美光科技宣布推出適用于旗艦級智能手機的尖端移動3D NAND解決方案

　　美光科技有限公司今日宣布推出三種全新 64 層第二代 3D NAND 存儲產(chǎn)品，這三種產(chǎn)品均支持高速通用閃存存儲 (UFS) 2.1 標準。全新美光移動 3D NAND 產(chǎn)品提供 256GB、128GB 和 64GB 三種容量選擇。

　　該全新移動解決方案基于美光業(yè)界領先的三級單元 (TLC) 3D NAND 技術，可幫助智能手機制造商通過人工智能 (AI)、虛擬現(xiàn)實和面部識別等新一代移動功能來增強用戶體驗。AI 在旗艦級手機中的出現(xiàn)推動了對能更快速高效地訪問數(shù)據(jù)的更先進的存儲解決方案的需求。分析機構 Gartner 預測，到 2022 年，80% 的智能手機將具有 AI 功能，這會增加在本地處理和存儲更多數(shù)據(jù)的需求。

　　此外，由于智能手機已然成為攝影和多媒體共享的首選設備，存儲容量需求將繼續(xù)顯著增加，目前旗艦級手機的容量最高為 256GB，預計到 2021 年容量將增長到 1TB。全新美光 64 層 TLC 3D NAND 存儲解決方案利用針對移動設備進行了優(yōu)化的架構滿足了這些需求，在更小的空間內提供更多容量的同時，提供一致的高性能和低延遲。

　　“我們都希望智能手機提供大膽的新功能，而存儲對此起到了日益關鍵的作用。”美光科技移動產(chǎn)品事業(yè)部市場副總裁 Gino Skulick 表示，“美光科技獨家提供移動 DRAM 和 3D NAND，并且我們的尖端設計將繼續(xù)實現(xiàn)最先進的智能手機所需要的性能。”

　　64 層 TLC 3D NAND：助力移動領域的未來發(fā)展

　　該移動 3D NAND 產(chǎn)品將更多的存儲單元集中到更小的芯片區(qū)域內，并利用美光陣列下的 CMOS (CuA) 設計，提供一流的芯片區(qū)域。美光獨有的方法將所有閃存層置于邏輯陣列之上，最大限度地利用智能手機設計中的空間。

　　美光第二代 TLC 3D NAND 移動技術具有多項競爭優(yōu)勢，包括以下新功能：

　　美光針對移動設備進行了優(yōu)化的架構提供一致的高性能和低延遲，能夠增強用戶體驗，同時通過使用高效的峰值功率管理系統(tǒng)將功耗降至最低。

　　全新美光 64 層 TLC 3D NAND 產(chǎn)品比上一代 TLC 3D NAND 快 50%。

　　美光 64 層 3D NAND 技術比上一代 TLC 3D NAND 的存儲密度高一倍，封裝尺卻未變。

　　UFS 2.1 G3-2L 接口規(guī)范為移動應用提供極具吸引力的性能，并且?guī)挶?nbsp;e.MMC 5.1 高出多達 200%，同時還提供同步讀寫功能。 這為提供在捕獲高分辨率照片的突發(fā)數(shù)據(jù)或將 4K 視頻記錄到存儲時所需的數(shù)據(jù)訪問速度奠定了基礎。

　　該新產(chǎn)品基于 32GB 芯片，尺寸為 59.341mm2——是業(yè)界市場上最小的 32GB TLC 3D NAND 芯片。