功能,但是這種系統(tǒng)也給汽車(chē)電子帶來(lái)了一些獨(dú)特的工程技術(shù)挑戰(zhàn),汽車(chē)啟停系統(tǒng)中電源設(shè)計(jì)是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車(chē)啟停的低耗能電源設(shè)計(jì)。 為了控制燃油消耗,許多汽車(chē)制造商在下一代汽車(chē)中實(shí)現(xiàn)了“啟停”功能,而且為數(shù)眾多的這種汽車(chē)已經(jīng)開(kāi)始上路。這些系統(tǒng)會(huì)在汽車(chē)停下來(lái)時(shí)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機(jī),當(dāng)腳從剎車(chē)踏板移動(dòng)
        • 關(guān)鍵字: P-FET  MOSFET  

        電容器

        •   2014年慕尼黑上海電子展產(chǎn)品亮點(diǎn)  TDK公司為變頻器提供一款采用了愛(ài)普科斯(EPCOS)?CeraLink?技術(shù)的全新直流鏈路電容器。CeraLink?技術(shù)是以PLZT陶瓷材料為基礎(chǔ)(鉛鑭鋯鈦酸),使用的容值范圍為1?微法?至100?微法,額定直流電壓為400?伏。另一款電容器的額定直流電壓為800伏,容值為5?微法。  CeraLink?新技術(shù)在功率變換器的直流鏈路的穩(wěn)定性和濾波方面具有很多優(yōu)勢(shì)-特別與傳統(tǒng)電容器技術(shù)相比:由于該款新電容
        • 關(guān)鍵字: TDK  電容器  CeraLink  SiC  

        新電源模塊如何解決關(guān)鍵設(shè)計(jì)問(wèn)題

        • 新型靈活應(yīng)用的高密度電源模塊現(xiàn)在能夠以易于使用的集成封裝提供先進(jìn)的電熱性能。系統(tǒng)性能的提升促進(jìn)了對(duì)更高功率電源的要求,以及由于需要快速實(shí)現(xiàn)收入的壓力迫使設(shè)計(jì)人員縮短開(kāi)發(fā)周期,從而對(duì)全功能、快速實(shí)現(xiàn)電源解決方案的需要呈激增之勢(shì)。電源模塊可以解決這些問(wèn)題,并提供系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員所需的靈活性和性能,幫助他們從最小的空間獲得最大的功率
        • 關(guān)鍵字: 新電源  FET  ISL8225  

        Silego公司推出體積小一倍電流為4.5A的雙通道全功能負(fù)載開(kāi)關(guān)

        •   2014年3月17日Silego于美國(guó)加州圣克拉拉推出一款基于Silego亞微米銅制程電源FET技術(shù)的16?mΩ雙通道GreenFET3?負(fù)載開(kāi)關(guān)產(chǎn)品即SLG59M1527V。該款負(fù)載開(kāi)關(guān)每條通道最高電流可達(dá)到?4.5A?、總電流高達(dá)9.0A。并且引用Silego?CuFETTM?技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、外形尺寸最小同時(shí)可靠性提高。  SLG59M1527V是一款以14?pin腳、尺寸為1.0?x?3.0?
        • 關(guān)鍵字: Silego  FET  SLG59M1527V  

        新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈

        •   與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比,SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加,同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。   SiC功率半導(dǎo)體方面,在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型,尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一,因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后,采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
        • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

        研究人員以硼/氮共摻雜實(shí)現(xiàn)石墨烯能隙

        •   韓國(guó)蔚山科技大學(xué)(UNIST)的研究人員們宣稱(chēng)開(kāi)發(fā)出一種可大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米微板的方法,從而可實(shí)現(xiàn)基于石墨烯的場(chǎng)效電晶體(FET)制造與設(shè)計(jì)。   由Jong-BeomBaek主導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)們采用一種BBr3/CCl4/N2的簡(jiǎn)單溶劑熱反應(yīng),大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米管,即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。   石墨烯自2004年經(jīng)由實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)后,已經(jīng)開(kāi)發(fā)出各種方法來(lái)制造基于石墨烯的FET,包括摻雜石墨烯打造成石墨烯狀的奈米帶,以及利用氮化硼作為支柱。在各種控制石墨烯
        • 關(guān)鍵字: 石墨烯  FET  

        汽車(chē)啟動(dòng)/停止系統(tǒng)電源方案

        • 為了限制油耗,一些汽車(chē)制造商在其新一代車(chē)型中應(yīng)用了“啟動(dòng)/停止”(Start/Stop)功能。當(dāng)汽車(chē)停下來(lái)時(shí),這些創(chuàng)新的新系統(tǒng)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機(jī);而當(dāng)駕駛?cè)说哪_從剎車(chē)踏板移向油門(mén)踏板時(shí),就自動(dòng)重新啟動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)。這就幫助降低市區(qū)駕車(chē)及停停走走式的交通繁忙期時(shí)的油耗。
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  二極管  PCB  穩(wěn)壓器  P-FET  

        如何針對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓而進(jìn)行緩沖

        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
        • 關(guān)鍵字: 反向轉(zhuǎn)換器  FET  關(guān)斷電壓  緩沖  漏極電感  

        在光伏逆變器中運(yùn)用SiC BJT實(shí)現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本

        • 最近,碳化硅(SiC)的使用為BJT賦予了新的生命,生產(chǎn)出一款可實(shí)現(xiàn)更高功率密度、更低系統(tǒng)成本且設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)易的...
        • 關(guān)鍵字: 光伏逆變器  SiC  BJT  

        通過(guò)基片薄型化降低導(dǎo)通電阻漸成趨勢(shì)

        •   通過(guò)減薄SiC二極管的基片厚度來(lái)減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢(shì)在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于,越是低耐壓產(chǎn)品,基片上層積的漂移層就越薄,因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中,基片的電阻成分所占比例就越大。   目前,SiC基片的厚度以350μm為主流,超薄產(chǎn)品也要達(dá)到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度,許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。   比如,羅姆通過(guò)研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm,并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管
        • 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī)  SiC  

        SiC二極管 通過(guò)基片薄型化降低導(dǎo)通電阻

        •   通過(guò)減薄SiC二極管的基片厚度來(lái)減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢(shì)在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于,越是低耐壓產(chǎn)品,基片上層積的漂移層就越薄,因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中,基片的電阻成分所占比例就越大。   目前,SiC基片的厚度以350μm為主流,超薄產(chǎn)品也要達(dá)到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度,許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。   比如,羅姆通過(guò)研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm,并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管
        • 關(guān)鍵字: SiC  二極管  

        新日本無(wú)線新推出粗銅線絲焊類(lèi)型的音頻SiC-SBD

        • 新日本無(wú)線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode),粗銅線有利于降低損耗提高效率,SiC-SBD專(zhuān)長(zhǎng)于高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作,再加上注重最佳音質(zhì)的制造工藝技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)高音質(zhì)音響效果。
        • 關(guān)鍵字: 新日本無(wú)線  SiC-SBD  MUSES  
        共571條 32/39 |‹ « 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 »

        sic fet介紹

        您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條sic fet!
        歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)sic fet的理解,并與今后在此搜索sic fet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

        熱門(mén)主題

        樹(shù)莓派    linux   
        關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
        Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
        《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
        備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
        主站蜘蛛池模板: 育儿| 射阳县| 青海省| 五家渠市| 二连浩特市| 雅安市| 长阳| 小金县| 内江市| 承德市| 嘉鱼县| 织金县| 长宁县| 精河县| 连山| 丹寨县| 浏阳市| 鹰潭市| 荣成市| 扎兰屯市| 肃宁县| 普定县| 义乌市| 临夏市| 遂平县| 南涧| 郑州市| 客服| 华蓥市| 集安市| 泸西县| 桦南县| 镇平县| 天镇县| 长沙县| 四川省| 商洛市| 花莲市| 武夷山市| 漯河市| 常德市|