中國砸銀彈扶植半導體進度、成效驚人，國際半導體設備材料產業協會(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)上周五發布最新報告指出，今明兩年全球新增的半導體產能，預估有超過一半都將來自中國。
據SEMI表示，全球2016-2017年共將興建17座半導體廠，當中有10座設在中國，其中兩座生產存儲器、晶圓代工四座、剩余四座規模較小，主要生產類比式芯片、微機電系統(Micro Electro Mechanical Systems)與
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半導體 NAND
蘋果iPhone 7已展開備貨，記憶體容量倍增，銷售也看好，業界預期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉，大廠的產能將轉向NAND快閃記憶體，這將帶動DRAM市況也趨健康，記憶體模組廠創見、威剛、宇瞻等，預估下半年營運會比上半年好。
創見預期今年記憶體市況將比去年好轉，主要因上游大廠資本支出較保守，產能增加有限，致使價格趨緩跌;受惠智能手機等產品儲存容量不斷上升，加上SSD取代硬盤態勢成形，SSD需求強勁，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。
威剛董事長陳立白日
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NAND DRAM
為什么燒錄Nand Flash經常失敗?為什么燒錄成功了，一部分Nand芯片貼板之后系統卻運行不起來?…，等等，問了那么多為什么，那我反問一個問題：你了解Nand Flash的特性及其燒錄關鍵點嗎?
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一、Nand flash的特性
1、位翻轉
在 NAND 閃存是通過對存儲單元(Cell)進行充電來完成數據存儲的，存儲單元的閾值電壓就對應著數據值。當讀取的時候，通過將它的閾值電壓與參考點對比來獲得其數據值。對SLC 而言，就只有兩種狀態和一個
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Nand 燒錄
存儲器是一個嚴格按照摩爾定律前進、追求低成本的規模經濟產業，想做起來太難，在過去的年月里，能夠聽到的只有不斷退出的失敗悲歌，中國這次能否在存儲器市場占有一定規模呢？
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存儲器 NAND
TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報告顯示，在平均銷售單價下滑幅度明顯高于位元出貨量成長的情況下，第一季NAND Flash品牌商營收較去年第四季下滑2.9%，已連續兩個季衰退。
2016年第一季全球NAND Flash市況持續受供過于求影響，通路顆粒合約價下滑約10%;智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦出貨大幅衰退也讓eMMC、用戶級固態硬碟(SSD)跌價幅度擴大至13~18%。
TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報告顯示
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NAND 英特爾
全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應商慧榮科技總經理茍嘉章昨(21)日表示，固態硬碟(SSD)價格已到甜蜜點，今年出貨將大爆發，成為成長最強勁的記憶體產品;法人預估臺廠概念股群聯、創見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等，可望掀比價效應。
慧榮是以臺灣為研發重心，立足全球的國際公司，上周五(20日)股價以每股42.19美元創2005年6月在美國那斯達克掛牌以來新高，市值達1.48億美元(約新臺幣48.5億元)，同創歷史新高。
茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會后，針對今年NAND Fl
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NAND Flash
紅色供應鏈來勢洶洶，外界原本認為，陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地，不過有分析師預測，陸廠研發腳步迅速，可能2018年就能量產3D NAND。
巴 倫(Barronˋs)6日報導，美系外資晶片設備分析師Atif Malik稱，中國透過Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術授權。2月份，Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發和交叉授權協定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate
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新芯 NAND
全球大部分半導體產業都可能籠罩陰霾，但韓國三星電子憑借強大的技術優勢可以擴大部分關鍵產品的市場份額，甚至可能提高營收。這將使三星在逆境中表現優于多數同業。
全球個人電腦(PC)銷量下降，以及智能手機增長放緩，讓半導體產業遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬。
高通曾表示，第三財季芯片(晶片)出貨量可能下降達22%。SK海力士周二公布季度營業利潤下降65%，這是其三年來的最差業績。
將于周四公布第一季財報的三星，也難免遇挫。市場廣泛預計三星芯片獲利將會下降，一些分析師預測1-
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DRAM NAND
中國大陸業者在NANDFlash產業鏈的相關布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導體業揮軍全球的下一波焦點。
某研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，及國際廠如三星、英特爾增加產能，預估2020年中國大陸國內Flash月產能達59萬片，相較于2015年增長近7倍。
預估2012~2016年NANDFlash生產端年平均位元增長率達47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%，顯示NANDFlash仍為高速發展產業。
拓墣
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Flash 晶圓
中國大陸業者在NAND Flash產業鏈的相關布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導體業揮軍全球的下一波焦點。TrendForce旗下拓墣產業研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，及國際廠如三星、英特爾增加產能，預估2020年中國大陸國內Flash月產能達59萬片，相較于2015年增長近7倍。
TrendForce預估2012~2016年NAND Flash生產端年平均位元增長率達47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%，顯示NAND Flash仍為高速發
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Flash NAND
蘋果已經秘密與三星談下合作，在iPhone上采用三星的NAND閃存芯片。時隔5年，蘋果再一次采用了三星的NAND flash。先前也有消息指出iPhone將會采用AMOLED屏幕。
先前蘋果不用三星閃存，是因為三星希望在閃存顆粒封裝上采用特殊圖層的方式來做電池干擾屏蔽，但是三星并不愿意做。如今臺灣供應商發出了噴涂圖層工藝，三星有望使用這個技術，來讓閃存顆粒滿足蘋果的EMI屏蔽標準。又因為這一工藝較為廉價，所以三星比較重視。
使用三星NAND閃存顆粒+AMOLED
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蘋果 NAND
傳聞三星電子(Samsung Electronics)半導體暨裝置解決方案事業部(DS)正與多家業者共同進行EMI遮蔽制程研發，有意重啟對蘋果(Apple)供應NAND Flash存儲器，過去4年來三星電子與蘋果的NAND Flash交易中斷。
據韓媒ET News報導，日前業界表示，三星電子正與PROTEC、諾信(Nordon Asymtek)、韓松化學(Hansol Chemical)、Ntrium等多家點膠機(Dispense)業者，共同研發以噴涂(Spray)方式進行EMI遮蔽制程。
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三星 NAND
韓廠積極打進蘋果iPhone供應鏈。韓國媒體報導，三星電子計畫提供NAND型快閃記憶體給iPhone，這將是睽違4年后三星電子NAND型快閃記憶體重返iPhone供應鏈。
韓國網站媒體ET News報導，蘋果從2012年iPhone 5推出開始，就沒有采用三星電子(Samsung Electronics)的NAND型快閃記憶體，在于三星電子并未接受蘋果要求、在NAND型快閃記憶體封裝技術上采用電磁干擾屏蔽(EMI shielding;Electro Magnetic Interference s
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三星 NAND
大陸國營企業武漢新芯(XMC)最近發表約240億美元的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產NAND Flash為主的半導體工廠。依韓國業界看法，武漢新芯與三星電子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技術差距，但將是大陸市場上的潛在最大對手。
據韓聯社報導，大武漢新芯最近發表27兆韓元(約240億美元)的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產NAND Flash為主的半導體工廠。地方政府已從投資機構湖北省集成電路產業投資基金方面取得鉅額資金。
韓聯社引述EE Times
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新芯 NAND
國內大力扶持存儲，各種巨額的投資項目爭議不小，但是為了存儲自主的未來，也值。
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存儲器 3D NAND
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [
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