- 當前,不論DRAM還是NAND Flash等存儲器,中國市場基本上100%依賴進口,這使得產業(yè)發(fā)展需求也最為迫切。因此,現(xiàn)階段在政府的支持下,除了紫光集團旗下的長江存儲已經在武漢建設NAND Flash工廠,預計2018年下半年量產之外,其他包括安徽合肥、福建晉江也有團隊在進行DRAM研發(fā),這使得未來幾年,中國生產存儲就會逐漸進入市場。
對此,韓國企業(yè)也開始關注中國競爭對手的加入。韓國預測,在2022年時會因為中國競爭的影響,韓國企業(yè)將減少78億美元的存儲器的銷售金額。
根據(jù)韓國媒體《et
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存儲器 NAND
- 根據(jù)Gartner的報告顯示,在過去的2017年中,三星已經成功取代英特爾,搶下了全球最大芯片制造商的寶座。要知道,英特爾從1992年就一直占據(jù)著這一寶座,如今被三星超越實在是無奈,因為沒有人能預料到這兩年內存市場會如此強勁。
也許大家都快忘記了,兩年前8GB的內存條價格還不到200元,然后8GB內存條的價格一路上漲到300多、500多、700多,甚至一度要突破千元大關,用了幾年的二手內存條都還能大賺一筆。內存價格的飆升也帶動了整個半導體產業(yè)的增長,其中三星獲益匪淺,
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NAND DRAM
- IHS Markit研究指出,2017年全球半導體市場營收達到4291億美元,與2016年相較成長了21.7%,年成長率創(chuàng)下近14年新高。 而三星也借著53.6%的年成長率,取代蟬連25年的英特爾成為2017年全球最大半導體廠商。
在前20大半導體廠商中,SK海力士(SK Hynix)的營收成長幅度最大,較2016年成長81.2%;美光科技(Micron)居次,營收較2016年成長了79.7%。 對此,IHS Markit半導體供應鏈分析師Teevens表示,強勁的需求以及價格上漲,是企業(yè)營收大
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三星 NAND
- 分析師從中整理出一些有趣的現(xiàn)象。
華為公司在2017年第四季度的全閃存陣列銷售競爭當中可謂橫空出世,較上年同期飆升十倍。與此同時,NetApp的A系列產品銷售額亦增長超過四倍。
當然,這兩輪飛躍主要源自相對較小的原有銷售份額——分別為730萬美元與4680萬美元。不過增長是實實在在的,如今華為公司銷售額已經達到8410萬美元,這意味著買家完全能夠給今天新興廠商一些機會。
相關數(shù)據(jù)來自NetApp公司的分析師日活動,并由富國銀行分析師Aaron Rakers整理
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閃存
- 位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產機臺11日正式進場安裝,這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產準備階段,我國首批擁有完全自主知識產權的32層三維NAND閃存芯片將于年內量產,從而填補我國主流存儲器領域空白。
目前,我國通用存儲器基本全部依賴進口,國家存儲器基地于2017年成功研發(fā)我國首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由1000人的團隊歷時2年自主研發(fā)的芯片,是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片,有望使我國進入全球存儲芯片第
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NAND 存儲器
- DRAM工藝尺寸的縮減正在面臨基本的物理限制,目前還有沒有明確的解決方案,由于印刷需求的推動,DRAM的清洗復雜度也在增加。
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DRAM NAND
- 近年來,全球信息技術創(chuàng)新進入密集發(fā)生期,呈現(xiàn)多方向、寬前沿、集群式等特征,有望引發(fā)產業(yè)格局重大調整。這有助于我國電子信息產業(yè)打破因核心關鍵技術缺失帶來的低端鎖定,加快邁向全球價值鏈中高端,迎來從跟跑到并跑乃至領跑的歷史契機。
工業(yè)和信息化部副部長羅文8日在深圳舉行的全國電子信息行業(yè)工作座談會上透露,2017年我國規(guī)模以上電子信息產業(yè)整體規(guī)模達18.5萬億元,手機、計算機和彩電產量穩(wěn)居全球第一,在通信設備、互聯(lián)網等領域涌現(xiàn)了一批具有全球競爭力的龍頭企業(yè)。
據(jù)前瞻產業(yè)研究院《電子信息制造業(yè)發(fā)展
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AMOLED NAND
- 全球半導體行業(yè)在2017年創(chuàng)下了10年以來的最好成績,年收入比2016年增長了22%,達到4291億美元。
這是根據(jù)英國分析公司IHS Markit的新統(tǒng)計數(shù)據(jù)得出的,HIS認為市場對內存芯片處理能力需求的大幅增加歸因于新興應用如大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網和機器學習。
這一需求的增長使得三星電子作為全球領先芯片制造商占據(jù)第一位置,領先于競爭對手英特爾,而英特爾已經占據(jù)第一的位置有25年之久。2017年,三星的收入增長了54%。
IHS表示,動態(tài)隨機存取存儲器芯片的銷售總額增長了77%,而閃存芯片
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內存 NAND
- 中國已經提出,提高從美國進口半導體芯片的比例,取代來自韓國和中國臺灣的產品。
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DRAM NAND
- 在當前NandFlash存儲器仍舊供不應求,市場價格依舊居高不下的情況下,日前全球NandFlash存儲器龍頭企業(yè)的韓國三星,日前宣布將在本月底正式動工的中國西安NandFlash存儲器廠的擴建計劃,28日正式動工,預計將在2019年完工啟用。
據(jù)了解,該項總金額高達70億美元,工程期間達到3年的擴廠計劃,是三星在2017年的8月間所宣布。目前三星西安廠的第一期產線是在2014年所建置,月產能為12萬片。如今,新的產線動工建置,未來完成之后將可再為三星增加每月20萬片的產能。
只是,該新的
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三星 NAND
- 美光科技嵌入式產品事業(yè)部市場副總裁Kris Baxter在2018年“慕尼黑上海電子展”期間,介紹了美光及多家行業(yè)分析師對存儲器尤其是嵌入式存儲器市場的預測,重點是DRAM和NAND在汽車和工業(yè)領域的趨勢。
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存儲器 DRAM NAND 汽車 攝像頭 201804
- 閃存產品正走在發(fā)展的快車道上,智能手機、自動駕駛汽車、數(shù)據(jù)中心等需求廣闊,極大推進了發(fā)展。不過,Digitimes 3月14日發(fā)回報道,3月9日,三星位于Pyeongtaek(平澤市)的閃存工廠出現(xiàn)停電事故,TechNews預計損失相當于3月份的全球供應的3.5%。
雖然停電僅持續(xù)了半小時,但依然損壞了5000~6000片晶圓,是三星3月產量的11%。
三星方面則表示,備用電源(設計為20分鐘)的有效啟動應對了突發(fā)狀況,所以不會對閃存運營造成顯著影響。
據(jù)DRAMeXchange(集
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三星 閃存
- 美光科技有限公司今日宣布推出三種全新 64 層第二代 3D NAND 存儲產品,這三種產品均支持高速通用閃存存儲 (UFS) 2.1 標準。全新美光移動 3D NAND 產品提供 256GB、128GB 和 64GB 三種容量選擇。 該全新移動解決方案基于美光業(yè)界領先的三級單元 (TLC) 3D NAND 技術,
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美光 NAND
- 去年,日本東芝公司和美國貝恩資本領軍的財團達成協(xié)議,以180億美元變賣寶貴的閃存芯片業(yè)務。據(jù)外媒最新消息,這一交易無法在預期的三月底(本財年結束)獲得通過,但這將是東芝的一個好消息,東芝有望獲得更高的賣價,或選擇上市。
據(jù)彭博社引述消息人士報道,目前中國政府相關部門正在審核東芝轉讓閃存業(yè)務的交易,目前仍然未批準,另外在三月底之前通過審批的可能性不大。
日本一位科技行業(yè)分析師表示,東芝在三月底之前完成這一交易的可能性非常微小,中國相關機構不太可能執(zhí)行一個有利于東芝公司的時間表。
東芝是
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東芝 閃存
- 打造萬億級產業(yè)集群,推動武漢經濟高質量發(fā)展。春節(jié)闔家團圓之時,仍有大量建設者、生產者堅守崗位,為城市發(fā)展貢獻“加速度”。過年期間,分布在譽為“黃金大道”的8公里左嶺大道上的多個重大產業(yè)項目上,有超過2000多人堅守崗位過大年,光谷“芯片—顯示—智能終端”萬億級產業(yè)集群正在“加速度”中加快鍛造。
在國家存儲器基地,有600多人在建設工地上忙碌。據(jù)了解,目前,他們正在進行廠內潔凈室
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存儲器 NAND
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