- 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV/HEV車(電動汽車/混合動力車)和工業設備的變頻驅動，開發出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開發的高耐熱樹脂，世界首家實現了壓鑄模類型、225℃高溫下工作，并可與現在使用Si器件的模塊同樣實現小型和低成本封裝，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
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羅姆 SiC
- 據羅姆中國營業本部村井美裕介紹，面對未來的50年，羅姆提出了“相乘戰略”、“功率器件戰略”、“LED戰略”和“傳感器戰略”四大企業戰略。
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羅姆 SiC LED
- 簡介
一提到電源設計，大多數工程師都會感到撓頭，他們往往會問，“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓撲——包括降壓、升壓、flyback、半橋和全橋等。
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intersil FET DC/DC
- 富士電機計劃生產采用碳化硅作為原料的功率半導體，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設一條產線，此為該公司首次在自家工廠設置碳化硅功率半導體的產線，未來預計在2012年春季開始量產。
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富士電機 SiC
- 引言 隨著現代技術的發展， 功率放大器已成為無線通信系統中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產生技術已成為現代通信對抗的關鍵技術。作為第三代半導體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導率、高擊穿場
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設計 分析 模塊 功率放大器 寬帶 SiC
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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SiC 寬帶功率放大器 模塊設計 放大電路
- 您可以通過周期性地收集大量的ADC輸出轉換采樣來生成FFT圖。一般而言，ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
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FET
- 現在；一臺臺電源，幾乎都能發現FET的影子。幾乎每個電源工程師都用過這東西，或用來逆變；或用來整流；或就當個開關...
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FET
- 安川電機試制出了利用SiC功率元件的電動汽車（EV）行駛系統（圖1）。該系統由行駛馬達及馬達的驅動部構成。通過...
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安川電機 EV行駛系統 SiC
- CISSOID，在高溫半導體方案的領導者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關)的新成員.火星是一個高溫度30V小訊號P-FET場效應管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護放大器.
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CISSOID P-FET
- 在由Xilinx主辦的會議上市調公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有關全球ASIC市場的報告。Semico對于傳統的ASIC市場將只有低增長的預測,而可編程邏輯電路(PLD)在帶寬與可移動聯結等日益增長的需求推動下將有大的發展。
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Xilinx Semico SIC
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