- 5G時代的漸行漸近。對消費群體而言，5G帶來的是高帶寬低延遲的使用效果;對于企業端尤其是閃存大廠來說，則是新的機遇。在近日舉行的“中國閃存市場峰會(CFMS20 5G時代的漸行漸近。 對消費群體而言，5G帶來的是高帶寬低延遲的使用效果;對于企業端尤其是閃存大廠來說，則是新的機遇。 在近日舉行的“中國閃存市場峰會(CFMS2018)”上，中國閃存市場總經理邰煒表示，2018年全球半導體市場規模將達1500億美元，其中NANDFlash(閃存存儲器)將超過570億美元，而中國消耗了全球產能的32%，
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閃存 5G
- 隨著NAND Flash工藝逐漸從2D向3D過渡，技術和產能齊升的態勢下，長江存儲以Xtacking技術切入3D NAND市場，為國產存儲技術的發展點燃了希望。
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NAND Xtacking
- 對于一個多月前在美國圣克拉拉召開的全球閃存峰會上發布的突破性技術Xtacking，長江存儲執行董事長高啟全接受中國證券報記者專訪表示，該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市周期。未來十年，長江存儲將持續增加研發投入。 制程的兩大難點 中國證券報：3D NAND制造工藝的難點在哪些地方? 高啟全：3D NAND的困難點在于一層層疊上去的時候需要打洞把每一層連接起來，層數越多需要打的洞就越多，每一個單位都要打洞，數量可達幾百萬個。必須保證做到垂直地
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長江存儲，NAND
- 全球NAND閃存主控芯片設計與營銷領導品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation, NASDAQ: SIMO)，將于9月19日在深圳舉辦的 “2018中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit)〞展示全系列最新主控芯片解決方案來滿足全方位巿場需求，其包括專為數據中心、超高速Client SSD及適用于BGA SSD的PCIe SSD主控芯片為全方位存儲市場帶來最完整的解決方案，此外支持高速移動存儲方案，慧榮將展示UFS 2.1主控
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慧榮科技 NAND
- 在半導體業，有非常多與接口標準、性能規格、功能特性和設計的真實可能性有關聯的假設、術語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關于NAND閃存的錯誤觀念。 在使用期的性能恒定。 固態硬盤(SSD)寫入數據愈多，特別是隨機數據，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或寫入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現差勁，不是導致系統的使用壽命縮短就是性能大幅下降。 隨著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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NAND 閃存
- 在半導體業，有非常多與接口標準、性能規格、功能特性和設計的真實可能性有關聯的假設、術語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關于NAND閃存的錯誤觀念。 在使用期的性能恒定。 固態硬盤(SSD)寫入數據愈多，特別是隨機數據，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或寫入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現差勁，不是導致系統的使用壽命縮短就是性能大幅下降。 隨著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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NAND UFS
- 近日國際半導體產業協會SEMI公布了最新的中國集成電路產業生態系統報告，報告顯示，中國前端晶圓廠產能今年將增長至全球半導體晶圓廠產能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內公司存儲和代工項目的推動，中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出，超越世界其他地區，占據首位。 2014年中國成立大基金以來，促進了中國集成電路供應鏈的迅速增長，目前已成為全球半導體進口最大的國家市場。SEMI指出，目前中國正在進行或計劃開展25個新的晶圓廠建設項目，代工廠、DRAM和3D
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晶圓 DRAM 3D NAND
- 內存價格從2016年起一路上揚，但自2018下半年起，由于各廠商產能陸續開出，因此資策會MIC預測內存價格將于開始下滑。 資策會MIC資深產業顧問洪春暉表示，2018年的半導體市場概況是近5年來難得的樂觀，盡管2018年內存價格成長空間有限，但NAND Flash需求仍然持續增加。 因此，預估2018年全球半導體市場規模將成長10.1%，其中最大的原因是各應用終端內存需求持續增加，以及車用電子等新興應用帶動。 洪春暉進一步指出，內存受惠于市場價格上揚，2018年全年臺灣內存產業產值將成長25%，產
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內存 NAND
- 由于持續受益于存儲器芯片熱潮，韓國三星電子(Samsung Electronics)今年第二季仍穩坐半導體銷售龍頭地位，再度超越其競爭對手——英特爾(Intel)。 根據市場研究機構IHS Markit的統計，三星在今年第二季全球芯片市場占15.9%，英特爾約占7.9%。然而，隨著NAND快閃存儲器(flash)市場顯著降溫，英特爾已自本季開始縮小與三星的差距，其季成長較三星更高3%。 以半導體銷售額來看，三星在第二季的銷售額為192億美元，較第一季成長3.4%，并較2017年第二季成長了33.7
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三星 NAND 英特爾
- 1. 引言 NAND FLASH被廣泛應用于電子系統中作為數據存儲。在各種高端電子系統中現場可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應用。FPGA靈活的硬件邏輯能實現對NAND FLASH的讀寫操作。本文中闡述了一種基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅動方法。 2. VDNF2T16VP193EE4V25簡介 歐比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量為2Tb、位寬為16位的NAND FLASH，其內部由8片基片拓撲而成，其拓撲結構如下： 其主要特性如下： ? 總容量
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NAND NIOS II FPGA
- 8月20日，研究機構ICInsights發布了2018年上半年全球半導體供應商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過遺憾的是，中國大陸暫時沒有公司進入這個榜單的前15名。 根據發布的數據顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內存、德州儀器、英偉達、西數\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導體和聯發科。這里，英偉達數據最為搶眼，相較于去年同期，英偉
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DRAM NAND
- 什么是閃存?了解閃存最好的方式就是從它的ldquo;出生rdquo;它的ldquo;組成rdquo;均研究的透徹底底的。閃存的存儲單元為三端器件，與場效應管有相同
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Flash存儲器 閃存
- 幾年前突然“大火”的存儲行情，給業界帶來的極大的沖擊。在 PC 市場衰退后本就不多的 DIY 用戶，要么咬牙買高價內存(DRAM)和固態硬盤(SSD)、要么咬牙推遲或干脆直接放棄了裝機升級的計劃。當然，市場也不是沒有好消息。據集邦咨詢(DRAMeXchange)所述，近期閃存降價的趨勢，有望持續到 2019 上半年。 DRAMeXchange 報告稱，2018 年 3~4 季度，NAND 閃存的平均銷售價格，預計將下降 10% 。集邦認為，市場需求較低的情況下所增長的產能，是推動這一趨勢的主要原因。
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閃存 DRAM
- 在最近發布的《麥克萊恩2018年中期報告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預測，2018-2022年全球GDP和IC市場相關系數將達到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長與IC市場增長之間日益密切的關聯，以及到2022年的最新預測。 如圖所示，在2010-2017年的時間段內，全球GDP增長與IC市場增長的相關系數為0.88，這是一個強勁的數字，因為完全相關為1.0。在此期間之前的3
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DRAM NAND
- NAND閃存價格2018年以來一直在降低，大家也應該注意到了今年發布的智能手機閃存容量也越來越大了，中高端機中64GB是起步，128GB已經是主流了。NAND閃存降價的趨勢在下半年還會繼續，因為智能手機出貨量增長放緩，而3D NAND閃存產能持續增加，預計Q3、Q4兩個季度中NAND價格都會下跌10%，不用過這也加速了大容量SSD硬盤的普及，未來2-3內512GB將成為主流之選。 集邦科技旗下的DRAMeXchange日前發布了有關NAND閃存市場下半年趨勢的報告，認為Q3季度雖然是傳統旺季，但是N
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NAND SSD
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