首頁  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
        EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

        nand 閃存 文章 最新資訊

        NAND閃存的三種架構(gòu):MLC、SLC、MBC

        • NAND閃存的內(nèi)部架構(gòu):NAND閃存可以分為三種不同架構(gòu),即:單層單元SLC 多層單元MLC多位單元MBC。其中,MBC以NROM技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND閃存架構(gòu),由英飛凌與Saifun合作開發(fā),但該項(xiàng)架構(gòu)技術(shù)并不成熟。采SLC架構(gòu)是在每個(gè)Cell中存儲(chǔ)1個(gè)bit的信息,以達(dá)到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點(diǎn),Cell可擦寫次數(shù)為10萬次左右。作為SLC架構(gòu),其也有很大的缺點(diǎn),就是面積容量相對(duì)比較小,并且由于技術(shù)限制,基本上很難再向前發(fā)展了。
        • 關(guān)鍵字: MLC  閃存  NAND  英特爾  

        基于FPGA的存儲(chǔ)解決方案——閃存

        • 閃存存儲(chǔ)器是嵌入系統(tǒng)中經(jīng)常使用的非易失性存儲(chǔ)器。在基于FPGA的嵌入系統(tǒng)中,由于FPGA沒有包括閃存,所以閃存始終是外置設(shè)備。由于閃存存儲(chǔ)器能夠在斷電后保持?jǐn)?shù)據(jù)內(nèi)容,它經(jīng)常用于存儲(chǔ)微處理器啟動(dòng)代碼及其它需要在無電情況下繼續(xù)保持的數(shù)據(jù)。閃存存儲(chǔ)器既適用于并行接口又適用于串行接口。并行閃存設(shè)備與串行閃存設(shè)備的基本存儲(chǔ)技術(shù)是相同的。
        • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  閃存  串行接口  

        每況愈下 東芝還能否從風(fēng)暴中脫身?

        • 公司內(nèi)部派系斗爭(zhēng)問題,又因外部的2008年金融海嘯與2011年福島核災(zāi)影響日本經(jīng)濟(jì)及東芝業(yè)績,造成派系斗爭(zhēng)惡化,及為自保而偽造業(yè)績歪風(fēng)興起,等到2015年事件爆發(fā),發(fā)現(xiàn)該廠從2008會(huì)計(jì)年度(2008/4~2009/3)便有業(yè)績灌水的問題,事件逐一發(fā)不可收拾。
        • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND   

        NAND Flash下季度或史上最缺貨

        •   NAND Flash控制芯片與模塊廠群聯(lián)董事長潘健成日前估計(jì),接下來將面臨史上最缺貨的第3季,而該公司也積極備戰(zhàn),近日捧著5000多萬美元現(xiàn)金,大舉吃下某大廠釋出的貨源,為下半年建立更多庫存。   群聯(lián)在去年初NAND Flash市況尚未大熱時(shí),建立的庫存水位一度超過三億美元,后來市場(chǎng)景氣于去年第3季開始往上,價(jià)格走升,也讓該公司因此大賺。   潘健成提到,今年大概只有5月有機(jī)會(huì)多收貨,所以該公司在前兩個(gè)禮拜以現(xiàn)金買了大約5000多萬美元的額外貨源,預(yù)計(jì)可供第3季使用。   群聯(lián)在今年4月時(shí),手
        • 關(guān)鍵字: NAND  

        2017第一季度NAND Flash品牌廠商營收排名

        •   集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,第一季整體NAND Flash市況延續(xù)第四季持續(xù)受到缺貨影響,即使第一季度為傳統(tǒng)NAND Flash淡季,渠道顆粒合約價(jià)卻仍上揚(yáng)約20-25%。在智能終端設(shè)備如智能手機(jī)與平板電腦內(nèi)的行動(dòng)式存儲(chǔ)價(jià)格也呈現(xiàn)雙漲的狀況下,2017年將是NAND Flash成果豐碩的一年。   DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示,由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制,進(jìn)而轉(zhuǎn)進(jìn)垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)
        • 關(guān)鍵字: NAND  SK海力士  

        3D NAND這么火,比2D NAND到底優(yōu)秀在哪?

        • 如果用一個(gè)詞來描述2016年的固態(tài)硬盤市場(chǎng)的話,那么閃存顆粒絕對(duì)是會(huì)被提及的一個(gè)關(guān)鍵熱詞。在過去的2016年里,圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事,包括閃存顆粒的量產(chǎn)引發(fā)固態(tài)漲價(jià),閃存顆粒的制程問題引發(fā)的廠商競(jìng)爭(zhēng),以及“日經(jīng)貼”般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。
        • 關(guān)鍵字: 閃存  3DNAND  2DNAND  

        Gartner:2016年全球半導(dǎo)體收入增長2.6%

        •   全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問公司Gartner的研究顯示,2016年全球半導(dǎo)體收入總計(jì)3,435億美元,較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業(yè)并購潮的影響下,前二十五大半導(dǎo)體廠商總收入增加10.5%,表現(xiàn)遠(yuǎn)優(yōu)于整體產(chǎn)業(yè)增長率?! artner研究總監(jiān)James Hines表示:“2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)回彈。雖然其年初因受到庫存調(diào)整的影響而表現(xiàn)疲軟,但下半年需求增強(qiáng),定價(jià)環(huán)境得到改善。助力全球半導(dǎo)體收入增長的因素包括多項(xiàng)電子設(shè)備部門產(chǎn)量的增加、NAND閃存售價(jià)的上揚(yáng)及相對(duì)溫和的
        • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  NAND  

        物聯(lián)網(wǎng)風(fēng)起 我國亟需建設(shè)自主存儲(chǔ)

        •   “物聯(lián)網(wǎng)”是指連接到互聯(lián)網(wǎng)的傳感器,通過開放的專用連接、自由共享數(shù)據(jù)和允許非預(yù)期應(yīng)用程序,以互聯(lián)網(wǎng)的方式行事,因此電腦可以了解周圍的世界,成為類似人類的神經(jīng)系統(tǒng) ”凱文·阿什頓說(這個(gè)術(shù)語的發(fā)明者)。   在我們的上一篇文章中,我們考慮了IoT的潛力——也被稱為“一切互聯(lián)網(wǎng)” ——在接下來的十年中,將推動(dòng)NAND銷售,從而使Micron的利潤得以增加。 本文將對(duì)體系架構(gòu)及其與內(nèi)存
        • 關(guān)鍵字: 物聯(lián)網(wǎng)  NAND  

        東芝出售半導(dǎo)體導(dǎo)致NAND短缺惡化?韓媒:三星最受惠

        •   東芝(Toshiba Corp.)決定出售半導(dǎo)體事業(yè),但競(jìng)標(biāo)者眾、過程冗長,如此一來,韓國廠商反倒會(huì)成為最大受惠者?   韓聯(lián)社 24 日?qǐng)?bào)導(dǎo),Shinhan Investment 研究員 Choi Do-yeon 發(fā)表研究報(bào)告指出,東芝的 3D NAND 快閃存儲(chǔ)器投資計(jì)劃勢(shì)必將因此延后,這會(huì)讓供給短缺更形惡化,也為三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK 海力士(SK hynix Inc.)制造更多擴(kuò)產(chǎn)良機(jī)。   美國硬盤機(jī)制造巨擘 Western Digital(WD
        • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND   

        中國必須建設(shè)自主存儲(chǔ),為什么?

        • 在即將到來的物聯(lián)網(wǎng)的世界里,NAND的應(yīng)用會(huì)非常廣泛,作用也會(huì)愈發(fā)重要,出現(xiàn)的各種裝置和新興應(yīng)用都會(huì)用到NAND。
        • 關(guān)鍵字: NAND  長江存儲(chǔ)  

        東芝是大股東的群聯(lián)董事長:東芝芯片會(huì)賣給日資

        •   東芝半導(dǎo)體事業(yè)各路人馬搶親,包括鴻海集團(tuán)等展現(xiàn)高度意愿,東芝是群聯(lián)大股東,對(duì)于東芝內(nèi)存出售案,但長期和東芝半導(dǎo)體合作的群聯(lián)董事長潘健成分析,東芝不可能被單一企業(yè)或公司買下。 他推斷最后結(jié)果,將會(huì)由日本境內(nèi)私募基金或現(xiàn)有股東拿下,仍會(huì)維持原有東芝控制權(quán),再讓部分策略合作伙伴持有少數(shù)股權(quán)入股。   潘健成強(qiáng)調(diào),東芝半導(dǎo)體和早期的爾必達(dá)破產(chǎn)不一樣,東芝半導(dǎo)體是東芝最賺錢的事業(yè)體,而且東芝的儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)也是日本最引以為傲的技術(shù),引發(fā)東芝財(cái)務(wù)危機(jī)的是核電事業(yè),因此切割半導(dǎo)體事業(yè)獨(dú)立新公司
        • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND   

        傳三星今年資本支出較去年增長85.6%達(dá)219.5億美元

        •   三星登上全球半導(dǎo)體龍頭,不惜砸重金投入研發(fā),傳今年資本支出將大幅增加逾 10 兆韓圜。   新韓投資(Shinhan Investment Corp)日前發(fā)布報(bào)告預(yù)測(cè),三星今年半導(dǎo)體資本支出將擴(kuò)增至 24.5 兆韓圜(約 219.5 億美元),較 2016 年成長 85.6%,且將超越 2015 年的 14.7 兆韓圜成為三星史上新高。   存儲(chǔ)器目前供不應(yīng)求,也是三星今年布局的重點(diǎn),預(yù)料將占據(jù)資本支出的一半左右。據(jù)新韓分析師預(yù)測(cè),光是 NAND 快閃存儲(chǔ)器,三星就將砸下 12.05 兆韓圜(約
        • 關(guān)鍵字: 三星  NAND   

        3D NAND延續(xù)摩爾定律 電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵

        •   DIGITIMES Research觀察,2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇,透過3DNAND Flash制程,無論是效能及儲(chǔ)存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導(dǎo)體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項(xiàng)重要技術(shù)。   3D NAND Flash依存儲(chǔ)元件儲(chǔ)存機(jī)制可分浮動(dòng)閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲(chǔ)存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
        • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  3D NAND  

        日美“卡脖子” 國產(chǎn)大存儲(chǔ)崛起能否取得成功?

        •   小時(shí)候并不知道為什么唐僧要取經(jīng),取的什么經(jīng)?后來知道了,唐僧要的是所謂“大乘佛法”,簡單說就是普度眾生,救民于水火。既有這樣的佛法,孫悟空何不多翻幾個(gè)筋斗,快快取來就是,為什么非要肉體凡胎的唐僧不辭勞苦、跋山涉水呢?難道上天就沒有好生之德嗎?還要設(shè)置各種妖怪來搗亂,豈不是折騰人嗎?   上天當(dāng)然會(huì)有好生之德,這沒有什么好懷疑的。至于為什么折騰唐僧,并不是上天要以此為樂,所謂天機(jī)不可泄漏,九九八十一難其實(shí)就是真經(jīng)的一部分,對(duì)嗎?   其實(shí)現(xiàn)實(shí)生活也是如此。   前不久,美國
        • 關(guān)鍵字: 晶圓  NAND  

        吹牛必備常識(shí)之——“華為P10閃存門”中的UFS和eMMC究竟是啥?

        • 華為P10“閃存門”其實(shí)就是一些消費(fèi)者在購買P10手機(jī)后,經(jīng)過測(cè)試發(fā)現(xiàn),華為P10系列手機(jī)閃存速度出現(xiàn)了明顯差異的情況。用戶測(cè)試結(jié)果顯示,有部分手機(jī)的閃存速度約為200MB/秒,而根據(jù)網(wǎng)上公布的評(píng)測(cè)參數(shù)來看,以華為官方配置的P10實(shí)際速度應(yīng)該可以達(dá)到800MB/秒左右。而最終測(cè)試的結(jié)論就是華為P10的閃存存在UFS和eMMC混用的問題。
        • 關(guān)鍵字: 閃存  UFS  eMMC  
        共1594條 31/107 |‹ « 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 » ›|

        nand 閃存介紹

        您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條nand 閃存!
        歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)nand 閃存的理解,并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

        熱門主題

        樹莓派    linux   
        關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
        Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
        《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
        備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
        主站蜘蛛池模板: 环江| 龙井市| 平凉市| 怀远县| 嘉定区| 湘潭县| 社旗县| 舟曲县| 科尔| 隆化县| 突泉县| 政和县| 沂源县| 故城县| 山阴县| 镇康县| 西乌| 沭阳县| 腾冲县| 桐乡市| 南郑县| 安远县| 渭南市| 奉新县| 犍为县| 马公市| 绥棱县| 嘉祥县| 若尔盖县| 信丰县| 徐闻县| 五寨县| 普陀区| 合肥市| 玉环县| 遂昌县| 平乡县| 克东县| 科技| 灵台县| 道孚县|