DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應求狀態，產品價格同步高漲，而明年上半年將轉為供過于求。
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NAND DRAM
內存明年市況恐將不同調，DRAM市場仍將持續吃緊，NAND Flash市場則將于明年上半年轉為供過于求。
DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應求狀態，產品價格同步高漲，只是業界普遍預期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調。
內存模塊廠創見指出，DRAM 市場供貨持續吃緊，價格未見松動跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術日益成熟，生產良率改善，可望填補供貨缺口。
另一內存模塊廠威剛表示，短期內全球 DRAM
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DRAM NAND
半導體指數在兩年的上漲中上漲了92%。
投資者應該有選擇性地選擇證券，并關注需求放緩。
分析人士認為，不要指望今年半導體類股的領先市場表現會在2018年重演。
盡管近期出現拋售，費城半導體指數自2016年初以來已經上漲了92%，并有望連續第二年超過所有11個標準普爾板塊，這是由于獲利增加和前所未有的整合期。
盡管這一趨勢并沒有令分析師們感到悲觀，但一些分析師建議投資者要謹慎選擇，并警惕需求放緩和庫存水平上升的跡象。
以下是分析師對2018年的看
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半導體 閃存
圍繞著此輪DRAM產業的上漲行情，無論是“供需論”還是“壟斷說”，在DRAM一路瘋漲的背后，展現的是耐人尋味的眾生相，有需求者的無奈，領軍者的得意，入局者的尷尬以及監管者的警覺。
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DRAM NAND
DRAM嚴重供不應求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。
業界解讀，三星、海力士下季漲價態度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠打算調降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。
手機中國聯盟秘書長王艷輝認為，有人說三星瘋狂擴產存儲器是為了將中國存儲器產業扼殺在萌芽，有點太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產業開始進入試產階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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DRAM NAND
紫光集團董事長趙偉國近日在第四屆世界互聯網大會表示，近年來，紫光集團把企業發展的重點聚焦在了集成電路上。在移動領域，紫光現在每年向全球提供的手機芯片超過7億部套片;在存儲領域，紫光已經研發出了32層64G的完全自主知識產權的三維閃存芯片，明年將實現量產。
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紫光 閃存
三星宣布512GB閃存已進入量產，意謂著明年Galaxy S9與Galaxy Note 9等新旗艦機儲存容量有望從當前最大256GB翻倍成長。
512GB閃存主要因應4K超高分辨率影片的錄制需求增加，據三星表示，新內存芯片可容納130個10分鐘4K短片。 (日經新聞)
三星從2015年開發出128GB內存以來，已連續三年將內存逐年倍增，成功將3D 64層閃存商業化。 展望未來，三星將再推出96層3D堆棧閃存。
目前iPad Pro、微軟Surface平板均有提供512GB機種，不過三
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三星 閃存
今年全球NAND Flash產業成功轉換至64/72層3D NAND規格，隨著制程轉換完成，全球缺貨問題也逐漸紓解，群聯董事長潘健成指出，2018年底將進入96層的3D NAND技術世代，帶動單一芯片的容量提升至256Gb/512Gb，SSD控制芯片技術也全面提升至新層次，群聯的關鍵技術已經準備好了，呈現蓄勢待發的姿態!
今年的NAND Flash產業受到技術轉換不順、數據中心對于儲存容量需求快速攀升之故，導致產業供需失衡，芯片價格一直高居不下，但這樣的狀況停留太久后，導致終端產品的需求被抑制，
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SSD NAND
美光科技有限公司今日宣布任命 Derek Dicker 為存儲產品事業部副總裁兼總經理。 在此職位上，Dicker 將負責領導和拓展美光的固態存儲業務，包括打造世界領先的存儲解決方案，從而把握云端、企業級和客戶端計算等大型細分市場中日漸增多的機遇。他將向美光科技執行副總裁兼首席商務官 Sumit Sadana 匯報。 Dicker 在半導體行業擁有 20 年的從業經驗，包括在 Intel、
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美光 NAND
內存大廠旺宏(2337)在3D NAND Flash研發獲得重成果，昨(29)日宣布，最新研發3D NAND記憶晶胞架構的論文入選國際電子組件大會(IEDM)，被評選為「亮點論文」，是今年臺灣產學研界唯一獲選的廠商，彰顯旺宏在先進內存研發實力受到國際高度肯定，也顯示旺宏在業界最關注的3D NAND議題上扮演重要角色。
旺宏強調，獨立研發的平坦垂直渠道型晶體管結構(SGVC)，相較其他大廠現有技術，以相同的堆棧層數，卻可達到二到三倍的內存密度。
目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NA
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旺宏 NAND
自2016年一季度以來半導體行業所享受的強勁市場需求和史無前例的定價權難以為繼，NAND閃存超級周期料將發生逆轉。
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內存 閃存
摩根士丹利(Morgan Stanley，大摩)26日以明年存儲器芯片獲利恐難顯著成長為由，將三星電子公司(Samsung Electronics Co Ltd)投資評等自“加碼”降至“中性權重”，目標價下修3.4%至280萬韓元。大摩指出，隨著NAND型快閃存儲器報價在2017年第四季開始反轉，下行風險隨之升高;在此同時，2018年第一季以后的DRAM供需能見度也已降低。自2016年一季度以來半導體行業所享受的強勁市場需求和史無前例的定價權難以為繼，N
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內存 閃存
被譽為世界三大車展之一的東京車展于近日開幕，來自全世界的主要汽車生產廠商通過展示最新的產品和技術來描繪下一代汽車發展藍圖，其中 “人工智能”、“自動駕駛”和“新能源”儼然已成為汽車產業界公認的未來的發展方向。 例如，豐田展出的“愛i”系列，能憑借大量數據分析解駕駛員的日常習慣及行為模式，甚至判斷出駕駛員的興趣愛好、感情狀態等。不僅是轎車，豐田展示的依靠氫燃料電池提供動力的大巴“SORA”，不僅助力環保，更在智能性方面有了極大提高。SORA內外搭載有8個高清晰攝像頭，能捕捉到周圍的行人、車輛
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NAND LPDDR4
中國存儲器后進廠商 2018 年開始產能逐步開出，目前狀況到底如何?
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DRAM NAND
三星(Samsung)今年資本支出將倍增至260億美元，其中，又將以3D NANDFlash為最大宗，研調機構IC Insights認為，3D NANDFlash恐將供過于求。
IC Insights預估，今年全球半導體資本支出金額將達908億美元，將成長35%;其中，三星今年資本支出將倍增至260億美元，比英特爾(Intel)與臺積電的總和還多。
三星今年的資本支出主要投入3D儲存型閃存(NAND Flash)，將達140億美元，IC Insights指出，三星將斥資70億美元，推進動態
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