- 介紹了一款滿足于5G通信發展要求，工作頻率高增益，高線性度，高三階交調點的射頻放大器的設計。采用砷化鎵異質結晶體管（GaAs HBT）工藝，基于達林頓結構進行設計。在原有結構基礎上，添加了偏置結構，一方面提高了放大器工作狀態的線性度，提高了三階交調點指標；另一方面保證晶體管工作電流在-55℃，125℃工作狀態下保持穩定。放大器能夠工作在10 MHz~4 GHz，輸出三階交調點達到40 dBm，線性度高，適用于5G通信信號處理系統。
- 關鍵字：
202306 射頻放大器 GaAs HBT 三階交調點 高線性度
- 摘要：針對WIFI 6E頻段的設備需求，設計了一款工作在5.9?GHz~7.2?GHz的寬帶砷化鎵異質結雙極型晶體
管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器為三級放大拓撲結構，采用自適應偏置電路結構解決HBT晶體管在
大功率輸入下偏置點變化及自熱效應引起增益及線性度惡化的問題。測試結果表明，在5.9?GHz~7.2?GHz頻段
內，功率放大器增益＞27?dB，輸出飽和功率＞1?W，附加效率＞24 %，芯片面積：1.24?mm×1.27?mm。關鍵詞：功率放大器；WIFI 6E；GaAs HBT近
- 關鍵字：
202206 功率放大器 WIFI 6E GaAs HBT
- 本文介紹了一款用于無線局域網802.11n的10W功率放大芯片。該芯片具有高功率、高增益、高效率和高集成度的特點，并且使用方便。芯片采用GaAs HBT技術，芯片面積僅為10mm×10mm。功率放大器采用了熱分流式結構，飽和輸出功率可達41dBm，功率附加效率達到40%，功率增益為38dB。此外芯片內部設計了50歐姆的輸入輸出匹配電路與片內ESD保護電路，方便用戶安全使用。
- 關鍵字：
功率放大器 802.11n GaAs HBT 熱分流 201604
- 2011年9月13日 日本東京訊—高級半導體廠商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出新款SiGe:C異質接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網絡系統、衛星無線電及類似應用。本裝置的制程采用全新開發的硅鍺：碳(SiGe:C)材料 (注2) 并達到領先業界的低噪聲效能。
- 關鍵字：
瑞薩 晶體管 SiGe:C HBT
- 本文設計了四種結構的射頻有源電感， 其中包括兩種正電感和兩種負電感。研究結果表明由晶體管構成的有源電感的性能受晶體管的組態及偏置影響較大。四種電路結構中，由共射放大器與共集放大器級聯反饋構成的有源電感性能較好。采用回轉器原理實現的有源電感，電感值不隨面積減小而減小。改變晶體管的偏置電壓，有源電感具有可調諧性。
- 關鍵字：
電感 設計 有源 射頻 SiGe HBT 基于
- Avago Technologies(安華高科技)今日宣布推出兩款新經濟型容易使用的通用InGaP異質結雙極晶體管(HBT, Hetero-Junction Bipolar Transistor) MMIC增益方塊放大器產品，適合各種不同的無線通信應用。于DC到6,000MHz頻帶工作，Avago的AVT-51663/53663增益方塊可以作為寬帶增益方塊或驅動放大器使用，這些面向移動通信基礎設施應用設計的增益方塊也可以使用在如基站、WiMAX、WLAN、CATV、衛星電視和機頂盒等各種其他無線通信應
- 關鍵字：
Avago 放大器 晶體管 HBT
- Strategy Analytics 發布最新年度預測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預測2008-2013”。報告總結，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達到22%，但 Strategy Analytics 預計2009年該市場將持平或轉負增長。借助下一代蜂窩手機平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復增長。
一直
- 關鍵字：
GaAs 外延襯底 FET HBT
- 0 引言
SiGe基區異質結雙極型晶體管(SiGe HBT)是利用SiGe合金特性制成的器件。自1987年采用MBE技術首次制作出SiGe基區HBT以來，SiGe集成電路的規模和電路的速度不斷發展，電流增益和頻率響應等性能已經接近或達到了化合物異質結器件的水平。而SiGe異質結技術和傳統的Si集成電路相比，在工藝上并未增加大的復雜性，且成本低于化合物半導體器件。最新的SiGe HBT的研究表明已研制出超過200 GHz電流增益峰值達到400的晶體管，并且低溫下fT達到200 GHz的SiGeHBT也
- 關鍵字：
HBT
hbt介紹
您好，目前還沒有人創建詞條hbt!
歡迎您創建該詞條，闡述對hbt的理解，并與今后在此搜索hbt的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
