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長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D閃存月產(chǎn)能有望在年底達(dá)到6萬(wàn)片：明年上馬128層

在被美日韓掌控的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上，終于有中國(guó)公司可以殺進(jìn)去跟國(guó)際大廠正面競(jìng)爭(zhēng)了。據(jù)報(bào)道，今年一季度，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）開(kāi)始投產(chǎn)64層堆棧3D閃存，容量256Gb，TLC芯片，初期的月產(chǎn)能僅有5000片。最新消息稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D閃存芯片將在年底前將月產(chǎn)能提高到6萬(wàn)片。不過(guò)，接受采訪時(shí)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)副總裁、聯(lián)合CTO Cheng Weihua卻表示暫不能透露具體的數(shù)據(jù)詳情包括下一代更先進(jìn)產(chǎn)品的研發(fā)計(jì)劃。有報(bào)道指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)最早明年初投產(chǎn)128層堆棧3D閃存，可能會(huì)采用第二代Xtacking架
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紫光國(guó)微否認(rèn)整合長(zhǎng)江存儲(chǔ) 也無(wú)意進(jìn)入閃存芯片制造業(yè)務(wù)

隨著紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在8月底量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片已經(jīng)嶄露頭角，結(jié)束了存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)率0%的尷尬。目前紫光集團(tuán)下面有多個(gè)公司設(shè)計(jì)存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)，定位有沖突的可能，不過(guò)紫光國(guó)微已經(jīng)否認(rèn)了整合長(zhǎng)江存儲(chǔ)的可能性。日前在投資者互動(dòng)平臺(tái)上，有投資者詢問(wèn)了紫光國(guó)微是否會(huì)整合長(zhǎng)江存儲(chǔ)，但紫光國(guó)微方面表態(tài)謹(jǐn)慎，稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)設(shè)立時(shí)，為避免潛在的同業(yè)競(jìng)爭(zhēng)，紫光集團(tuán)承諾，在本公司未來(lái)規(guī)劃發(fā)展存儲(chǔ)器芯片制造業(yè)務(wù)時(shí)，有權(quán)對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行產(chǎn)業(yè)整合。鑒于紫光集團(tuán)在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，公司目前沒(méi)有計(jì)劃涉足存儲(chǔ)器芯片制造業(yè)
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PLC SSD要來(lái)了！機(jī)械硬盤(pán)的末日要到了？

現(xiàn)在市面上主流的SSD都是TLC顆粒，相比以前的SLC和MLC顆粒在擦寫(xiě)壽命和穩(wěn)定性上會(huì)差不少，但是好處是SSD容量可以越做越大，也越來(lái)越親民，現(xiàn)在SSD 1元1GB已經(jīng)成為了常態(tài)價(jià)。
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中國(guó)首款！長(zhǎng)江存儲(chǔ)啟動(dòng)64層3D NAND閃存量產(chǎn)

網(wǎng)易科技訊 9月2日消息紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)在IC China 2019前夕宣布，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
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東芝開(kāi)始研究5bit PLC閃存顆粒

根據(jù)Tom‘s Hardwared的報(bào)道，東芝在今年的閃存峰會(huì)上提到了未來(lái)的BiCS閃存，以及PLC的NAND開(kāi)發(fā)。
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紫光國(guó)產(chǎn)64層3D閃存正式亮相：Xstacking堆棧 256Gb核心

在今天召開(kāi)的2019中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上，紫光集團(tuán)展出了旗下芯片及云計(jì)算等領(lǐng)域的最新進(jìn)展，其中首次公開(kāi)展出了旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的64層堆棧3D閃存，采用了Xstacking堆棧結(jié)構(gòu)，核心容量也提升到了256Gb。根據(jù)官網(wǎng)資料，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。在閃存芯片上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年就小規(guī)模量
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Note10 UFS 3.0閃存性能測(cè)試：讀取速度超1500Mb/s

昨天晚上，知名爆料博主@i冰宇宙公布了三星Note10的閃存性能測(cè)試數(shù)據(jù)。根據(jù)測(cè)試數(shù)據(jù)，三星Note10的UFS 3.0 閃存速度表現(xiàn)十分亮眼，順序讀取速度為1486MB/s，順序?qū)懭胨俣冗_(dá)到了586MB/s，隨機(jī)4K讀取速度為179.16MB/s，隨機(jī)4K寫(xiě)入速度為201.27MB/s。
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亞馬遜收購(gòu)云存儲(chǔ)廠商E8 要用閃存“讓數(shù)據(jù)飛起來(lái)”

亞馬遜日前收購(gòu)了一家以色列云存儲(chǔ)相關(guān)企業(yè)（名為“E8存儲(chǔ)公司”），獲得一些資產(chǎn)和員工。E8是一家小型云計(jì)算初創(chuàng)企業(yè)，為數(shù)據(jù)中心生產(chǎn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)硬件。
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閃存內(nèi)存跌價(jià) 三星海力士利潤(rùn)暴跌：拖累韓國(guó)經(jīng)濟(jì)了

本月初日本宣布管制對(duì)韓國(guó)的材料出口，目前被限制的材料主要是光刻膠、氟化聚酰亞胺和氟化氫這三種，主要用于柔性屏面板及半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)。
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NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場(chǎng)暗潮洶涌　各家布局蓄勢(shì)待發(fā)

受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)契機(jī)出現(xiàn)，NAND Flash價(jià)格調(diào)漲從7月開(kāi)始顯現(xiàn)，而國(guó)際大廠之間的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)更是暗潮洶涌。
關(guān)鍵字：三星電子東芝存儲(chǔ)器 NAND Flash 3D XPoint Z-NAND

西數(shù)全閃存存儲(chǔ)陣列：400TB只是入門(mén) 2500TB很輕松

作為傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(pán)巨頭，西部數(shù)據(jù)在閃存存儲(chǔ)領(lǐng)域也已經(jīng)逐漸走在世界前列，尤其是在服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域。今天，西數(shù)又發(fā)布了入門(mén)級(jí)的NVMe全閃存存儲(chǔ)陣列系統(tǒng)“IntelliFlash N5100”。
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日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢(shì)，長(zhǎng)期須關(guān)注原廠庫(kù)存水位

Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開(kāi)始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機(jī)與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報(bào)價(jià)狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫(kù)存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請(qǐng)流程延長(zhǎng)，短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)，集邦咨詢分析指出，因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)三個(gè)季度快速下滑，下游
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閃存市場(chǎng)遭遇意外，傳SSD廠商限量供貨、漲價(jià)15%

??? 從去年初到現(xiàn)在，全球NAND閃存市場(chǎng)已經(jīng)連跌了6個(gè)季度，導(dǎo)致的后果就是六大NAND閃存供應(yīng)商營(yíng)收及盈利不斷下滑，多家廠商還削減了產(chǎn)能，其中美光削減的NAND產(chǎn)能從之前的5%增加到了10%。??? 關(guān)于NAND閃存的走勢(shì)，今年前兩個(gè)季度還是跌的，但是Q3季度就變得撲朔迷離了，除了旺季需求及產(chǎn)能削減兩大因素之外，最近還有兩起意外事件也引發(fā)了閃存市場(chǎng)動(dòng)蕩，而且都跟日本有關(guān)。??? 首先是東芝位于日本四日市的5座NA
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武漢全力保障國(guó)家存儲(chǔ)器基地建設(shè) 國(guó)產(chǎn)閃存發(fā)展提速

去年中國(guó)進(jìn)口的3000多億美元的半導(dǎo)體芯片中，存儲(chǔ)芯片就占了三分之一左右，價(jià)值上千億美元的芯片基本上沒(méi)有國(guó)產(chǎn)的份兒，國(guó)內(nèi)科技產(chǎn)業(yè)存在被卡脖子的可能性，所以發(fā)展國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片已經(jīng)是刻不容緩的大事了。
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