- 外界普遍認為，中國存儲芯片公司逐步擴大產能，全球內存閃存芯片市場的價格有望出現下降。
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內存 閃存
- 對于關注國產內存、閃存的用戶來說，從明年開始將會有實質性的成果，因為長江存儲、晉華集成電路以及合肥Innotro存儲都將量產。據臺灣電子時報報道稱，2019年，中國大陸地區將有三家存儲芯片廠竣工并投入量產。目前，長江存儲正在準備的第一個訂單是，生產8GB容量的SD存儲卡，訂單規模為一萬套32層3D NAND閃存芯片。 在新產品方面，長江存儲正在研發64層的3D NAND閃存，計劃在2018年年底前推出樣品。 跟長江存儲不同的是，晉華公司和Innotron主要負責DRAM內存芯片的制造。據說前者已經
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存儲 閃存
- 今年下半年，隨著長江存儲、福建晉華、合肥長鑫國內三大存儲廠商相繼進入試產階段，中國存儲產業將迎來發展的關鍵階段。業界認為，國內存儲產業發展初期雖難大舉撼動全球版圖，但或將對全球存儲市場價格走勢造成影響。 而隨著中美貿易局勢的緊張，以及中國監管機構正式啟動對三星、美光、SK海力士等存儲機構的反壟斷調查，中國存儲產業的發展也愈發受到關注。 目前，中國存儲器產業已經形成以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動式內存的合肥長鑫，以及致力于利基型內存的福建晉華三大陣營。 近期傳出合肥長鑫投產8
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NAND DRAM
- 據韓國媒體報道稱，三星已經上調了今明兩年在NAND生產上的投資，總計高達150億美元，這主要用于擴大韓國平澤工廠以及中國西安工廠的3D NAND產能。報道中提到，三星如此投資，只是為了提高NAND產量，所以未來SSD的繼續降價是基本沒懸念的事。 全球NAND閃存市場份額中，三星排名第一，占有率達到37%，其一舉一動直接影響整個行業的發展，而此番投資NAND領域以擴大產能，也勢必讓競爭對手采用同樣的策略。 有報道稱，東芝/西數、美光、SK Hynix及Intel都在大舉投資NAND產能，今年底到明年
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三星 NAND
- 近日，據IC Insights的數據預測，2018年NAND Flash行業的資本支出(CAPEX)將比預期產量增加40%以上，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元，屬于近8年來的最大增幅。
其中，3D NAND的市場需求，成為驅動NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術采用堆疊的方式處理設備層關系，可以使得每顆芯片的儲存容量增加，從而實現更大的結構和單元間隔，利于增加產品的耐用性、降低生產成本。因此深受NAND閃存廠商的追捧，目前已成為NAND閃存廠商的
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NAND CAPEX
- 美光科技有限公司(納斯達克代碼：MU)宣布，中國福建省福州市中級人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司，針對聯華電子股份有限公司(以下簡稱“聯電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱“晉華”)提起專利侵權訴訟的案件，該法院已批準向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯電和晉華提起專利侵權訴訟，實為報復此前臺灣檢察機關針對聯電及其三名員工侵犯美光商業機密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對聯電和晉華向美國加利福尼亞北區聯邦地區法院提起的民事訴訟。 該初步禁令禁止美光科技兩中國子公司在中國制造、銷
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美光科技 DRAM NAND
- 對接資本市場，對接國家戰略，充分發揮西安的產業與科研、人才優勢，西安完全有可能創造出一個千億級的產業。
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半導體 閃存 三星
- TrendForce旗下專注存儲業追蹤和調研的DRAMeXchange(集邦科技)于27日發布的最新閃存市場分析報告，稱2018下半年，NAND Flash閃存市場的增長潛力疲軟。由于64層/72層3D閃存的產能良率(四季度超80%)爬升，市場會處在一種供需平衡的局面，從而自然延續NAND Flash合同價的下降趨勢。 報告稱，由于處于傳統的淡季和產能拉升期，所以在上半年，閃存市場已經觀察到了連續兩個季度的價格走弱。在這樣的態勢下，一些供應商甚至暫緩了面向更高密度存儲芯片的擴張，以避免價格走到崩盤的
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SSD 閃存
- 在2018年第一季度，全球半導體產業銷售額達到了1158億美元。即使該季度半導體產業總營收出現些許下滑，然而NAND市場依然創下了有史以來第二高的季度收入，其中，來自企業和消費性固態硬盤(SSD)市場的需求最為強勁。 隨著企業和儲存市場對于相關零組件需求的增加，在2018年第一季度，儲存類別增長率為1.7%，達到397億美元。事實上，對于服務器用內存(Server DRAM)的強勁需求將持續推動該市場。然而，也能看到NAND漲幅在該季度內收入略有下降，IHS Marki內存與儲存市場資深總監Crai
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無線通訊 NAND
- 在“2018中國半導體市場年會暨IC中國峰會”上，紫光集團有限公司董事長趙偉國作了“自主可控的中國存儲器產業崛起之路”報告，介紹了從2015年3月到2018年上半年的三年時間，紫光進入3D NAND閃存芯片的思考與愿景。
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存儲器 3D NAND 自主可控 201807
- 為實現更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數不斷增加，單一晶胞內能儲存的信息也越來越多。 目前NAND Flash芯片已經進入64層TLC時代，展望2019年，三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業者都將進一步推出96層QLC顆粒。 為了因應即將量產的新一代NAND Flash規格特性，控制器業者群聯已備妥對應的解決方案。 群聯電子發言人于紹庭表示，3D NAND Flash技術不斷推進，目前64層TLC已經是相當穩定的產品。 而為了進一步提升儲存密度，NAND Flash供貨商正
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NAND，芯片
- 存儲芯片三巨頭此次遭中國反壟斷機構調查，最終結果究竟如何，人們拭目以待。
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存儲 NAND
- 全球領先的嵌入式系統解決方案提供商賽普拉斯半導體公司（納斯達克代碼：CY）日前宣布，正式推出Semper? NOR 閃存產品系列。該產品系列面向汽車和工業領域，為用戶提供業內最好的安全性和可靠性保證。Semper 閃存產品系列的架構和設計旨在打造無故障嵌入式汽車安全系統，是首款符合ISO 26262 功能性安全標準的存儲產品。該產品系列符合汽車行業的要求和ASIL-B 的功能性安全標準，在汽車和工業的極端溫度應用環境中，仍可以提供卓越的耐用性和數據留存能力。
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賽普拉斯 閃存 nor
- 隨物聯網時代來臨，數據中心、高速傳輸的5G受重視，研調單位指出，協助運算處理的DRAM與資訊儲存的NAND Flash等需求也持續增溫，南亞科(2408)日前表示，今年DRAM市場仍供不應求，帶動存儲器族群行情向上，旺宏(2337)在權證市場同受關注，昨(29)日登上成交金額之首。 南亞科昨日股價雖然收小黑，小跌0.4%，收在98.9元(新臺幣，后同)，但獲外資逆勢敲進逾2,000張，頗有逢低承接意味。 南亞科今年首季每股盈余(EPS)達2.39元，隨著DRAM市場仍持續供不應求，對今年整體營運表
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DRAM NAND
- 美光科技有限公司推出的業界首款基于革命性四層單元(QLC)NAND 技術的固態硬盤現已開始供貨。美光? 5210 ION 固態硬盤在美光 2018年分析師和投資者大會上首次亮相，面向之前由硬盤驅動器 (HDD) 提供服務的細分市場，可提供高出三層單元 (TLC) NAND 33%的位密度。新型 QLC固態硬盤的推出，奠定了美光在實現更高容量和更低成本方面的領導者地位，可以滿足人工智能、大數據、商業智能、內容傳輸和數據庫系統對讀取密集型且性能敏感的云存儲的需求。 隨著工作負載的演變以滿足對于實時數據的
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美光 NAND
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