大陸韓國擴產競賽 Flash后年產能恐過剩

　　儲存型快閃存儲(NANDFlash)軍備競賽再起，南韓存儲大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元)，在南韓及大陸兩地增加存儲產能;紫光集團旗下的長江存儲武漢廠，也預定本月底正式動土，都為2018年供給過于求再現，埋下隱憂。

　　目前各市調機構均看好明年NANDFlash仍處于供不應求局面，但南韓存儲大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲廠，在中國大陸也將加碼投資9,500億韓元，擴充產能，希望市占率能趕上三星，但也為NANDFlash市場投下新變數。

　　稍早三星和美光也都宣布進一步擴產行動。三星也正于京畿道平澤建設新廠，預定2017年上半啟用，第一期投資額15.6兆韓元(134億美元)，估計12寸晶圓產量可達20萬片，雖然三星還未敲定生產項目，但市場推測，因三星DRAM市占已接近跨過50%門檻，有反托辣斯法要求分割疑慮，應仍會以發展3DNANDFlash為主。

　　半導體設備廠透露，目前六大NANDFlash芯片廠都有持續擴充NANDFlash芯片計劃，不過在各家從2D轉3DNAND芯片，因制程難度高，造成供應不足，使今年NAND芯片供應短缺，預料隨3DNAND芯片下半年制程逐步順利，缺貨問題會逐漸紓解。

　　大陸NANDFLASH狂飆，2020年產能拼增近7倍

　　中國大陸業者在NANDFlash產業鏈的相關布局與投資不斷開展，成為大陸半導體業揮軍全球的下一波焦點。集邦科技旗下拓墣產業研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，以及國際大廠如三星、英特爾增加產能，預估2020年大陸當地NANDFlash月產能達59萬片，相較于2015年成長近7倍。

　　集邦預估，2012～2016年NANDFlash生產端年平均位元成長率達47%，其終端消費端需求年平均位元成長率亦高達46%，顯示NANDFlash仍為高速發展產業。拓墣研究經理林建宏表示，中國大陸在突破存儲自制缺口的政策方針下，將發展NANDFlash晶圓制造，可由NANDFlash產品特性、3DNAND需求、新興市場的成長空間及國際半導體大廠在大陸投資四大方向切入。

　　在NANDFlash產品特性部分，產品在消費性應用下，價格是主要考量，因此生產成本的控制至為關鍵。大陸廠商宜透過折舊認列年限調整、租賃、稅負與資金成本等因素操作為切入點。

　　在制程微縮部分，NANDFlash在進入2x奈米世代后，制程微縮帶來的成本優勢越來越不明顯，推遲國際NANDFlash大廠技術進程，因此3DNANDFlash成為成本繼續降低的重要方法。林建宏指出，產品由2D走到3D，需有新的技術領域加入，若能整合跨領域人才和技術，能成為大陸廠商追趕的機會。

　　在市場需求上，雖然NANDFlash產業短期仍處于供過于求，但長期而言新興市場仍有成長空間。大陸隨著一帶一路政策發展的策略，對開發其周遭新興市場需求有相當助益，妥善安排資源與發揮對新興國家的影響力，將是大陸獨有的優勢所在，也可創造出更多元的NANDFlash需求。

　　另外，國際半導體廠商積極投入大陸市場，在當地培養有經驗和技術的人才，支持廠房運維的高度需求，有助降低大陸當地業者發展自主NANDFlash制造的門檻。大陸透過廣大的人力和市場成功吸引國際廠商的進駐，為大陸發展NANDFlash產業帶來最好機會。

　　目前在大陸當地生產NANDFlash的業者以三星為主，英特爾已決定將大連廠改為NANDFlash廠，預計自今年第4季加入生產行列。在當地業者部分，武漢新芯已決定新建存儲晶圓廠，將從3月底開始進行建廠工程，目標最快在2018年年初開始生存儲芯片，初期規畫將以目前最先進的3D-NANDFlash為主要策略產品，代表了近兩年來中國大陸極力發展存儲產業的態勢下，將開始進入新的里程碑。