nand 閃存 文章 最新資訊
東芝第二財季運營利潤增長76% 芯片業(yè)務表現(xiàn)強勁
- 11月9日消息，據(jù)國外媒體報道，日本東芝公司今天公布財報顯示，由于受到旗下內(nèi)存芯片業(yè)務強勁業(yè)績的驅(qū)動，該公司本財年第二季度運營利潤增長了76%。最近，該公司同意將旗下內(nèi)存芯片業(yè)務以180億美元對外出售。 處于困境狀況的這家日本工業(yè)巨頭表示，本財年7至9月份這個第二季度運營利潤從上年同期的768.8億日元增長至1250,8億日元(約合12億美元)。 這個業(yè)績好于分析師預期，湯森路透StarMine SmartEstimate此前根據(jù)5位分析師預估，東芝本財年第二季度運營利潤是1244.7億日
- 關鍵字： 東芝 NAND
美光3D NAND技術(shù)發(fā)威 搶占邊緣存儲商機
- 美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度，日前耕耘工業(yè)領域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產(chǎn)。 美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開始量產(chǎn)，除了主攻服務器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領域，也積極推動工業(yè)領域應用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。
- 關鍵字： 美光 3D NAND
美光3D NAND技術(shù)發(fā)威 搶占邊緣存儲商機
- 美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度，日前耕耘工業(yè)領域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產(chǎn)。 美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開始量產(chǎn)，除了主攻服務器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領域，也積極推動工業(yè)領域應用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。
- 關鍵字： 美光 NAND
手機行業(yè)綜合發(fā)展指數(shù)連續(xù)兩年增長
- 2017年9月5日，工信部首次發(fā)布《中國電子信息產(chǎn)業(yè)綜合發(fā)展指數(shù)研究報告》，其中電子信息制造業(yè)綜合指數(shù)專門針對我國產(chǎn)業(yè)進行規(guī)模、效益、研發(fā)、環(huán)境等全方位的評價，并包括全國、分地區(qū)和分行業(yè)三大細分指數(shù)。行業(yè)綜合發(fā)展指數(shù)主要通過我國與全球同行業(yè)比較的方式，明確我國產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平和特點，手機行業(yè)作為了行業(yè)綜合發(fā)展指數(shù)評價的首個領域。 2016年，手機行業(yè)綜合發(fā)展指數(shù)132分，相比2015年分數(shù)提升20%，呈現(xiàn)連續(xù)兩年增長的態(tài)勢。其中除產(chǎn)業(yè)效益指標得分相比2015年有所下降外，其他四個一級指標均呈現(xiàn)上漲
- 關鍵字： OLED 閃存
東芝受惡意攻擊導致NAND停產(chǎn)：預估少生產(chǎn)40萬TB容量
- 援引DigiTimes報道，東芝的NAND部門近日遭受了非常嚴重的惡意攻擊，被迫關閉NAND生產(chǎn)線數(shù)周時間，這將導致近階段公司NAND閃存的供應比較緊張。 DigiTimes消息稱為了清除惡意程序，東芝公司的NAND生產(chǎn)線將停工3-6周時間才能恢復正常供應，預估將減少10萬個wafers產(chǎn)量。PCGamesN網(wǎng)站預估假設這段停產(chǎn)時間正常生產(chǎn)，能夠帶來5000萬個芯片或者40萬TB的NAND閃存。 近年來由于智能手機和服務器的需求不斷增大，NAND的售價也水漲船高。但是由于NAND廠商在生產(chǎn)
- 關鍵字： 東芝 NAND
基于magnum 2 測試系統(tǒng)的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測試技術(shù)研究
- 摘要：NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應用，然而在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)壞塊和在使用過程中會出現(xiàn)壞塊增長的情況，針對這種情況，本文介紹了一種基于magnum II 測試機的速測試的方法，實驗結(jié)果表明，此方法能夠有效提高FLASH的全空間測試效率。另外，針對NAND FLASH的關鍵時序參數(shù)，如tREA(讀信號低電平到數(shù)據(jù)輸出時間)和tBERS(塊擦除時間)等，使用測試系統(tǒng)為器件施加適當?shù)目刂萍睿瓿蒒AND FLASH的時序配合，從而達到器件性
- 關鍵字： NAND magnum
Nand Flash編程應用難點淺析
- Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤等。 1989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經(jīng)過十幾年的發(fā)展，NAND應用越來越廣泛，但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關于NAND應用的一些難點：分區(qū)、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
- 關鍵字： Nand Flash 東芝
3D閃存產(chǎn)能大提升！SSD停止?jié)q價
- 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預期。 而需求方面，手機、服務器、數(shù)據(jù)中心依然表現(xiàn)強勢。 不過，來自集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)的最新報告稱，在明年，NAND閃存的市場將達到一種穩(wěn)態(tài)局面。其中，供給側(cè)的產(chǎn)能將提升42.9%，而需求側(cè)，增長預計在37.7%。 目前在3D閃存方面，三星的轉(zhuǎn)產(chǎn)最為順利，已經(jīng)在Q3開始量產(chǎn)64層堆疊，而其它廠商的64層甚至72層則仍需要2018年落地。 據(jù)悉，在明年的所
- 關鍵字： 閃存 SSD
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