所有關于醫療應用的產品在要求高可靠性的同時，仍然需要提供終端用戶想要的新技術與功能。由于各醫療設備...
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智能MOSFET 醫療電子 FET
電路的功能定時器專用IC有NE555和C-MOS單穩態多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長時間定時電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個來組成定時器，這樣可以減少IC的數量，事先了
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FET 輸入 OP放大器 模擬
采用IMEC的SiC技術完成生物電信號采集,人體信息監控是一個新興的領域，人們設想開發無線腦電圖(EEG)監控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網實現家庭監護。這樣的無線EEG系統已經有了，但如何將他們的體積
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IMEC SiC 生物電信號采集
日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開始投入量產。該產品的內置功率半導體元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)構成。
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羅姆 半導體 SiC
電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運算與幅度調制（AM）等效，可作為低頻調制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
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VCA FET 幅度調制 乘法運算
由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優點，SiC功率器件被廣泛應用于電動汽車/混合動力車中的逆變器、轉換器、PFC電路等領域、傳統工業(尤其是軍工)中的功率轉換領域以及太陽能、風能等新能源中的整流、逆變等領域，很多半導體廠商都看好SiC技術的未來，并積極投身其中，在08年收購生產SiC晶圓的德國SiCrystal公司之后，羅姆半導體(ROHM)已經在SiC領域形成了從晶圓制造、前期工序、后期工序再到功率模塊的一條龍生產體系，并率先市場SiC器件的量產，羅姆要將SiC器件應用于哪些新興領域?如何發揮其
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羅姆 太陽能 SiC
音響發燒友在孜孜不倦的追求目標，就是自己的音響器材有更純真更自然的音質表現，單端純甲類功放，音質醇厚,偶次 ...
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單端 FET 甲類 功放
電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產廠已分了幾種等級，但一個等級內仍有差別，如果在組裝電路之前測量實際工作電流狀態下的VP和VOS則比較方便。測量時，
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VOO 檢驗 電路 VP FET 結合 使用 萬用表
隔離式FET脈沖驅動器原理及設計三相控制整流器和變換器、矩陣循環換流器以及級聯功率級一般都含有大量功率 ...
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隔離式 FET 脈沖驅動器
電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環路組成電路時，通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發生變
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FET 結型 電壓控制 放大器電路
在嚴苛的汽車環境中，各種功率場效應晶體管(power FET，功率FET)，被一貫地認為可承受極端的溫度變化和熱機械應力。間歇性短路、寒冷的運行環境、高壓電弧或有噪聲性短路，連同電感負載及多次短路久而久之會讓該器件疲損，致使其進入開路、短路或阻性模式。
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RTP器件 FET
全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)復合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產品在單一封裝中結合了多個碳化硅二極管和多個功率晶體管，組成電源轉換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個功率半導體產品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電(如空調)、PC服務器和太陽能發電系統等電力電子產品。
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瑞薩電子 功率器件 SiC
碳化硅(SiC)功率器件領域的市場領先者科銳公司將繼續引領高效率電子電力模組變革，宣布推出業界首款符合全面認證的可應用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件?？其J碳化硅ZFET MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路，與傳統硅器件相比，可實現更高的能源效率。
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科銳 SiC MOSFET
在計算和消費電子產品中，效率已經有了顯著的提高，重點是AC/DC轉換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規范的出現，設計人員開始認識到，AC/DC和DC/DC功率系統都需要改進?！ C/DC平均系統
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改善 能量 效率 開關 FET 優化 變換器 通過
日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業設備，與擁有電力系統和電源封裝技術的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯合開發出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統的Si模塊的設計，由于最大限度地利用了SiC器件的特點，從而大幅改善了電氣特性、機械特性，同時實現了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
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羅姆 SiC MOS
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