日本東芝公司已經資不抵債，但是轉讓閃存業務的交易，卻陷入了泥潭，讓債權人、日本政府等頗為著急。據外媒最新消息，東芝的主要債權人已經向該公司施壓：必須在八月份完成閃存業務的轉讓。
據日經新聞等媒體報道，東芝目前已經是資不抵債的負資產企業，之前已經從東京股票交易所主板摘牌，降級到了二板，如果明年財年結束時繼續資不抵債，東芝將徹底從股市上消失。
據報道，東芝多家債權人銀行(也是長期合作的銀行伙伴)已經要求該公司在八月份完成轉讓閃存業務的交易，只有這樣才能夠確保在明年三月底財年結束之前，完成全部交
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東芝 閃存
DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內存會一直缺貨到明年，許多客戶搶貨，已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產能。 業界指出，未簽訂長約的客戶，內存供貨將短缺，沖擊產品上市或出貨時程。
集邦、IC Insight等研究機構最近紛紛出具報告，強調DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態;NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應在下半年顯現，缺貨問題更嚴重。
業界表示，三大內存應用范圍廣，尤其NOR Flash幾乎是各電子產品儲存程序代碼關鍵組件，雖然單價遠比DRAM
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NAND DRAM
SSD還會持續漲價嗎?答案真的不讓消費者省心。
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SSD 閃存
在2017年快閃存儲器高峰會(Flash Memory Summit)上，可見各主要NAND Flash供應商持續推出更新式存儲器芯片以期能主導競爭優勢，幾乎各主要供應商也都在談論簡化Flash儲存系統內建軟件的必要性，以減少應用在資料中心時出現的延遲問題，以及試圖定義固態硬盤(SSD)全新尺寸標準，另值得注意的是，本屆大會上甚至連主要硬盤(HD)制造商，都已幾乎不在主題演說中提及硬盤相關技術資訊或發展趨勢。
根據科技網站EE Times報導，在本屆大會上，三星電子(Samsung Electr
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存儲器 NAND
3D NAND比平面NAND更昂貴，但大家都期待它將有助于快速地降低NAND的成本，以及取代平面NAND，這是為什么呢?
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3D NAND 存儲器
對大多數人來說，微芯片是一些長著小小的金屬針，標著看似隨機的字母或數字的字符串的黑盒子。但是對那些懂的人來說，有些芯片就像名人一樣站在紅毯上。有許多這樣的集成電路直接或間接地為改變世界的產品賦能，從而得到榮耀，也有一些芯片對整個計算環境造成了長期的影響。也有一些，它們的雄心壯志失敗后成為警世的故事。 為了紀念這些偉大的芯片，并講述它們背后的人和故事，IEEE Spectrum 制作了這個“芯片名人堂”(Chip Hall of Fame)。登堂的是7
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FPGA NAND
據國外媒體報道，原本在6月底就應該公布的東芝2016財年財報，因東芝陷入困境而未能如期發布，在推遲了一個多月之后，東芝終于公布了2016財年的財報。
在得到審計機構的批準之后，東芝在周四公布了2016財年的財報，財報顯示，在截至今年3月31日的2016財年，東芝的營收為4.8萬億日元(約合436億美元)，較2015財年降低了5.5%。
由于美國核電業務減記，東芝2016財年虧損已是無法避免的事，而事實也的確如此。
在近日公布的財報中，東芝2016財年的凈虧損為9657億日元(約合88
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東芝 閃存
三星計劃在明年推出容量達1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其現有芯片的高密度固態硬盤。
三星(Samsung)計劃明年推出容量達1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其現有芯片的高密度固態硬盤(SSD)。 該公司并表示，去年發表的Z-NAND產品也開始出樣，據稱這款產品能夠達到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內存的低延遲能力。
三星的Tbit NAND可支持高達每秒1.2Gbits的數據速率，并在一個堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達4
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V-NAND NVMe
文章云里霧里的，但是一點沒錯：國產化閃存顆粒，已刻不容緩。
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閃存 芯片
相較于2.5寸SATA，M.2的SSD有著非常明顯的體積優勢，如果總線走PCIe，速度上更是完爆。
在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達1Tb，用于消費級產品。
三星表示，今后的2TB 3D閃存SSD產品將使用上這一新品，即一整顆芯片封裝16Tb Die，繼續減小體積。
如此精巧之后，連傳統M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了，三星據此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標準。
其
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三星 V-NAND
日刊工業新聞7日報導 ，為了提高3D架構的NAND型閃存(Flash Memory)產能、以因應三星電子等競爭對手加快擴產腳步，東芝(Toshiba)將進一步祭出增產投資，計劃在日本巖手縣北上市興建新工廠，該座新廠預計于2018年度動工、 2021年度啟用，總投資額將達1兆日圓的規模。 東芝目前已在四日市工廠廠區內興建3D NAND專用廠房「第6廠房」。
該座3D NAND新工廠興建計劃由東芝半導體事業子公司「東芝內存(Toshiba Memory Corporation、以下簡稱TMC)」負責
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東芝 NAND
RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍色字體的這幾種)都可以統稱RAM，random?access?memory(隨機存取存儲器)的縮寫，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲器的區別。 SRAM：靜態隨機存儲器，就是它不需要刷新電路，不像動態隨機存儲器那樣，每隔一段時間就要刷新一次數據。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做C
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DRAM NAND
由于財務狀況惡化，日本東芝公司已經被東京股票交易所從主板摘牌，距離退市已經越來越近，但是時至今日，轉讓閃存芯片業務的進展卻并不順利。據外媒最新消息，面對東芝高管所表現出的領導無方，日本政府已經全面介入到這一轉讓交易中。
按照原定計劃，東芝準備把閃存芯片業務以大約180億美元的價格，轉讓給一個美日韓聯合體，其中包括日本開發銀行、日本產業革新機構、美國貝恩資本、韓國海力士半導體，不過東芝的芯片業務合資伙伴西部數據，卻以海力士的涉足為由，提出了反對意見，并已經述諸法律手段。
有消息稱，由于和西部
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東芝 閃存
根據韓國英文媒體 《The Korea Times》 的報導，三星副總裁權五鉉 (Kwon Oh-hyun) 日前就像韓國政府喊話，要韓國政府給予半導體產業更多的支持，以解決人才荒的問題。
報導中指出，目前是三星副總裁，也是領導三星顯示器部門的權五鉉，日前在一項公開演講中指出，韓國的半導體產業自認為有其競爭的實力。 不過，卻面臨當當前半導體人才不足的問題。 權五鉉進一步指出，半導體產業是第 4 次工業革命的重要基礎，因此希望韓國政府能藉由科技培訓的管道，持續為半導體與設備產業供應需要的人才。
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三星 NAND
受NAND Flash供貨緊張影響，以及數據中心、企業、移動設備等領域SSD強勁需求，2017年上半年NAND Flash價格持續走高。根據ZDC統計，NAND Flash價格累計漲幅達26%，消費類每GB銷售價格突破了0.3美金。
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2017年上半年，中國市場智能手機、平板電腦等移動設備需求出現下滑，再加上NAND Flash的價格持續走高，高價壓力下的SSD市場呈現一片低迷景象。但隨著6月份需求旺季的到來，固態硬盤的關注度有所回升。
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